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真空等离子清洗机半导体plasma原理

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发布时间：

2020-11-23

真空等离子清洗机半导体plasma原理：

随着现代电子器件生产技术的发展，Flip-ChipBond半导体封装技术得到了广泛应用，但由于前端技术的要求，加工过程中不可避免地会在基材上残留一些有机物或其他污染物，在整个烘烤过程中，Ni元素原来在金pad镀层下也会被移至表面层，如果没有去除污染物，则会导致半导体Flip-ChipBond工艺中芯片上的bump跟pad键合的整个过程效果差，粘结不良的后果。

传统型清洗加工工艺如cfc清洁、ods清洁，由于污染环境，成本高昂，限制了现代电子设备技术的进一步发展，特别是精密的机械设备制造半导体晶片等，因此等离子清洗机干式清洗，特别是plasma等离子清洗技术是目前发展的趋势。真空等离子清洗机plasma技术清洗方法有两种，一种是等离子在材料表面的反应，常见气体，如氩(ar)，氮(n2)等。二是氧自由基发生了化学变化，常见的气体有氢(h2)，氧(o2)等等。真空等离子清洗机等离子体通过冲击破坏有机物的离子键，从而去除表面污染物。在工作压力较低时，离子的能量越高，动能越大，冲击力越大，若采用物理反应进行清洗，则反映的应该是工作压力较低，实际清洗效果更强。

选择氩气作为真空等离子清洗机plasma的清洗气体，氩气等离子技术的清洗原理是利用微粒机械能进行清洁，氩气为惰性气体，在清洁过程中不会引起产品与气体发生化学反应，避免二次污染，由于前端加工过程中残留的残渣能被合理清除，从而使半导体可在整个键合过程中融合。相对于传统的湿法清洗工艺，真空等离子清洗机plasma等离子体工艺环保，价格低廉。

半导体等离子清洗机