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晶圆表面微小污染物可以是纳米颗粒大小用plasma清洗有特效

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发布时间:

2022-10-24

晶圆表面微小污染物可以是纳米颗粒大小用plasma清洗有特效:
        国外的封锁也伴随着国内高尖端技术的不断研发,LED行业对环保和特性的标准逐渐提高。LED在行业内,晶圆是整个行业LED去除晶圆光刻胶的重要组成部分是LED整个部件最重要的技术部分。LED技术的关键。说到晶圆,我们会谈论光刻胶和蚀刻。晶圆光刻胶是一种有机化合物胶,在光线下,特别是紫外线光下,在显影液中的溶解度会凝结。曝光后烘烤成固体。

        光刻的整个过程是这样的,使用时,wafer(晶圆)安装在每分钟可以转几千转的转盘上。几滴光刻胶溶液滴入旋转中wafer在中心,离心力将溶液扔到表面的所有部位。光刻胶溶液粘附在表面wafer在上面形成一层均匀的薄膜。旋转过程中多余的溶液wafer它被移除了。薄膜在几秒钟内缩小到最终厚度,溶剂迅速蒸发,wafer上面留下了一层薄薄的光刻胶。最后,通过烘烤去除剩余的溶剂,使光刻胶变硬,以便后续处理。wafer对特定波成的光非常敏感,尤其是紫外线(UV)线。相对而言,他们仍然对其他波长不敏感,包括红色、橙色和黄光。因此,大多数光刻车间都有特殊的黄光系统。
       去胶清洗过程中,去除光刻胶,这胶又称光学耐腐蚀剂,是由光敏树脂、增感剂和溶剂组成的混合液体。光刻胶应具有相对较小的表面张力,使光刻胶具有良好的流动性和覆盖性。光照后,光固化反应可在曝光区快速发生,使光刻胶的物理性能,特别是溶解性和亲和力发生显著变化。紫外线辐射迅速凝结成固体。
       光刻胶通过曝光、显影和蚀刻在每个结构表面形成所需的图案。在后一层处理中,需要完全去除前一次使用后的光刻胶。
通过预定义的图形去除不必要的局域,保留要留下的区域,并将图形转移到所选图形的过程需要
plasma清洗处理。
plasma清洗处理具有以下优点:剖面满意,钻孔小,表面和电路损坏小,清洁、经济、安全。选择比大,蚀刻均匀性好,重复性高。处理过程中不会引入污染,清洁度高。

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