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将等离子处理机技术引入封装工艺处理，可以大大提高封装的可靠性和成品率

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发布时间：

2022-01-04

将等离子处理机技术引入封装工艺处理，可以大大提高封装的可靠性和成品率：
目前，装配技术的趋势主要是SIP、BGA和CSP包装，使半导体器件向模块化、高集成化和小型化方向发展。在这种包装和组装过程中，最大的问题是粘结填料处的有机污染和电加热中形成的氧化膜。由于粘结表面存在污染物，这些元件的粘结强度降低，封装后树脂的灌装强度降低，直接影响这些元件的组装水平和可持续发展。为了提高和提高这些元件的组装能力，每个人都在尽一切努力进行处理。改进实践证明，在包装过程中引入等离子处理机技术进行表面处理，可以大大提高包装的可靠性和成品率。
将裸片IC芯片在玻璃基片(LCD)的COG装入工艺中，粘接后高温硬化时，基体涂层成分会析出粘合填料表面。也有连接剂如Ag浆料溢出，污染粘结剂的粘结剂。若在热压连接之前，可通过等离子处理机清洗除去这些污染物，热压粘结效果明显改善。另外，LCD-COG模块的粘合密封性也得到了改善，这是因为基片和裸片表面润湿性得到改善，从而降低了线蚀。
此外，物理过程不同于离子对刻蚀基板表面的轰击和溅射刻蚀。这里的物理轰击主要是破坏化学键和晶格序列，加速反应物的脱附，从而促进化学反应过程面非挥发性产物的去除。基底偏置给ICP提供了能量，并能使活性粒子与基底表面发生作用，从而使ICP表面上的活性粒子发生作用，而功率决定了等离子体动能的大小。这些高能活性粒子在刻蚀过程中起着重要作用。
与蚀刻前蚀刻相比，表面质量下降分析原因，由于ICP蚀刻辉光放电产生的活性产生的活性粒子扩散到基板表面，发生化学反应，会产生一些非挥发性产物，没有时间脱附沉积在基板表面。此外，一些离子对基板产生物理轰击，破坏表面晶格阵列，导致基板表面出现孔洞和麻点，导致材料表面质量下降。同时，由于硅和碳化硅的存在，原基底表面的结构不统一。等离子处理机处理刻蚀材料表面时，两相边界、孔洞和麻点的不均匀性会导致材料表面对光的散射，这也会增加材料对光的吸收，降低材料表面的反射率，增加表面的粗糙度。