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在线式等离子清洗机等离子体处理硅油光致发光性能影响

  • 分类:技术支持
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2021-03-16
  • 访问量:

【概要描述】        显示和发光技术的发展使得应用于光源的白光发射材料得到高度关注。近年来,人们发现非晶Si:C:0:H材料的光致发光PL)可以覆盖350~800nm的光谱范围,因此它成为希望极大的白光发射候选材料。         为了获得可能应用的白光发射材料,人们探索了多种非晶Si:C:0:H材料的光致发光性能,如反应直流磁控溅射制备的非晶Si:C:O:H薄膜、热蒸发沉积和融化一涂覆技术制备的非晶SiC,0, 薄膜、反应直流磁控溅射和等离子体增强的化学气相沉积制备的氢化非晶碳化硅6-SiC:H)薄膜,以及在线式等离子清洗机等离子体增强的化学气相沉积制备的掺硅类金刚石碳膜。         在制备这些薄膜时,通常需要采用较高的沉积温度或较高的后处理温度,如热蒸发沉积a-SiC,O,薄膜的沉积温度高达800℃,融化-涂覆技术制备a-SiC,O,薄膜的烧结温度更是高达1300℃。         当将发光材料应用于光电集成技术时,如此高的温度可能导致其他材料和器件的损伤,因此发展低温下制备非晶Si:C:0:H光发射材料的方法就变得非常重要。硅油是一种含Si、C、0、H组分的高分子材料。由于其稳定的化学性能,硅油常常作为发光材料的封装材料而在发光器件中得到应用。         近年来对非晶Si:C:O:H光发射材料的研究表明材料的光致发光性能与薄膜中的键结构、缺陷、纳米颗粒和团簇有关。硅油的键结构可以直接用在线式等离子清洗机Ar等离子体处理而改变,因此,可以采用在线式等离子清洗机设备处理硅油来改变硅油结构或制备非晶Si:C:O:H薄膜,获得具有光致发光特性的改性硅油或非晶Si:C:O:H薄膜。         在线式等离子清洗机等离子体中,放电产生处理硅油所需的活性基团,而可以控制轰击硅油的离子能量,可以将等离子体反应与离子轰击效应相结合,从而改变硅油的结构,获得具有光致发光特性的改性硅油或非晶Si:C:O:H薄膜。

在线式等离子清洗机等离子体处理硅油光致发光性能影响

【概要描述】        显示和发光技术的发展使得应用于光源的白光发射材料得到高度关注。近年来,人们发现非晶Si:C:0:H材料的光致发光PL)可以覆盖350~800nm的光谱范围,因此它成为希望极大的白光发射候选材料。


        为了获得可能应用的白光发射材料,人们探索了多种非晶Si:C:0:H材料的光致发光性能,如反应直流磁控溅射制备的非晶Si:C:O:H薄膜、热蒸发沉积和融化一涂覆技术制备的非晶SiC,0, 薄膜、反应直流磁控溅射和等离子体增强的化学气相沉积制备的氢化非晶碳化硅6-SiC:H)薄膜,以及在线式等离子清洗机等离子体增强的化学气相沉积制备的掺硅类金刚石碳膜。
        在制备这些薄膜时,通常需要采用较高的沉积温度或较高的后处理温度,如热蒸发沉积a-SiC,O,薄膜的沉积温度高达800℃,融化-涂覆技术制备a-SiC,O,薄膜的烧结温度更是高达1300℃。
        当将发光材料应用于光电集成技术时,如此高的温度可能导致其他材料和器件的损伤,因此发展低温下制备非晶Si:C:0:H光发射材料的方法就变得非常重要。硅油是一种含Si、C、0、H组分的高分子材料。由于其稳定的化学性能,硅油常常作为发光材料的封装材料而在发光器件中得到应用。
        近年来对非晶Si:C:O:H光发射材料的研究表明材料的光致发光性能与薄膜中的键结构、缺陷、纳米颗粒和团簇有关。硅油的键结构可以直接用在线式等离子清洗机Ar等离子体处理而改变,因此,可以采用在线式等离子清洗机设备处理硅油来改变硅油结构或制备非晶Si:C:O:H薄膜,获得具有光致发光特性的改性硅油或非晶Si:C:O:H薄膜。
        在线式等离子清洗机等离子体中,放电产生处理硅油所需的活性基团,而可以控制轰击硅油的离子能量,可以将等离子体反应与离子轰击效应相结合,从而改变硅油的结构,获得具有光致发光特性的改性硅油或非晶Si:C:O:H薄膜。

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  • 发布时间:2021-03-16 10:38
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在线式等离子清洗机等离子体处理硅油光致发光性能影响:
        显示和发光技术的发展使得应用于光源的白光发射材料得到高度关注。近年来,人们发现非晶Si:C:0:H材料的光致发光PL)可以覆盖350~800nm的光谱范围,因此它成为希望极大的白光发射候选材料。

诚峰智造在线式等离子清洗机
        为了获得可能应用的白光发射材料,人们探索了多种非晶Si:C:0:H材料的光致发光性能,如反应直流磁控溅射制备的非晶Si:C:O:H薄膜、热蒸发沉积和融化一涂覆技术制备的非晶SiC,0, 薄膜、反应直流磁控溅射和等离子体增强的化学气相沉积制备的氢化非晶碳化硅6-SiC:H)薄膜,以及在线式等离子清洗机等离子体增强的化学气相沉积制备的掺硅类金刚石碳膜。
        在制备这些薄膜时,通常需要采用较高的沉积温度或较高的后处理温度,如热蒸发沉积a-SiC,O,薄膜的沉积温度高达800℃,融化-涂覆技术制备a-SiC,O,薄膜的烧结温度更是高达1300℃。
        当将发光材料应用于光电集成技术时,如此高的温度可能导致其他材料和器件的损伤,因此发展低温下制备非晶Si:C:0:H光发射材料的方法就变得非常重要。硅油是一种含Si、C、0、H组分的高分子材料。由于其稳定的化学性能,硅油常常作为发光材料的封装材料而在发光器件中得到应用。
        近年来对非晶Si:C:O:H光发射材料的研究表明材料的光致发光性能与薄膜中的键结构、缺陷、纳米颗粒和团簇有关。硅油的键结构可以直接用在线式等离子清洗机Ar等离子体处理而改变,因此,可以采用在线式等离子清洗机设备处理硅油来改变硅油结构或制备非晶Si:C:O:H薄膜,获得具有光致发光特性的改性硅油或非晶Si:C:O:H薄膜。
        在线式等离子清洗机等离子体中,放电产生处理硅油所需的活性基团,而可以控制轰击硅油的离子能量,可以将等离子体反应与离子轰击效应相结合,从而改变硅油的结构,获得具有光致发光特性的改性硅油或非晶Si:C:O:H薄膜。

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