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等离子处理机氧气等离子处理对MIM结构ZrAlO薄膜电容性能的影响

  • 分类:技术支持
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2021-02-24
  • 访问量:

【概要描述】        近十年来,高k介质薄膜在各类电介质应用领域的研究已取得了长足进步,高k薄膜的各方面性能也在不断突破。对高k薄膜的工艺研究也逐步从沉积时优化向兼具沉积后处理的工艺方向拓展。         高k薄膜沉积后处理工艺中,除了传统的热处理方式,等离子处理机等离子处理等具有低温特征的工艺正得到越来越广泛的重视。等离子功率提高是薄膜漏电流降低的因素之一,另一个需要关注的因素是氧气流量。薄膜的沉积后处理效果关键在于有效的氧离子流数量。增大等离子处理时的氧气流量可以增加薄膜中的氧离子供应,而等离子处理机等离子功率的增大则有助于提高氧气流的离化效率,进一步提高等离子处理的效果。         在相同的氧气流量下,等离子优化后的漏电流低于热处理后的情况,也低于氧气流量更高的未处理薄膜。这一结果表明,等离子处理机等离子处理是很好的的薄膜性能优化工艺。在等离子体的作用下,氧分子的离化作用得到显著增强,相较于单纯的热处理工艺更能有效地修复薄膜中的氧空位缺陷。         原位溅射中的等离子气氛也起到了类似的作用,使得仅增加沉积时氧气流量而未经沉积后处理的薄膜漏电流甚至还低于热处理后的薄膜。氧气等离子处理方法显著提高了ZrAlO薄膜电容的电学性能,同增加沉积时氧气流量和沉积后热处理等工艺相比,等离子处理机等离子处理在优化薄膜性能方面具有更高的效率。         在一定条件下,采用氧等离子处理方法,能得到离化较为充分的氧离子流,可以实现对ZrAlO薄膜的优化沉积后处理,并能同时避免高功率条件下薄膜缺陷问题的加剧。实现了二次非线性电压特性参数降低60%以上,漏电流降低三个数量级以上,进而实现薄膜电容电学性能的有效改善。

等离子处理机氧气等离子处理对MIM结构ZrAlO薄膜电容性能的影响

【概要描述】        近十年来,高k介质薄膜在各类电介质应用领域的研究已取得了长足进步,高k薄膜的各方面性能也在不断突破。对高k薄膜的工艺研究也逐步从沉积时优化向兼具沉积后处理的工艺方向拓展。


        高k薄膜沉积后处理工艺中,除了传统的热处理方式,等离子处理机等离子处理等具有低温特征的工艺正得到越来越广泛的重视。等离子功率提高是薄膜漏电流降低的因素之一,另一个需要关注的因素是氧气流量。薄膜的沉积后处理效果关键在于有效的氧离子流数量。增大等离子处理时的氧气流量可以增加薄膜中的氧离子供应,而等离子处理机等离子功率的增大则有助于提高氧气流的离化效率,进一步提高等离子处理的效果。
        在相同的氧气流量下,等离子优化后的漏电流低于热处理后的情况,也低于氧气流量更高的未处理薄膜。这一结果表明,等离子处理机等离子处理是很好的的薄膜性能优化工艺。在等离子体的作用下,氧分子的离化作用得到显著增强,相较于单纯的热处理工艺更能有效地修复薄膜中的氧空位缺陷。
        原位溅射中的等离子气氛也起到了类似的作用,使得仅增加沉积时氧气流量而未经沉积后处理的薄膜漏电流甚至还低于热处理后的薄膜。氧气等离子处理方法显著提高了ZrAlO薄膜电容的电学性能,同增加沉积时氧气流量和沉积后热处理等工艺相比,等离子处理机等离子处理在优化薄膜性能方面具有更高的效率。
        在一定条件下,采用氧等离子处理方法,能得到离化较为充分的氧离子流,可以实现对ZrAlO薄膜的优化沉积后处理,并能同时避免高功率条件下薄膜缺陷问题的加剧。实现了二次非线性电压特性参数降低60%以上,漏电流降低三个数量级以上,进而实现薄膜电容电学性能的有效改善。

  • 分类:技术支持
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
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  • 发布时间:2021-02-24 10:12
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等离子处理机氧气等离子处理对MIM结构ZrAlO薄膜电容性能的影响:
        近十年来,高k介质薄膜在各类电介质应用领域的研究已取得了长足进步,高k薄膜的各方面性能也在不断突破。对高k薄膜的工艺研究也逐步从沉积时优化向兼具沉积后处理的工艺方向拓展。

诚峰智造等离子处理机
        高k薄膜沉积后处理工艺中,除了传统的热处理方式,等离子处理机等离子处理等具有低温特征的工艺正得到越来越广泛的重视。等离子功率提高是薄膜漏电流降低的因素之一,另一个需要关注的因素是氧气流量。薄膜的沉积后处理效果关键在于有效的氧离子流数量。增大等离子处理时的氧气流量可以增加薄膜中的氧离子供应,而等离子处理机等离子功率的增大则有助于提高氧气流的离化效率,进一步提高等离子处理的效果。
        在相同的氧气流量下,等离子优化后的漏电流低于热处理后的情况,也低于氧气流量更高的未处理薄膜。这一结果表明,等离子处理机等离子处理是很好的的薄膜性能优化工艺。在等离子体的作用下,氧分子的离化作用得到显著增强,相较于单纯的热处理工艺更能有效地修复薄膜中的氧空位缺陷。
        原位溅射中的等离子气氛也起到了类似的作用,使得仅增加沉积时氧气流量而未经沉积后处理的薄膜漏电流甚至还低于热处理后的薄膜。氧气等离子处理方法显著提高了ZrAlO薄膜电容的电学性能,同增加沉积时氧气流量和沉积后热处理等工艺相比,等离子处理机等离子处理在优化薄膜性能方面具有更高的效率。
        在一定条件下,采用氧等离子处理方法,能得到离化较为充分的氧离子流,可以实现对ZrAlO薄膜的优化沉积后处理,并能同时避免高功率条件下薄膜缺陷问题的加剧。实现了二次非线性电压特性参数降低60%以上,漏电流降低三个数量级以上,进而实现薄膜电容电学性能的有效改善。

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