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等离子体刻蚀设备的刻蚀工艺改变氮化硅层的形态原理

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2021-04-07
  • 访问量:

【概要描述】        等离子体刻蚀设备可实现表面清洗、表面活化、表面蚀刻和表面镀层等功能,根据需要处理的材料不同,可达到不同的处理效果。半导体工业中使用的等离子体刻蚀设备主要有等离子蚀刻、显影、去胶、封装等。在半导体集成电路中,真空等离子体清洗机的刻蚀工艺,既能刻蚀表面层的光刻胶,又能刻蚀底层的氮化硅层,通过调整部分参数,就可以形成一定的氮化硅层形貌,即侧壁的蚀刻倾斜度。         1、氮化硅材的特性:         氮化硅酸盐是一种新型的炙手可热的材料,它具有密度小、硬度大、高弹性模量和热稳定性好等优点,在许多领域得到了广泛应用。氮化硅可以代替氧化硅在晶圆制造中使用,因为它的硬度高,可以在晶圆表面形成非常薄的氮化硅薄膜(在硅片制造中,常用的描述薄膜厚度的单位是埃),厚度大约在几十埃左右,可以保护表面,避免划伤,另外它突出的绝缘强度和抗氧化能力也能很好地达到隔离效果。它的不足之处是流动性不如氧化物,刻蚀困难,采用等离子体刻蚀设备技术可以克服刻蚀困难。         2、等离子体蚀刻原理及应用:         等离子体腐蚀是通过化学或物理作用,或物理与化学的联合作用来实现的。反应室内气体的辉光放电,包括离子、电子和游离基等活性物质的等离子体,通过扩散作用在介质表面吸附,并与其表面原子进行化学反应,形成挥发性物质。在一定压力下,高能量离子还对介质表面进行物理轰击和腐蚀,以去除再沉积反应产物和聚合物。利用物理化学和物理化学的联合作用,完成对介质层的蚀刻。         等离子体蚀刻原理:         蚀刻是晶圆制造工艺中的一个重要环节,也是微电子IC制造工艺和微纳制造工艺中一个十分重要的环节,它通常在光刻胶涂覆和光刻显影后,以光刻胶为掩膜,通过物理溅射和化学作用将不需要的金属除去,从而形成与光刻胶图形相同的线形。等离子体刻蚀设备是目前主流的干式刻蚀方式,由于其刻蚀速度快,定向性好,已逐步取代湿式刻蚀。         3、影响氮化硅侧壁蚀刻倾角的参数:         在半导体集成电路中,真空等离子体刻蚀设备的刻蚀工艺既能刻蚀表面层的光刻胶,又能刻蚀底层的氮化硅层,同时还要防止对硅衬底有刻蚀损伤,以达到多项工艺要求。通过几次试验测试,发现真空等离子体刻蚀设备的某些参数的改变,不仅能达到上述刻蚀要求,而且能形成一定的氮化硅层,即侧壁刻斜。

等离子体刻蚀设备的刻蚀工艺改变氮化硅层的形态原理

【概要描述】        等离子体刻蚀设备可实现表面清洗、表面活化、表面蚀刻和表面镀层等功能,根据需要处理的材料不同,可达到不同的处理效果。半导体工业中使用的等离子体刻蚀设备主要有等离子蚀刻、显影、去胶、封装等。在半导体集成电路中,真空等离子体清洗机的刻蚀工艺,既能刻蚀表面层的光刻胶,又能刻蚀底层的氮化硅层,通过调整部分参数,就可以形成一定的氮化硅层形貌,即侧壁的蚀刻倾斜度。


        1、氮化硅材的特性:
        氮化硅酸盐是一种新型的炙手可热的材料,它具有密度小、硬度大、高弹性模量和热稳定性好等优点,在许多领域得到了广泛应用。氮化硅可以代替氧化硅在晶圆制造中使用,因为它的硬度高,可以在晶圆表面形成非常薄的氮化硅薄膜(在硅片制造中,常用的描述薄膜厚度的单位是埃),厚度大约在几十埃左右,可以保护表面,避免划伤,另外它突出的绝缘强度和抗氧化能力也能很好地达到隔离效果。它的不足之处是流动性不如氧化物,刻蚀困难,采用等离子体刻蚀设备技术可以克服刻蚀困难。
        2、等离子体蚀刻原理及应用:
        等离子体腐蚀是通过化学或物理作用,或物理与化学的联合作用来实现的。反应室内气体的辉光放电,包括离子、电子和游离基等活性物质的等离子体,通过扩散作用在介质表面吸附,并与其表面原子进行化学反应,形成挥发性物质。在一定压力下,高能量离子还对介质表面进行物理轰击和腐蚀,以去除再沉积反应产物和聚合物。利用物理化学和物理化学的联合作用,完成对介质层的蚀刻。
        等离子体蚀刻原理:
        蚀刻是晶圆制造工艺中的一个重要环节,也是微电子IC制造工艺和微纳制造工艺中一个十分重要的环节,它通常在光刻胶涂覆和光刻显影后,以光刻胶为掩膜,通过物理溅射和化学作用将不需要的金属除去,从而形成与光刻胶图形相同的线形。等离子体刻蚀设备是目前主流的干式刻蚀方式,由于其刻蚀速度快,定向性好,已逐步取代湿式刻蚀。
        3、影响氮化硅侧壁蚀刻倾角的参数:
        在半导体集成电路中,真空等离子体刻蚀设备的刻蚀工艺既能刻蚀表面层的光刻胶,又能刻蚀底层的氮化硅层,同时还要防止对硅衬底有刻蚀损伤,以达到多项工艺要求。通过几次试验测试,发现真空等离子体刻蚀设备的某些参数的改变,不仅能达到上述刻蚀要求,而且能形成一定的氮化硅层,即侧壁刻斜。

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  • 发布时间:2021-04-07 09:31
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等离子体刻蚀设备的刻蚀工艺改变氮化硅层的形态原理:
        等离子体刻蚀设备可实现表面清洗、表面活化、表面蚀刻和表面镀层等功能,根据需要处理的材料不同,可达到不同的处理效果。半导体工业中使用的等离子体刻蚀设备主要有等离子蚀刻、显影、去胶、封装等。在半导体集成电路中,真空等离子体清洗机的刻蚀工艺,既能刻蚀表面层的光刻胶,又能刻蚀底层的氮化硅层,通过调整部分参数,就可以形成一定的氮化硅层形貌,即侧壁的蚀刻倾斜度。

诚峰智造等离子体蚀刻设备
        1、氮化硅材的特性:
        氮化硅酸盐是一种新型的炙手可热的材料,它具有密度小、硬度大、高弹性模量和热稳定性好等优点,在许多领域得到了广泛应用。氮化硅可以代替氧化硅在晶圆制造中使用,因为它的硬度高,可以在晶圆表面形成非常薄的氮化硅薄膜(在硅片制造中,常用的描述薄膜厚度的单位是埃),厚度大约在几十埃左右,可以保护表面,避免划伤,另外它突出的绝缘强度和抗氧化能力也能很好地达到隔离效果。它的不足之处是流动性不如氧化物,刻蚀困难,采用等离子体刻蚀设备技术可以克服刻蚀困难。
        2、等离子体蚀刻原理及应用:
        等离子体腐蚀是通过化学或物理作用,或物理与化学的联合作用来实现的。反应室内气体的辉光放电,包括离子、电子和游离基等活性物质的等离子体,通过扩散作用在介质表面吸附,并与其表面原子进行化学反应,形成挥发性物质。在一定压力下,高能量离子还对介质表面进行物理轰击和腐蚀,以去除再沉积反应产物和聚合物。利用物理化学和物理化学的联合作用,完成对介质层的蚀刻。
        等离子体蚀刻原理:
        蚀刻是晶圆制造工艺中的一个重要环节,也是微电子IC制造工艺和微纳制造工艺中一个十分重要的环节,它通常在光刻胶涂覆和光刻显影后,以光刻胶为掩膜,通过物理溅射和化学作用将不需要的金属除去,从而形成与光刻胶图形相同的线形。等离子体刻蚀设备是目前主流的干式刻蚀方式,由于其刻蚀速度快,定向性好,已逐步取代湿式刻蚀。
        3、影响氮化硅侧壁蚀刻倾角的参数:
        在半导体集成电路中,真空等离子体刻蚀设备的刻蚀工艺既能刻蚀表面层的光刻胶,又能刻蚀底层的氮化硅层,同时还要防止对硅衬底有刻蚀损伤,以达到多项工艺要求。通过几次试验测试,发现真空等离子体刻蚀设备的某些参数的改变,不仅能达到上述刻蚀要求,而且能形成一定的氮化硅层,即侧壁刻斜。

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