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湿法蚀刻系统与等离子蚀刻工艺上不同过程包括哪些步骤

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发布时间:

2021-12-20

湿法蚀刻系统与等离子蚀刻工艺上不同过程包括哪些步骤:
        湿法处理系统提供了可控制的化学药品滴注能力,使颗粒从基片表面除去能力进一步增强。同时SWC与LSC都具有点滴试胶系统,可大大节约化学药品的用量。滴胶系统支持智能控制的化学药品相混能力,使化学药品在整体基材上分布受控。提供高重复性、高均匀性和先进的兆声清洗,兆声辅助下的光刻胶剥离,以及湿法刻蚀系统。
        对比等离子蚀刻,湿法刻蚀是常用的化学清洗方法,其主要目的是使硅片表面的蒙版图形正确复制到涂胶硅片上,进而达到对硅片特殊区域的保护。自半导体制造业起步以来,硅片制造与湿法刻蚀系统就有着密切的联系。目前的湿法刻蚀系统主要用于除去残渣、漂浮去硅、大型图形刻蚀等,具有设备简单,选材比高,对器件损伤小等优点。
 
等离子蚀刻       对比等离子蚀刻,湿法蚀刻工艺具有温度低、效率高、成本低等优点,在湿刻过程中,可以有效地除去硅片上的磷硅玻璃和金属离子,而且可以多次地实现钝化和清洗除去残渣,进而提高硅片的使用效率。
       对比等离子蚀刻,湿式刻蚀系统是一种通过化学刻蚀液与被刻蚀物之间的化学反应而使其剥离的刻蚀方法。大部分湿法蚀刻系统都是不易控制的各向同性蚀刻。特性:适应性强,表面均匀,对硅片损伤小,几乎适用于所有金属,玻璃,塑料等材料。坏处:制图保真不理想,制图极小线难以把握。
       对比等离子蚀刻,湿法蚀刻是将蚀刻材料浸入蚀刻液中进行蚀刻的技术。简而言之,就是中学化学课上化学溶液蚀刻的概念,它是一种纯化学蚀刻,具有极好的选择性,刻蚀完当前的薄膜后就停止,而不会破坏下面的其他材料的薄膜。半导体湿法蚀刻系统均为各向同性蚀刻,因此对氧化层和金属层的蚀刻,横向蚀刻宽度均接近垂直蚀刻深度。这样,上部光刻胶上的图案与下部材料上的图案就会发生一定的偏差,进而不能高质量地实现图形传递和复制的工作,因此,随着特征尺寸的减小,在图形传递过程中基本上不再使用。

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