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真空等离子清洗机对晶圆表面去除光刻胶工艺

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发布时间：

2023-09-11

半导体行业中，对相关电子元器件的产品质量品控和可靠性标准相对较高，一些颗粒污染物质和残渣均会对电子元器件造成干扰，真空等离子清洗机的干式处理在对半导体的功能增强上具有显著的优势，下面我们就主要是根据倒装集成电路板及其晶圆表层光刻胶的清理2个层面来进行详细介绍一下。
随着倒装集成电路板关键技术的产生，干式真空等离子清洗机清洁便与倒装集成电路板相互促进，成为了提高其生产量的关键功能。根据对集成ic及其封承载板进行等离子体清洗设备处理，不但可以取得超干净的焊接方法表层，还可以极大水平上提升焊接方法表层的特异性，合理有效防止虚焊及其极大减少断层或空洞，提升填充物的边界相对高度和包容性，持续改进打包封装的拉伸强度，减少因多种不同原材料的膨胀系数而在表面间产生内应的剪切应力，加强产品的稳定性及其提升使用期限。
真空等离子清洗机在处理晶圆表层光刻胶时，等离子体表层清理可以清理表层光刻胶和其他有机化合物，还可以根据等离子体活化和粗化功能，对晶圆表层进行处理，能合理有效提高其表层侵润性。相较于传统式的湿法化工方式，等离子体清洗设备干式处理的可操控性更强，统一性更加好，同时对基材沒有危害。
在开展真空等离子清洗机体蚀刻操控时，其射频电源所造成的热运动会使产品质量小、运作速率快的带负电自由电子迅速抵达负极，而正离子则是鉴于产品质量大、速度比较慢而难以在相同时间抵达负极，随后就会在负极附近构成带负电的鞘层，正离子在这个鞘层的加快之下，就会笔直的轰击在硅片的表层，随后使得表层的化学反应加快，而且会使得反应生成物脱离，因而其离子注入速度极快，离子的轰击会使得各种各样离子注入能够实现。