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等离子体发生器刻蚀ICP刻蚀工艺广泛应用于硅碳刻蚀领域

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发布时间：

2022-01-03

等离子体发生器刻蚀ICP刻蚀工艺广泛应用于硅碳刻蚀领域：
作为1种新的非金属材料，化学反应煅烧碳碳复合材料(RB-SiC)具有较高的强度、比刚度、高导热系数、小膨胀系数等特征.随着光学技术迅速向大口径方向发展，光学器件向低损耗、轻量化的方向发展，标准具有高分辨率、宽视场和高质量的表面形貌。
由于RB-SiC材料具有许多优良的性能，因此对材料表面光学品质指出了更强的标准。SiC的加工方法有电化学腐蚀、机械加工、超声加工、激光刻蚀、等离子体刻蚀等。在等离子体发生器中，化学离子刻蚀工艺(RIE)、电子器件回旋共振(ECR)和电感耦合等离子体(ICP)都是在其中的一种。ICP刻蚀装置具有选择性、各向异性结构简单、操作方便、易于控制等优点，广泛应用于SiC刻蚀应用。
ICP刻蚀工艺主要用于SiC半导体器件和微机电系统(MEMS)器件的加工和制造，刻蚀表面质量，提高SiC微波功率器件的性能品质。ICP腐蚀工艺完整的腐蚀过程可以分为三个步骤：①腐蚀物质的吸附；②挥发物的形成；③脱附。这一过程包含了化学过程和物理过程：刻蚀气体以电感耦合的方式发生辉光放电，产生活性基团。例如，中性微粒与电子器件等，中性微粒与被刻蚀材料表面的原子发生化学反应，产生易挥发物质，这种副产物通过真空系统提取腔来进行气体化学腐蚀。