诚峰20年专注等离子清洗技术研发
国家高新技术企业
产品中心
PRODUCTS
热门文章推荐
设备介绍
设备参数
应用领域
产品特点：
无电极激发(2.45GHz工业标准)超高密度等离子体密度达10-10/m2，是常规射频(13.56MHz)的10-1000倍，活性粒子浓度高、反应速率快。
低自偏压、低离子轰击:离子动能小、物理冲击弱，对敏感器件(芯片、MEMS)无损伤。微波驻波场分布均匀，等离子体扩散充分，可处理复杂形貌、微孔/缝隙，全域一致性强。
很适合于MEMS制造中的"器件释放”和微芯片封装中的“倒装芯片底部填充”工艺。
应用范围：
应用于引线键合及塑封封装、在芯片粘合前，在IC芯片封装前或者PBGAS及倒装晶片过程中和其它基于聚合物的衬底，以利于粘结，减少分层。
四大核心工序前:半导体:晶圆清洗、光刻胶去除、去胶、表面活化;MEMS:牺牲层去除、微结构表面处理;电子器件:PCB、FPC、连接器、引线框架清洁/活化;材料:高分子表面改性、陶瓷/玻璃亲水处理、金属去氧化。
产品参数：
-
- 商品名称: CRF-VMP-MW1000微波等离子清洗机
应用于引线键合及塑封封装、在芯片粘合前，在IC芯片封装前或者PBGAS及倒装晶片过程中和其它基于聚合物的衬底，以利于粘结，减少分层。四大核心工序前:半导体:晶圆清洗、光刻胶去除、去胶、表面活化;MEMS:牺牲层去除、微结构表面处理;电子器件:PCB、FPC、连接器、引线框架清洁/活化;材料:高分子表面改性、陶瓷/玻璃亲水处理、金属去氧化。
产品特点：
无电极激发(2.45GHz工业标准)超高密度等离子体密度达10-10/m2，是常规射频(13.56MHz)的10-1000倍，活性粒子浓度高、反应速率快。
低自偏压、低离子轰击:离子动能小、物理冲击弱，对敏感器件(芯片、MEMS)无损伤。微波驻波场分布均匀，等离子体扩散充分，可处理复杂形貌、微孔/缝隙，全域一致性强。
很适合于MEMS制造中的"器件释放”和微芯片封装中的“倒装芯片底部填充”工艺。
应用范围：
应用于引线键合及塑封封装、在芯片粘合前，在IC芯片封装前或者PBGAS及倒装晶片过程中和其它基于聚合物的衬底，以利于粘结，减少分层。
四大核心工序前:半导体:晶圆清洗、光刻胶去除、去胶、表面活化;MEMS:牺牲层去除、微结构表面处理;电子器件:PCB、FPC、连接器、引线框架清洁/活化;材料:高分子表面改性、陶瓷/玻璃亲水处理、金属去氧化。
产品参数：
-
-
- 商品名称: CRF-VMP-MW1000微波等离子清洗机
应用于引线键合及塑封封装、在芯片粘合前，在IC芯片封装前或者PBGAS及倒装晶片过程中和其它基于聚合物的衬底，以利于粘结，减少分层。四大核心工序前:半导体:晶圆清洗、光刻胶去除、去胶、表面活化;MEMS:牺牲层去除、微结构表面处理;电子器件:PCB、FPC、连接器、引线框架清洁/活化;材料:高分子表面改性、陶瓷/玻璃亲水处理、金属去氧化。
产品特点：
无电极激发(2.45GHz工业标准)超高密度等离子体密度达10-10/m2，是常规射频(13.56MHz)的10-1000倍，活性粒子浓度高、反应速率快。
低自偏压、低离子轰击:离子动能小、物理冲击弱，对敏感器件(芯片、MEMS)无损伤。微波驻波场分布均匀，等离子体扩散充分，可处理复杂形貌、微孔/缝隙，全域一致性强。
很适合于MEMS制造中的"器件释放”和微芯片封装中的“倒装芯片底部填充”工艺。
应用范围：
应用于引线键合及塑封封装、在芯片粘合前，在IC芯片封装前或者PBGAS及倒装晶片过程中和其它基于聚合物的衬底，以利于粘结，减少分层。
四大核心工序前:半导体:晶圆清洗、光刻胶去除、去胶、表面活化;MEMS:牺牲层去除、微结构表面处理;电子器件:PCB、FPC、连接器、引线框架清洁/活化;材料:高分子表面改性、陶瓷/玻璃亲水处理、金属去氧化。
产品参数：
-
荣誉证书
相关产品
相关文章
诚峰智造一专注等离子研发20年
我们
的服务
咨询免费测样
1对1方案定制
24小时在线售后
源头生产厂家
扫码获取资料
