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CRF等离子处理器的常用工艺气体O2 、AR 又该如何选择呢?

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发布时间:

2022-02-12

CRF等离子处理器的常用工艺气体O2 、AR 又该如何选择呢?     
       CRF等离子体处理器常用的工艺气物有o2.AR.N2.空气压缩.co2.氢.四氟化碳等。它是气物电离存在等离子体对部件做好表面处理,不论是清洗或是表面激活,为了达到最佳的处理效果会选择不同的工艺气物,所以本文将分享相关的基本知识,供您参考。
1)o2是CRF等离子体处理器常用的活性气物,应属物化学处理方法。电离后存在的离子体可以对表面做好物理轰击,生成不光滑的表面。与此同时,高活性氧离子可以与断键后的分子链产生化学变化,生成活性基团的亲水性表面,实现表面活化的目标;断键后的有机质污染物质原素与高活性氧离子产生化学变化,生成分子结构,如co.co2.h2o,进而实现表面清洁的目标。o2适用于聚合物材料表面活化和有机质污染物质去除,但不适合用作易氧化的金属表面。真空等离子体状态下的氧等离子体呈浅蓝色,部分放电条件与白色相似。放电环境的光线相对较亮,肉眼可能看不到真空腔内的放电。

等离子处理器2)AR是1种稀有气体。电离后存在的离子体不容易与基板产生化学变化。适用于等离子体清洗基板表面的物理清洗和表面钝化处理。较大的特点是表面清洗不容易造成高精密电子仪器的表面氧化。因此,AR等离子体清洗机广泛应用于半导体、微电子、晶圆制造等行业。电离在CRF等离子体处理器中存在的AR等离子体呈暗红色。在同样的放电环境下,氢气和N2存在的等离子体顏色为红色,但AR等离子体的亮度将低于N2,高于氢气,因此更容易区分。

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