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IP胶经等离子清洗机处理后其对DIW的接触角均有极为显著的降低

  • 分类:技术支持
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2021-03-29
  • 访问量:

【概要描述】        IP胶是一种广泛使用在0.25μm光掩模设计规则及以下的工艺中的一种光刻胶,其中的IP3600就是一种常用于0.25DR的Hline光掩模的光刻胶。甚至在130nm工艺的相移掩模技术的二次掩模加工中,也会依然用到IP胶。         IP胶是一种基于酚醛树脂的光刻胶 ,它与poly型胶的主要不同在于其胶体表面有明显的抗分解现象,即亲水性较差。对于IP胶而言,其较差的亲水性在显影时会使显影液难以均匀地作用于胶表面,从而形成缺陷或造成显影不完全。所以,在IP胶显影中,其中一个工艺难点就是如何提高显影前IP胶的亲水性。         等离子清洗机作为一种常用于半导体制造和封装领域的一种预清洗方法,等离子体预处理(轰击)能物理去除硅片或芯片表面的一些污染(如自然氧化层、灰粒、有机污染物等)。利用等离子体表面预处理的方法作用于IP胶表面,以提高胶表面的粗糙度,从而提高去离子水润湿胶表面时的均匀度,避免由于IP胶亲水性问题带来的显影缺陷。         在等离子清洗机表面处理时,由于等离子体的轰击会造成IP胶厚度的损失。为了便于后续显影时间和显影均匀性的控制,必须考虑到这种由于等离子体轰击所造成的IP胶厚度损失。         掩模版在等离子清洗机表面处理后,由于等离子体轰击的损失,其IP胶厚度从处理前的564.4nm ,降至处理后的561.2nm,厚度损失量约3.2nm,远在IP胶显影前厚度可控制偏差之内(565 +10)nm.这说明尽管表面轰击效应会造成IP胶厚度的一定损失,但由于进行处理的等离子体能量较低, 且时间较短 ,所造成的厚度损失较小。从整体来看,这种等离子体表面处理对IP胶的厚度不会产生明显的影响。         IP胶经等离子清洗机处理后,其对DIW的接触角均有极为显著的降低即静态接触角从未处理的77°降至45°,前进接触角从未处理的88°降至51°,同样还使后退接触角从未处理的33°降到10°以下。这说明,由于等离子体对IP胶表面的轰击,增加了其表面的微粗糙度,进而增加了IP胶对水的吸附和浸润能力,改善了IP 胶表面的亲水性。         在显影前的水冲洗步骤中,可在经等离子体处理的掩模版上明显地看到其表面水珠变小,且密集均匀地分布在胶表面的现象,这也说明其亲水性和显影均匀性均得到了显著的改善。

IP胶经等离子清洗机处理后其对DIW的接触角均有极为显著的降低

【概要描述】        IP胶是一种广泛使用在0.25μm光掩模设计规则及以下的工艺中的一种光刻胶,其中的IP3600就是一种常用于0.25DR的Hline光掩模的光刻胶。甚至在130nm工艺的相移掩模技术的二次掩模加工中,也会依然用到IP胶。


        IP胶是一种基于酚醛树脂的光刻胶 ,它与poly型胶的主要不同在于其胶体表面有明显的抗分解现象,即亲水性较差。对于IP胶而言,其较差的亲水性在显影时会使显影液难以均匀地作用于胶表面,从而形成缺陷或造成显影不完全。所以,在IP胶显影中,其中一个工艺难点就是如何提高显影前IP胶的亲水性。
        等离子清洗机作为一种常用于半导体制造和封装领域的一种预清洗方法,等离子体预处理(轰击)能物理去除硅片或芯片表面的一些污染(如自然氧化层、灰粒、有机污染物等)。利用等离子体表面预处理的方法作用于IP胶表面,以提高胶表面的粗糙度,从而提高去离子水润湿胶表面时的均匀度,避免由于IP胶亲水性问题带来的显影缺陷。
        在等离子清洗机表面处理时,由于等离子体的轰击会造成IP胶厚度的损失。为了便于后续显影时间和显影均匀性的控制,必须考虑到这种由于等离子体轰击所造成的IP胶厚度损失。
        掩模版在等离子清洗机表面处理后,由于等离子体轰击的损失,其IP胶厚度从处理前的564.4nm ,降至处理后的561.2nm,厚度损失量约3.2nm,远在IP胶显影前厚度可控制偏差之内(565 +10)nm.这说明尽管表面轰击效应会造成IP胶厚度的一定损失,但由于进行处理的等离子体能量较低, 且时间较短 ,所造成的厚度损失较小。从整体来看,这种等离子体表面处理对IP胶的厚度不会产生明显的影响。
        IP胶经等离子清洗机处理后,其对DIW的接触角均有极为显著的降低即静态接触角从未处理的77°降至45°,前进接触角从未处理的88°降至51°,同样还使后退接触角从未处理的33°降到10°以下。这说明,由于等离子体对IP胶表面的轰击,增加了其表面的微粗糙度,进而增加了IP胶对水的吸附和浸润能力,改善了IP 胶表面的亲水性。
        在显影前的水冲洗步骤中,可在经等离子体处理的掩模版上明显地看到其表面水珠变小,且密集均匀地分布在胶表面的现象,这也说明其亲水性和显影均匀性均得到了显著的改善。

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  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
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  • 发布时间:2021-03-29 10:35
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IP胶经等离子清洗机处理后其对DIW的接触角均有极为显著的降低:
        IP胶是一种广泛使用在0.25μm光掩模设计规则及以下的工艺中的一种光刻胶,其中的IP3600就是一种常用于0.25DR的Hline光掩模的光刻胶。甚至在130nm工艺的相移掩模技术的二次掩模加工中,也会依然用到IP胶。

诚峰智造等离子清洗机
        IP胶是一种基于酚醛树脂的光刻胶 ,它与poly型胶的主要不同在于其胶体表面有明显的抗分解现象,即亲水性较差。对于IP胶而言,其较差的亲水性在显影时会使显影液难以均匀地作用于胶表面,从而形成缺陷或造成显影不完全。所以,在IP胶显影中,其中一个工艺难点就是如何提高显影前IP胶的亲水性。
        等离子清洗机作为一种常用于半导体制造和封装领域的一种预清洗方法,等离子体预处理(轰击)能物理去除硅片或芯片表面的一些污染(如自然氧化层、灰粒、有机污染物等)。利用等离子体表面预处理的方法作用于IP胶表面,以提高胶表面的粗糙度,从而提高去离子水润湿胶表面时的均匀度,避免由于IP胶亲水性问题带来的显影缺陷。
        在等离子清洗机表面处理时,由于等离子体的轰击会造成IP胶厚度的损失。为了便于后续显影时间和显影均匀性的控制,必须考虑到这种由于等离子体轰击所造成的IP胶厚度损失。
        掩模版在等离子清洗机表面处理后,由于等离子体轰击的损失,其IP胶厚度从处理前的564.4nm ,降至处理后的561.2nm,厚度损失量约3.2nm,远在IP胶显影前厚度可控制偏差之内(565 +10)nm.这说明尽管表面轰击效应会造成IP胶厚度的一定损失,但由于进行处理的等离子体能量较低, 且时间较短 ,所造成的厚度损失较小。从整体来看,这种等离子体表面处理对IP胶的厚度不会产生明显的影响。
        IP胶经等离子清洗机处理后,其对DIW的接触角均有极为显著的降低即静态接触角从未处理的77°降至45°,前进接触角从未处理的88°降至51°,同样还使后退接触角从未处理的33°降到10°以下。这说明,由于等离子体对IP胶表面的轰击,增加了其表面的微粗糙度,进而增加了IP胶对水的吸附和浸润能力,改善了IP 胶表面的亲水性。
        在显影前的水冲洗步骤中,可在经等离子体处理的掩模版上明显地看到其表面水珠变小,且密集均匀地分布在胶表面的现象,这也说明其亲水性和显影均匀性均得到了显著的改善。

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