真空等离子清洗机适用于印制线路板行业，半导体IC领域、硅胶、塑胶、聚合体领域，汽车电子行业，航空工业等。印制线路板行业：高频板表面活化，多层板表面清洁、去钻污,软板、软硬结合板表面清洁、去钻污，软板补强前活化。半导体IC领域：COB、COG、COF、ACF工艺，用于打线、焊接前的清洗；硅胶、塑胶、聚合体领域硅胶、塑胶、聚合体的等离子表面粗化、刻蚀、活化。

真空式等离子清洗机系统厂家是运用气体电离形成的等离子体对产品工件进行表面处理，不论是清洗还是表面活化，为了更好地取得优质的处理效果，针对不同的产品需要挑选不一样的加工工艺气体，等离子清洗机常见的加工工艺气体有氧气(Oxygen,O2)，氩气(Argon,Ar)，氮气(Nitrogen,N2)，空气压缩(Compressed Air,CDA)，二氧化碳(Carbon,CO2)，氢气(Hydrogen,H2)，四氟化碳(Carbontetrafluoride,CF4)等。

氧气：
氧是一种常见的等离子清洗活性气体，这是属于物理学+化学处理方法，被电离后离子化造成的离子能够对表面进行物理学轰击，产生不光滑粗糙的表面。此外，高活性氧离子能与被断键的分子结构链产生化学反应，转化成具备活性基的亲水性表层，以完成表层活性的目的；而被断键的有机污染物则能与活性氧离子产生化学反应，产生CO、CO2、H2O等分子脱离表层，完成表层清洗。氧关键用以高分子聚合物的表层活性和污染物的除去，但不可以用以于易氧化的金属表层。在真空等离子下，氧等离子呈浅蓝色，一部分充放电时呈乳白色；放电环境中光线较亮，用肉眼观看时很有可能出现看不见真内腔内放电的状况。

氢气：

氢与氧类似，是高活性气体，能活化和清洗表层。氢和氧的差别关键取决于反应后产生的官能团不一样，另外氢还具备还原性，可用于金属表层的微观氧化层除去，并且不易毁坏表层比较敏感的有机层。因而在微电子技术，半导体材料和pcb线路板加工制造业中运用较为普遍。因为氢是危险气体，在没有电离的状况下易与氧气融合会产生爆炸，因而在等离子清洗机中不允许这二种气体混合使用。在真空等离子状态中，氢等离子体为鲜红色，与氩等离子体类似，要同样放电环境下比氩等离子体颜色稍深。

氮气：

由氮气电离而成的等离子体与一些分子产生键合反应，因而也是一种有活性气体，可是相对于氧和氢而言，它的颗粒较重，在一般的等离子清洗机的运用中，这类气体一般被界定在活性气体氧、氢气和稀有气体氩气之间的一种气体。清洗活化时要做到一定的轰击、蚀刻的效果，同时能避免一部分金属表层产生空气氧化。由氮气和其他气体混和而成的等离子体，一般用来处理一些特殊的材料。在真空腔体内，相同放电的情况下氮等离子会比氩、氢等离子亮度更亮一些。

- 商品名称: 真空式等离子处理系统CRF-VPO-4L-S
- 商品编号: CRF-VPO-4L-S
产品特点

超大处理空间，提升处理产能，采用PLC+触摸屏控制系统，精准的控制设备运行；

可按照客户要求定制设备腔体容量和层数，满足客户的需求；保养维修成本低，便于客户成本控制；

高精度，快响应，良好的操控性和兼容性，完善的功能和专业的技术支持。

应用范围

真空等离子清洗机适用于印制线路板行业，半导体IC领域、硅胶、塑胶、聚合体领域，汽车电子行业，航空工业等。印制线路板行业：高频板表面活化，多层板表面清洁、去钻污,软板、软硬结合板表面清洁、去钻污，软板补强前活化。半导体IC领域：COB、COG、COF、ACF工艺，用于打线、焊接前的清洗；硅胶、塑胶、聚合体领域硅胶、塑胶、聚合体的等离子表面粗化、刻蚀、活化。

真空式等离子清洗机系统厂家是运用气体电离形成的等离子体对产品工件进行表面处理，不论是清洗还是表面活化，为了更好地取得优质的处理效果，针对不同的产品需要挑选不一样的加工工艺气体，等离子清洗机常见的加工工艺气体有氧气(Oxygen,O2)，氩气(Argon,Ar)，氮气(Nitrogen,N2)，空气压缩(Compressed Air,CDA)，二氧化碳(Carbon,CO2)，氢气(Hydrogen,H2)，四氟化碳(Carbontetrafluoride,CF4)等。

氧气：
氧是一种常见的等离子清洗活性气体，这是属于物理学+化学处理方法，被电离后离子化造成的离子能够对表面进行物理学轰击，产生不光滑粗糙的表面。此外，高活性氧离子能与被断键的分子结构链产生化学反应，转化成具备活性基的亲水性表层，以完成表层活性的目的；而被断键的有机污染物则能与活性氧离子产生化学反应，产生CO、CO2、H2O等分子脱离表层，完成表层清洗。氧关键用以高分子聚合物的表层活性和污染物的除去，但不可以用以于易氧化的金属表层。在真空等离子下，氧等离子呈浅蓝色，一部分充放电时呈乳白色；放电环境中光线较亮，用肉眼观看时很有可能出现看不见真内腔内放电的状况。

氢气：

氢与氧类似，是高活性气体，能活化和清洗表层。氢和氧的差别关键取决于反应后产生的官能团不一样，另外氢还具备还原性，可用于金属表层的微观氧化层除去，并且不易毁坏表层比较敏感的有机层。因而在微电子技术，半导体材料和pcb线路板加工制造业中运用较为普遍。因为氢是危险气体，在没有电离的状况下易与氧气融合会产生爆炸，因而在等离子清洗机中不允许这二种气体混合使用。在真空等离子状态中，氢等离子体为鲜红色，与氩等离子体类似，要同样放电环境下比氩等离子体颜色稍深。

氮气：

由氮气电离而成的等离子体与一些分子产生键合反应，因而也是一种有活性气体，可是相对于氧和氢而言，它的颗粒较重，在一般的等离子清洗机的运用中，这类气体一般被界定在活性气体氧、氢气和稀有气体氩气之间的一种气体。清洗活化时要做到一定的轰击、蚀刻的效果，同时能避免一部分金属表层产生空气氧化。由氮气和其他气体混和而成的等离子体，一般用来处理一些特殊的材料。在真空腔体内，相同放电的情况下氮等离子会比氩、氢等离子亮度更亮一些。

名称（Name）	真空式等离子处理系统
型号（Model）	CRF-VPO-4L-S
控制系统（Control system）	PLC+触摸屏
电源（Power supply）	380V/AC,50/60Hz, 3kw
中频电源功率（RF Power）	1000W/40KHz/13.56MHz
容量（Volume ）	30L(Option)
层数（Electrode of plies ）	4(Option)
有效处理面积（Area）	200(L)*150(W)(Option)
气体通道（Gas）	两路工作气体可选：Ar、N2、CF4、O2

- 商品名称: 真空式等离子处理系统CRF-VPO-4L-S
- 商品编号: CRF-VPO-4L-S
产品特点

超大处理空间，提升处理产能，采用PLC+触摸屏控制系统，精准的控制设备运行；

可按照客户要求定制设备腔体容量和层数，满足客户的需求；保养维修成本低，便于客户成本控制；

高精度，快响应，良好的操控性和兼容性，完善的功能和专业的技术支持。

应用范围

真空等离子清洗机适用于印制线路板行业，半导体IC领域、硅胶、塑胶、聚合体领域，汽车电子行业，航空工业等。印制线路板行业：高频板表面活化，多层板表面清洁、去钻污,软板、软硬结合板表面清洁、去钻污，软板补强前活化。半导体IC领域：COB、COG、COF、ACF工艺，用于打线、焊接前的清洗；硅胶、塑胶、聚合体领域硅胶、塑胶、聚合体的等离子表面粗化、刻蚀、活化。

真空式等离子清洗机系统厂家是运用气体电离形成的等离子体对产品工件进行表面处理，不论是清洗还是表面活化，为了更好地取得优质的处理效果，针对不同的产品需要挑选不一样的加工工艺气体，等离子清洗机常见的加工工艺气体有氧气(Oxygen,O2)，氩气(Argon,Ar)，氮气(Nitrogen,N2)，空气压缩(Compressed Air,CDA)，二氧化碳(Carbon,CO2)，氢气(Hydrogen,H2)，四氟化碳(Carbontetrafluoride,CF4)等。

氧气：
氧是一种常见的等离子清洗活性气体，这是属于物理学+化学处理方法，被电离后离子化造成的离子能够对表面进行物理学轰击，产生不光滑粗糙的表面。此外，高活性氧离子能与被断键的分子结构链产生化学反应，转化成具备活性基的亲水性表层，以完成表层活性的目的；而被断键的有机污染物则能与活性氧离子产生化学反应，产生CO、CO2、H2O等分子脱离表层，完成表层清洗。氧关键用以高分子聚合物的表层活性和污染物的除去，但不可以用以于易氧化的金属表层。在真空等离子下，氧等离子呈浅蓝色，一部分充放电时呈乳白色；放电环境中光线较亮，用肉眼观看时很有可能出现看不见真内腔内放电的状况。

氢气：

氢与氧类似，是高活性气体，能活化和清洗表层。氢和氧的差别关键取决于反应后产生的官能团不一样，另外氢还具备还原性，可用于金属表层的微观氧化层除去，并且不易毁坏表层比较敏感的有机层。因而在微电子技术，半导体材料和pcb线路板加工制造业中运用较为普遍。因为氢是危险气体，在没有电离的状况下易与氧气融合会产生爆炸，因而在等离子清洗机中不允许这二种气体混合使用。在真空等离子状态中，氢等离子体为鲜红色，与氩等离子体类似，要同样放电环境下比氩等离子体颜色稍深。

氮气：

由氮气电离而成的等离子体与一些分子产生键合反应，因而也是一种有活性气体，可是相对于氧和氢而言，它的颗粒较重，在一般的等离子清洗机的运用中，这类气体一般被界定在活性气体氧、氢气和稀有气体氩气之间的一种气体。清洗活化时要做到一定的轰击、蚀刻的效果，同时能避免一部分金属表层产生空气氧化。由氮气和其他气体混和而成的等离子体，一般用来处理一些特殊的材料。在真空腔体内，相同放电的情况下氮等离子会比氩、氢等离子亮度更亮一些。

名称（Name）	真空式等离子处理系统
型号（Model）	CRF-VPO-4L-S
控制系统（Control system）	PLC+触摸屏
电源（Power supply）	380V/AC,50/60Hz, 3kw
中频电源功率（RF Power）	1000W/40KHz/13.56MHz
容量（Volume ）	30L(Option)
层数（Electrode of plies ）	4(Option)
有效处理面积（Area）	200(L)*150(W)(Option)
气体通道（Gas）	两路工作气体可选：Ar、N2、CF4、O2

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