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等离子体表面处理去除光刻胶的工艺及设备

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2021-02-26
  • 访问量:

【概要描述】        等离子体表面处理是一种新型的干式清洗方法,本文主要介绍了等离子体表面处理技术和相应的设备用于去除晶片表面光刻胶。         除胶是晶圆制造过程中的一个环节,除胶是否彻底、除胶是否对表面有损伤等因素,都会影响后续工艺的进行,任何一种微小缺陷都可能导致晶圆的全部报废。脱除光刻胶传统上选用湿化学方法,但随着技术进步,这种方法的缺点日益显现,如反应控制不好,清洗不彻底,易引入杂质等。采用干法对晶圆级封装等离子体表面处理可控性强,一致性好,不但能完全去除光刻胶和其它有机物质,而且能激活、粗化晶圆表面,提高晶圆表面的浸润性。         等离子体表面处理的工作原理:真空状态下,压强变小,分子间距离变大,分子间力变小,利用高频源产生的高压交变电场,将氧气、氩气、氢气、四氟化碳等过程气体冲击成高反应活性或高能等离子体,然后与有机污染物和微粒污染物反应或碰撞形成挥发性物质,再通过工作气流和真空泵将挥发性物质清除,从而实现等离子体表面的清洁和活化。         诚峰智造专注等离子技术研发制造,如果您对设备想要有更详细的了解或对设备使用有疑问,请点击诚峰智造在线客服,诚峰智造恭候您的来电!

等离子体表面处理去除光刻胶的工艺及设备

【概要描述】        等离子体表面处理是一种新型的干式清洗方法,本文主要介绍了等离子体表面处理技术和相应的设备用于去除晶片表面光刻胶。


        除胶是晶圆制造过程中的一个环节,除胶是否彻底、除胶是否对表面有损伤等因素,都会影响后续工艺的进行,任何一种微小缺陷都可能导致晶圆的全部报废。脱除光刻胶传统上选用湿化学方法,但随着技术进步,这种方法的缺点日益显现,如反应控制不好,清洗不彻底,易引入杂质等。采用干法对晶圆级封装等离子体表面处理可控性强,一致性好,不但能完全去除光刻胶和其它有机物质,而且能激活、粗化晶圆表面,提高晶圆表面的浸润性。
        等离子体表面处理的工作原理:真空状态下,压强变小,分子间距离变大,分子间力变小,利用高频源产生的高压交变电场,将氧气、氩气、氢气、四氟化碳等过程气体冲击成高反应活性或高能等离子体,然后与有机污染物和微粒污染物反应或碰撞形成挥发性物质,再通过工作气流和真空泵将挥发性物质清除,从而实现等离子体表面的清洁和活化。
        诚峰智造专注等离子技术研发制造,如果您对设备想要有更详细的了解或对设备使用有疑问,请点击诚峰智造在线客服,诚峰智造恭候您的来电!

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  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
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  • 发布时间:2021-02-26 09:01
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等离子体表面处理去除光刻胶的工艺及设备:
        等离子体表面处理是一种新型的干式清洗方法,本文主要介绍了等离子体表面处理技术和相应的设备用于去除晶片表面光刻胶。

诚峰智造等离子体表面处理
        除胶是晶圆制造过程中的一个环节,除胶是否彻底、除胶是否对表面有损伤等因素,都会影响后续工艺的进行,任何一种微小缺陷都可能导致晶圆的全部报废。脱除光刻胶传统上选用湿化学方法,但随着技术进步,这种方法的缺点日益显现,如反应控制不好,清洗不彻底,易引入杂质等。采用干法对晶圆级封装等离子体表面处理可控性强,一致性好,不但能完全去除光刻胶和其它有机物质,而且能激活、粗化晶圆表面,提高晶圆表面的浸润性。
        等离子体表面处理的工作原理:真空状态下,压强变小,分子间距离变大,分子间力变小,利用高频源产生的高压交变电场,将氧气、氩气、氢气、四氟化碳等过程气体冲击成高反应活性或高能等离子体,然后与有机污染物和微粒污染物反应或碰撞形成挥发性物质,再通过工作气流和真空泵将挥发性物质清除,从而实现等离子体表面的清洁和活化。
        诚峰智造专注等离子技术研发制造,如果您对设备想要有更详细的了解或对设备使用有疑问,请点击诚峰智造在线客服,诚峰智造恭候您的来电!

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