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等离子体设备与BGA中的FC-CBGA和键合线TBGA的封装工艺流程

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发布时间：

2021-09-09

一、等离子体设备与FC-CBGA的封装工艺流程
1、等离子体设备与陶瓷基板
FC-CBGA的底材为双层聚酰亚胺膜，制做难度系数很大。由于基材布线密度高，间距窄，通孔多，基材共面性要求高。其主要工艺为：先将双层陶瓷薄片经高温共烧成双层陶瓷金属基片，再在基体上制成双层金属线，然后进行电镀等。CBGA组装流程中，基材与处理芯片、pcb线路板板的CTE不匹配是造成产品失效的主要原因。为了改进这种情况，除了采用CCGA结构外，还可以使用一种附加陶瓷衬底–HITCE陶瓷衬底。
2、等离子体设备与封装工艺流程
块状突点的制备->块状割切->块状倒装和回流焊->底端填冲传热脂，密封焊料的分配->盖子->装配焊球->回流焊->标记->剥离->再检验->检测->打包。
二、等离子体设备与键合线TBGA的封装工艺流程
1、等离子体设备与TBGA载带
TBGA的带子一般用聚酰亚胺材料制成。制作时，先在载带两侧涂铜，然后镀镍镀金，再冲孔通孔金属化，制作图形。由于这种引线与TBGA相结合，封装热沉也是封装的加固态，也是管壳的芯腔底材，所以在封装前应先用压敏粘结剂将载带粘在热沉上。
2、等离子体设备与封装工艺流程
片材减薄→片材割切→片材粘结处理→清洗→键合线→等离子体设备清洗→液体密封灌封→焊球组装→回流焊→表面标记→剥离→再检验→检测→打包。
BGA封装之所以受欢迎，主要是因为它的优越性(显)，以及在密度、电气性能和成本等方面的独特优势使其取代了传统封装。随著BGA封装的不断完善，性价比将进一步提高，BGA封装具有更好的灵活性和优良的性能，具有广阔的应用前景。随着等离子体设备与这一道工序的加入，使得BGA封装的未来更加充满光明。