诚峰智造表面等离子处理设备为您晶圆硅片光刻胶去除实例

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• 作者：等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
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• 发布时间：2021-04-01
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【概要描述】        表面等离子处理设备等离子体去胶法，其原理是以干等离子去胶法为主要的蚀刻性气体。该装置利用高频和高压的能量，在真空等离子体去胶反应室内电离生成氧离子和游离氧原子。         氧分子和电子等混合的等离子体，其中游离态氧原子具有较强的氧化能力(约10-20%)，在高频电压下与晶圆光刻胶膜发生反应：O2→O*+O*,CxHy+O*→CO2↑+H2O↑。合成的CO2和H2O，反应后，立即被抽出。表面等离子处理设备等离子体去胶的优点是去胶操作简单，去胶效率高，表面清洁光洁，无划痕，成本低，环保。         诚峰智造表面等离子处理设备等离子体去胶采用性能优良的部件和软件，可以轻易控制工艺参数，其过程监测和数据采集软件可以实现严格的质量控制，此技术已获得成功。适用于功率晶体管，模拟器件，传感器，光学器件，光电器件，电子器件，MOEMS，生物器件，LED等领域。                                                       未处理前                                                       处理后         上述发现，硅片在未经处理之前，表面残留了大量的光刻胶，经诚峰智造表面等离子处理设备等离子去胶处理后，表面光刻胶全部去除，效果很好。