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低温等离子体电源完整性电源系统规划要注意的几个点
- 分类:技术支持
- 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
- 来源:
- 发布时间:2021-04-09
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【概要描述】 低温等离子体电源完整性电源系统噪声余量剖析绝大多数芯片都会给出一个正常工作电压范围,通常为±5%。传统稳压片的输出电压精度一般为±2.5%,因此电源噪声的峰值幅度不宜大于±2.5%。精度是有条件的,包括负载情况、工作温度等限制,因此要有余量。 二、整机低温等离子体电源噪音余量的核算。 例如芯片的正常工作电压是3.13V到3.47V,稳压芯片的名义输出是3.3V。整机安装在电路板上,整机电源稳压芯片输出3.36V。然后,允许的电压变化幅度是3.47-3.36=0.11V=110毫伏。稳压片输出精度±1%,即±3.363*1%=±33.6毫伏。电力系统噪声的余量是110-33.6=76.4毫伏。 三、低温等离子体电源整流器电源噪音如何产生。 稳压电源芯片本身的输出不稳定,会产生一定波动。二是稳压电源不能实时响应负载对电流要求的快速变化。整流电源稳压电源芯片感知其输出电压的变化,调整其输出电流,使其回到额定输出电压。其三,负载瞬态电流在电源途径阻抗和地途径阻抗上产生的压降,引脚及焊盘本身都会有寄生电感,瞬态电流流经该通道时必然产生压降,因此,电源完整性因此,负载芯片电源引脚处的电压会随瞬态电流的变化而摇动,这就是发生阻抗时产生的电源噪声。 四、低温等离子体电源完整性电容退耦的两种解释选择电容退耦是解决噪声问题的主要方法。这种方法对于响应进步暂态电流、降低电源分配系统阻抗都是非常有用的。4.1从能量储存的角度阐明电容的退耦原理在电路板制造过程中,通常会将大量的电容放在负载芯片的周围,这些电容就起到了电源退耦的作用。由于负载芯片内部晶体管电平转换速度极快,当负载瞬态电流发生变化时,必须在最短的时间内为负载芯片提供满意的电流。但是稳压电源不能很快响应负载电流的变化,因此,I0电流不能立即满足负载瞬态电流的要求,因此负载芯片的电压会下降。但是由于电容电压与负载电压相同,因此在电容两头都存在电压变化。就电容而言,电压变化必然会产生电流,此时电容对负载放电,电流Ic不再是0,电流供给负载芯片。如果电容C满足较大的要求,并且电压变化很小,电容就能满足较大的电流,满足负载态电流的要求。等于把电能的一部分预先储存起来,在需要负荷时就会释放出来,也就是说,电容就是储能元件。电力整机储能电容的存在,可以迅速补充负载所消耗的能量,从而保证负载两头电压不会发生过大的变化,此时电容所承担的是部分电源角色。以能量储存的观点来理解电源退耦,非常直观易懂,但对电路规划帮助不大。以阻抗的观点认识电容的退耦,可以让我们在电路规划中有章可循。在实际应用中,在确定电源分配系统的去耦电容时,采用了阻抗的概念。4.2通过阻抗视图了解退耦原理。 五、低温等离子体电源完整性应注意电容特性。 在实际工作中,正确使用电容进行电源退耦,必须了解电容的频率特性。实际上并没有理想的电容,这就是为什么人们常常听到“电容不仅仅是电容”。实用型电容器总有一些寄生参数,它们在低频时表现得不明显,但在高频时,它们的重要性可能超过了容值本身。由磁场能量变化的视点可以很容易理解,当电流发生变化时,磁场能量也会发生变化,但能量跃升是不可能的,体现了电感的特性。寄生电感可延迟电容电流的变化,增大电感可增大电容充放电阻抗,延长了电源完整性反应时间。自共振频率点是区分电容与谐振的兼容性还是感性的分界点,当频率高于谐振频率时,“电容不再是电容”,因此退耦效果就会降低。与等效串联电感相关的电容与生产工艺、封装规模有关,一般小封装的等效串联电感较低,宽体封装的等效串联电感较窄体封装的高。将一些大的电容放在电路板上,一般是坦电容或电解电容。这种电容具有很低的ESL,但ESR很高,因此Q值很低,实用频率范围很宽,非常适用于板级电源滤波。质量因数越高,电路在电感或电容上的电压就越高,附加电压就越多。在一定频偏下,Q值越高,电流衰减越快,谐振曲线越尖锐。换句话说,电路的挑选性是由电路的Q元素决定的,电源完整性Q值越高,挑选性越好。6.低温等离子体电源完整性部分的解耦规划方法为了保证逻辑电路正常工作,有必要表示电路逻辑状态的电平值以一定的比例下降。例如,对于3.3V逻辑,高电压大于2V是逻辑1,低电压小于0.8V是逻辑0。将电容置于邻近器件上,并跨接于电源插头与地插头之间。一般情况下,电容充电,储存部分电量。低温等离子体电源功率整流器不需要VCC来供给电路转换所需的瞬态电流,电容相当于一小块电源。因此,电源和地端的寄生电感都被绕道掉了,在这一段时间内,寄生电感没有电流流过,因此也不存在感应电压。通常将两个或多个电容平行放置,以减小电容本身的串联电感,从而降低电容充放电回路的阻抗。注意:电容的放置,设备间隔,设备方式,电容选择。
低温等离子体电源完整性电源系统规划要注意的几个点
【概要描述】 低温等离子体电源完整性电源系统噪声余量剖析绝大多数芯片都会给出一个正常工作电压范围,通常为±5%。传统稳压片的输出电压精度一般为±2.5%,因此电源噪声的峰值幅度不宜大于±2.5%。精度是有条件的,包括负载情况、工作温度等限制,因此要有余量。
二、整机低温等离子体电源噪音余量的核算。
例如芯片的正常工作电压是3.13V到3.47V,稳压芯片的名义输出是3.3V。整机安装在电路板上,整机电源稳压芯片输出3.36V。然后,允许的电压变化幅度是3.47-3.36=0.11V=110毫伏。稳压片输出精度±1%,即±3.363*1%=±33.6毫伏。电力系统噪声的余量是110-33.6=76.4毫伏。
三、低温等离子体电源整流器电源噪音如何产生。
稳压电源芯片本身的输出不稳定,会产生一定波动。二是稳压电源不能实时响应负载对电流要求的快速变化。整流电源稳压电源芯片感知其输出电压的变化,调整其输出电流,使其回到额定输出电压。其三,负载瞬态电流在电源途径阻抗和地途径阻抗上产生的压降,引脚及焊盘本身都会有寄生电感,瞬态电流流经该通道时必然产生压降,因此,电源完整性因此,负载芯片电源引脚处的电压会随瞬态电流的变化而摇动,这就是发生阻抗时产生的电源噪声。
四、低温等离子体电源完整性电容退耦的两种解释选择电容退耦是解决噪声问题的主要方法。这种方法对于响应进步暂态电流、降低电源分配系统阻抗都是非常有用的。4.1从能量储存的角度阐明电容的退耦原理在电路板制造过程中,通常会将大量的电容放在负载芯片的周围,这些电容就起到了电源退耦的作用。由于负载芯片内部晶体管电平转换速度极快,当负载瞬态电流发生变化时,必须在最短的时间内为负载芯片提供满意的电流。但是稳压电源不能很快响应负载电流的变化,因此,I0电流不能立即满足负载瞬态电流的要求,因此负载芯片的电压会下降。但是由于电容电压与负载电压相同,因此在电容两头都存在电压变化。就电容而言,电压变化必然会产生电流,此时电容对负载放电,电流Ic不再是0,电流供给负载芯片。如果电容C满足较大的要求,并且电压变化很小,电容就能满足较大的电流,满足负载态电流的要求。等于把电能的一部分预先储存起来,在需要负荷时就会释放出来,也就是说,电容就是储能元件。电力整机储能电容的存在,可以迅速补充负载所消耗的能量,从而保证负载两头电压不会发生过大的变化,此时电容所承担的是部分电源角色。以能量储存的观点来理解电源退耦,非常直观易懂,但对电路规划帮助不大。以阻抗的观点认识电容的退耦,可以让我们在电路规划中有章可循。在实际应用中,在确定电源分配系统的去耦电容时,采用了阻抗的概念。4.2通过阻抗视图了解退耦原理。
五、低温等离子体电源完整性应注意电容特性。
在实际工作中,正确使用电容进行电源退耦,必须了解电容的频率特性。实际上并没有理想的电容,这就是为什么人们常常听到“电容不仅仅是电容”。实用型电容器总有一些寄生参数,它们在低频时表现得不明显,但在高频时,它们的重要性可能超过了容值本身。由磁场能量变化的视点可以很容易理解,当电流发生变化时,磁场能量也会发生变化,但能量跃升是不可能的,体现了电感的特性。寄生电感可延迟电容电流的变化,增大电感可增大电容充放电阻抗,延长了电源完整性反应时间。自共振频率点是区分电容与谐振的兼容性还是感性的分界点,当频率高于谐振频率时,“电容不再是电容”,因此退耦效果就会降低。与等效串联电感相关的电容与生产工艺、封装规模有关,一般小封装的等效串联电感较低,宽体封装的等效串联电感较窄体封装的高。将一些大的电容放在电路板上,一般是坦电容或电解电容。这种电容具有很低的ESL,但ESR很高,因此Q值很低,实用频率范围很宽,非常适用于板级电源滤波。质量因数越高,电路在电感或电容上的电压就越高,附加电压就越多。在一定频偏下,Q值越高,电流衰减越快,谐振曲线越尖锐。换句话说,电路的挑选性是由电路的Q元素决定的,电源完整性Q值越高,挑选性越好。6.低温等离子体电源完整性部分的解耦规划方法为了保证逻辑电路正常工作,有必要表示电路逻辑状态的电平值以一定的比例下降。例如,对于3.3V逻辑,高电压大于2V是逻辑1,低电压小于0.8V是逻辑0。将电容置于邻近器件上,并跨接于电源插头与地插头之间。一般情况下,电容充电,储存部分电量。低温等离子体电源功率整流器不需要VCC来供给电路转换所需的瞬态电流,电容相当于一小块电源。因此,电源和地端的寄生电感都被绕道掉了,在这一段时间内,寄生电感没有电流流过,因此也不存在感应电压。通常将两个或多个电容平行放置,以减小电容本身的串联电感,从而降低电容充放电回路的阻抗。注意:电容的放置,设备间隔,设备方式,电容选择。
- 分类:技术支持
- 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
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- 发布时间:2021-04-09 09:10
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低温等离子体电源完整性电源系统规划要注意的几个点:
低温等离子体电源完整性电源系统噪声余量剖析绝大多数芯片都会给出一个正常工作电压范围,通常为±5%。传统稳压片的输出电压精度一般为±2.5%,因此电源噪声的峰值幅度不宜大于±2.5%。精度是有条件的,包括负载情况、工作温度等限制,因此要有余量。
二、整机低温等离子体电源噪音余量的核算。
例如芯片的正常工作电压是3.13V到3.47V,稳压芯片的名义输出是3.3V。整机安装在电路板上,整机电源稳压芯片输出3.36V。然后,允许的电压变化幅度是3.47-3.36=0.11V=110毫伏。稳压片输出精度±1%,即±3.363*1%=±33.6毫伏。电力系统噪声的余量是110-33.6=76.4毫伏。
三、低温等离子体电源整流器电源噪音如何产生。
稳压电源芯片本身的输出不稳定,会产生一定波动。二是稳压电源不能实时响应负载对电流要求的快速变化。整流电源稳压电源芯片感知其输出电压的变化,调整其输出电流,使其回到额定输出电压。其三,负载瞬态电流在电源途径阻抗和地途径阻抗上产生的压降,引脚及焊盘本身都会有寄生电感,瞬态电流流经该通道时必然产生压降,因此,电源完整性因此,负载芯片电源引脚处的电压会随瞬态电流的变化而摇动,这就是发生阻抗时产生的电源噪声。
四、低温等离子体电源完整性电容退耦的两种解释选择电容退耦是解决噪声问题的主要方法。这种方法对于响应进步暂态电流、降低电源分配系统阻抗都是非常有用的。4.1从能量储存的角度阐明电容的退耦原理在电路板制造过程中,通常会将大量的电容放在负载芯片的周围,这些电容就起到了电源退耦的作用。由于负载芯片内部晶体管电平转换速度极快,当负载瞬态电流发生变化时,必须在短的时间内为负载芯片提供满意的电流。但是稳压电源不能很快响应负载电流的变化,因此,I0电流不能立即满足负载瞬态电流的要求,因此负载芯片的电压会下降。但是由于电容电压与负载电压相同,因此在电容两头都存在电压变化。就电容而言,电压变化必然会产生电流,此时电容对负载放电,电流Ic不再是0,电流供给负载芯片。如果电容C满足较大的要求,并且电压变化很小,电容就能满足较大的电流,满足负载态电流的要求。等于把电能的一部分预先储存起来,在需要负荷时就会释放出来,也就是说,电容就是储能元件。电力整机储能电容的存在,可以迅速补充负载所消耗的能量,从而保证负载两头电压不会发生过大的变化,此时电容所承担的是部分电源角色。以能量储存的观点来理解电源退耦,非常直观易懂,但对电路规划帮助不大。以阻抗的观点认识电容的退耦,可以让我们在电路规划中有章可循。在实际应用中,在确定电源分配系统的去耦电容时,采用了阻抗的概念。4.2通过阻抗视图了解退耦原理。
五、低温等离子体电源完整性应注意电容特性。
在实际工作中,正确使用电容进行电源退耦,必须了解电容的频率特性。实际上并没有理想的电容,这就是为什么人们常常听到“电容不仅仅是电容”。实用型电容器总有一些寄生参数,它们在低频时表现得不明显,但在高频时,它们的重要性可能超过了容值本身。由磁场能量变化的视点可以很容易理解,当电流发生变化时,磁场能量也会发生变化,但能量跃升是不可能的,体现了电感的特性。寄生电感可延迟电容电流的变化,增大电感可增大电容充放电阻抗,延长了电源完整性反应时间。自共振频率点是区分电容与谐振的兼容性还是感性的分界点,当频率高于谐振频率时,“电容不再是电容”,因此退耦效果就会降低。与等效串联电感相关的电容与生产工艺、封装规模有关,一般小封装的等效串联电感较低,宽体封装的等效串联电感较窄体封装的高。将一些大的电容放在电路板上,一般是坦电容或电解电容。这种电容具有很低的ESL,但ESR很高,因此Q值很低,实用频率范围很宽,非常适用于板级电源滤波。质量因数越高,电路在电感或电容上的电压就越高,附加电压就越多。在一定频偏下,Q值越高,电流衰减越快,谐振曲线越尖锐。换句话说,电路的挑选性是由电路的Q元素决定的,电源完整性Q值越高,挑选性越好。6.低温等离子体电源完整性部分的解耦规划方法为了保证逻辑电路正常工作,有必要表示电路逻辑状态的电平值以一定的比例下降。例如,对于3.3V逻辑,高电压大于2V是逻辑1,低电压小于0.8V是逻辑0。将电容置于邻近器件上,并跨接于电源插头与地插头之间。一般情况下,电容充电,储存部分电量。低温等离子体电源功率整流器不需要VCC来供给电路转换所需的瞬态电流,电容相当于一小块电源。因此,电源和地端的寄生电感都被绕道掉了,在这一段时间内,寄生电感没有电流流过,因此也不存在感应电压。通常将两个或多个电容平行放置,以减小电容本身的串联电感,从而降低电容充放电回路的阻抗。注意:电容的放置,设备间隔,设备方式,电容选择。
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