深圳市诚峰智造有限公司,欢迎您!

电话:13632675935/0755-3367 3020

img
搜索
确认
取消
新闻中心

新闻中心

专业致力于提供电子行业的制造设备及工艺流程解决方案的plasma等离子体高新技术企业
新闻中心

氧等离子体表面处理仪处理二氧化硅薄膜材料的工艺是怎样的

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2021-02-20
  • 访问量:

【概要描述】        利用氧等离子体表面处理仪等离子体工艺对物料进行辅助处理,其中气相和固相表面的化学反应起着关键作用。当蚀刻二氧化硅薄膜时,氧等离子体表面处理仪也能工作,等离子体表面处理设备中典型反应器的工作过程。输入气体是四氟化碳和氧的混和物,等离子体是由无线电频率或电场激发的。         在电子碰撞电离过程中会产生各种离子,如CF3+、CF2+、O2+、O-和F-等;在电子碰撞分解过程中会产生自由基,如CF3、CF2、O和F等。氧等离子体表面处理仪通过气相中和二氧化硅表面的化学反应,可以生成CO、CO2、SiF2、SiF4等其它分子。颗粒的浓度和能量分布对等离子清洗机的刻蚀率、各向异性指数和选择性等性能指标有较大影响。         这些氧等离子体表面处理仪粒子的浓度由一些普通的物理化学过程决定。这包括电子-离子对的产生;自由基的产生;负离子的产生;气相化学反应;离子在表面的迁移;自由基在表面的迁移;表面相反应。这是一个完整的氧等离子体表面处理仪反应过程,用公式表示如下。         e+AB →AB+ +2e         e+AB →e+A+B         e+AB→A- +B         e+A+B→C+D         Fi=-Da▽ni         FA=-Da▽nA         A(g)+B(s) →C(g)

氧等离子体表面处理仪处理二氧化硅薄膜材料的工艺是怎样的

【概要描述】        利用氧等离子体表面处理仪等离子体工艺对物料进行辅助处理,其中气相和固相表面的化学反应起着关键作用。当蚀刻二氧化硅薄膜时,氧等离子体表面处理仪也能工作,等离子体表面处理设备中典型反应器的工作过程。输入气体是四氟化碳和氧的混和物,等离子体是由无线电频率或电场激发的。


        在电子碰撞电离过程中会产生各种离子,如CF3+、CF2+、O2+、O-和F-等;在电子碰撞分解过程中会产生自由基,如CF3、CF2、O和F等。氧等离子体表面处理仪通过气相中和二氧化硅表面的化学反应,可以生成CO、CO2、SiF2、SiF4等其它分子。颗粒的浓度和能量分布对等离子清洗机的刻蚀率、各向异性指数和选择性等性能指标有较大影响。
        这些氧等离子体表面处理仪粒子的浓度由一些普通的物理化学过程决定。这包括电子-离子对的产生;自由基的产生;负离子的产生;气相化学反应;离子在表面的迁移;自由基在表面的迁移;表面相反应。这是一个完整的氧等离子体表面处理仪反应过程,用公式表示如下。
        e+AB →AB+ +2e
        e+AB →e+A+B
        e+AB→A- +B
        e+A+B→C+D
        Fi=-Da▽ni
        FA=-Da▽nA
        A(g)+B(s) →C(g)

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2021-02-20 09:22
  • 访问量:
详情

氧等离子体表面处理仪处理二氧化硅薄膜材料的工艺是怎样的:               
        利用氧等离子体表面处理仪等离子体工艺对物料进行辅助处理,其中气相和固相表面的化学反应起着关键作用。当蚀刻二氧化硅薄膜时,氧等离子体表面处理仪也能工作,等离子体表面处理设备中典型反应器的工作过程。输入气体是四氟化碳和氧的混和物,等离子体是由无线电频率或电场激发的。

氧等离子体表面处理仪处理二氧化硅薄膜
        在电子碰撞电离过程中会产生各种离子,如CF3+、CF2+、O2+、O-和F-等;在电子碰撞分解过程中会产生自由基,如CF3、CF2、O和F等。氧等离子体表面处理仪通过气相中和二氧化硅表面的化学反应,可以生成CO、CO2、SiF2、SiF4等其它分子。颗粒的浓度和能量分布对等离子清洗机的刻蚀率、各向异性指数和选择性等性能指标有较大影响。
        这些氧等离子体表面处理仪粒子的浓度由一些普通的物理化学过程决定。这包括电子-离子对的产生;自由基的产生;负离子的产生;气相化学反应;离子在表面的迁移;自由基在表面的迁移;表面相反应。这是一个完整的氧等离子体表面处理仪反应过程,用公式表示如下。
        e+AB →AB+ +2e
        e+AB →e+A+B
        e+AB→A- +B
        e+A+B→C+D
        Fi=-Da▽ni
        FA=-Da▽nA
        A(g)+B(s) →C(g)

扫二维码用手机看

相关资讯

深圳市诚峰智造有限公司

坚持以品质为立足之本,诚信为经营之道,以创新为发展之源,以服务为价值之巅

©深圳市诚峰智造有限公司版权所有 粤ICP备19006998号
dh

电话:0755-3367 3020 /0755-3367 3019

dh

邮箱:sales-sfi@sfi-crf.com

dh

地址:深圳市宝安区黄埔孖宝工业区