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直接影响CRF等离子体刻蚀机处理的硅油光发光性能

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发布时间：

2022-05-07

直接影响CRF等离子体刻蚀机处理的硅油光发光性能：
显示和发光技术的发展引发了白光发射材质在光源应用中的密切关注。近些年，我们发现非晶Si:C:0:H材质的光致发光PL可以覆盖350~800纳米的光谱区域，因而已变成希望很大的白光发射候选材质。
等离子体刻蚀机为了获得可能使用的白光发射材质，我们探索了各种非晶Si:C:0:H材质的光致发光性能，如反應直流磁控溅射制备的非晶Si:C:O:H膜。热蒸发沉积融化涂层技术制备的非晶SiC、0、薄膜。反應直流磁控溅射和等离子体激发化学气相沉积制备的氢化非晶碳化硅6-SiC:H)积制备，以及Crf诚峰等离子体蚀刻机等离子体激发的化学气相沉积制备的掺硅金刚石碳膜。
在制备这些薄膜时，通常需要使用较高的沉积温度或较高的后处理温度，如热蒸发沉积A-SiC、O、膜的沉积温度高达800℃，熔化涂层技术制备A-SiC、O、膜的烧结温度高达1300℃。当发光材料应用于光电集成技术时，如此高的温度可能会损坏其他材质和设备。因而，在低温下制备非晶体发射材质的方法变得非常重要。硅油是一种由Si.C.0.H组成的聚合物材质。由于其稳定的化学性能，硅油通常被用作发光材料的包装材料。
近些年，对非晶Si:C:O:H光发射材质的研究表明，材质的光发光性能与薄膜中的键结构有关。缺陷。纳米颗粒与簇有关。硅油的键结构可直接用Arcrf诚峰等离子体蚀刻机处理。因而，等离子体清洗机设备可用于处理硅油，以改变硅油结构或制备非晶Si:C:O:H膜，获得具有光发光特性的改性硅油或非晶Si:C:O:H膜。
在CRF诚峰等离子体蚀刻机中，放电产生处理硅油所需的活性基团，可控制轰击硅油的离子能量，将等离子体反應与离子轰击效应相结合，从而改变硅油的结构，获得具有光发光特性的改性硅油或非晶Si:C:O:H膜。