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等离子表面处理机厂家:石墨烯蚀刻原理经验分析

  • 分类:技术支持
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2021-01-14
  • 访问量:

【概要描述】       石墨烯线的边界缺陷目前还没有很好的控制方法,这是因为石墨烯的键断裂总是沿着60°或120°的方向,使线的边界很难整齐,这会使石墨烯线在不同区度形成不同的宽度,显然这对芯片级制造极其不利。对蚀刻来讲这需要一步更加猛烈而不会损伤石墨烯细线的终点蚀刻或后处理工艺。        而其他的研究表明氧气的等离子体对厚的石墨烯蚀刻更加有效,氧气等离子体对石 墨烯的蚀刻速率很快且对厚度较厚的多层石墨烯更为有效。线和空隙均为20μm的图形 被用来检测蚀刻效果。文中使用的石墨烯是厚50nm生长在二氧化硅上。蚀刻条件为:70sccm的氧气和30sccm的氩气混合气体,偏压为150W,压力为55 mT,所使用的光阻为通过两次旋涂而成的20μm厚的AZ4620获的图形。        该条件对石墨烯的蚀刻速率约为100nm每分钟,而对光阻AZ4620的蚀刻速率为330nm每分钟,这也要求更厚的光阻或使用3层光罩结构,好在该条件对无定型碳的蚀刻速率约为20nm 每分钟,可以用来作为石墨烯蚀刻的阻扞层。        从现有的蚀刻原理及经验分析,氧等离子体中掺人氩等离子体既保证了化学蚀刻的强度也可通过较高的偏压加速,利用较重的氩气等离子体轰击石墨烯,保证对相对较厚的石墨烯薄膜进行物理攻击,达到蚀刻目的,但显然要清除残留物,物理蚀刻作用就不大了,而且会对下层的薄膜产生轰击、损伤。也就是说要用低的偏压的氧等离子去完成过蚀刻,这样既能有效去除残留物也可以很好地保护下层薄膜。这种方案应该比使用主蚀刻程式完成过蚀刻更加有效,且获得的图形效果更好。        以上就是诚峰智造等离子表面处理机厂家石墨烯蚀刻原理经验分析。

等离子表面处理机厂家:石墨烯蚀刻原理经验分析

【概要描述】       石墨烯线的边界缺陷目前还没有很好的控制方法,这是因为石墨烯的键断裂总是沿着60°或120°的方向,使线的边界很难整齐,这会使石墨烯线在不同区度形成不同的宽度,显然这对芯片级制造极其不利。对蚀刻来讲这需要一步更加猛烈而不会损伤石墨烯细线的终点蚀刻或后处理工艺。


       而其他的研究表明氧气的等离子体对厚的石墨烯蚀刻更加有效,氧气等离子体对石 墨烯的蚀刻速率很快且对厚度较厚的多层石墨烯更为有效。线和空隙均为20μm的图形 被用来检测蚀刻效果。文中使用的石墨烯是厚50nm生长在二氧化硅上。蚀刻条件为:70sccm的氧气和30sccm的氩气混合气体,偏压为150W,压力为55 mT,所使用的光阻为通过两次旋涂而成的20μm厚的AZ4620获的图形。
       该条件对石墨烯的蚀刻速率约为100nm每分钟,而对光阻AZ4620的蚀刻速率为330nm每分钟,这也要求更厚的光阻或使用3层光罩结构,好在该条件对无定型碳的蚀刻速率约为20nm 每分钟,可以用来作为石墨烯蚀刻的阻扞层。
       从现有的蚀刻原理及经验分析,氧等离子体中掺人氩等离子体既保证了化学蚀刻的强度也可通过较高的偏压加速,利用较重的氩气等离子体轰击石墨烯,保证对相对较厚的石墨烯薄膜进行物理攻击,达到蚀刻目的,但显然要清除残留物,物理蚀刻作用就不大了,而且会对下层的薄膜产生轰击、损伤。也就是说要用低的偏压的氧等离子去完成过蚀刻,这样既能有效去除残留物也可以很好地保护下层薄膜。这种方案应该比使用主蚀刻程式完成过蚀刻更加有效,且获得的图形效果更好。
       以上就是诚峰智造等离子表面处理机厂家石墨烯蚀刻原理经验分析。

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等离子表面处理机厂家石墨烯蚀刻原理经验分析:
       石墨烯线的边界缺陷目前还没有很好的控制方法,这是因为石墨烯的键断裂总是沿着60°或120°的方向,使线的边界很难整齐,这会使石墨烯线在不同区度形成不同的宽度,显然这对芯片级制造极其不利。对蚀刻来讲这需要一步更加猛烈而不会损伤石墨烯细线的终点蚀刻或后处理工艺。

等离子表面处理机厂家
       而其他的研究表明氧气的等离子体对厚的石墨烯蚀刻更加有效,氧气等离子体对石 墨烯的蚀刻速率很快且对厚度较厚的多层石墨烯更为有效。线和空隙均为20μm的图形 被用来检测蚀刻效果。文中使用的石墨烯是厚50nm生长在二氧化硅上。蚀刻条件为:70sccm的氧气和30sccm的氩气混合气体,偏压为150W,压力为55 mT,所使用的光阻为通过两次旋涂而成的20μm厚的AZ4620获的图形。
       该条件对石墨烯的蚀刻速率约为100nm每分钟,而对光阻AZ4620的蚀刻速率为330nm每分钟,这也要求更厚的光阻或使用3层光罩结构,好在该条件对无定型碳的蚀刻速率约为20nm 每分钟,可以用来作为石墨烯蚀刻的阻扞层。
       从现有的蚀刻原理及经验分析,氧等离子体中掺人氩等离子体既保证了化学蚀刻的强度也可通过较高的偏压加速,利用较重的氩气等离子体轰击石墨烯,保证对相对较厚的石墨烯薄膜进行物理攻击,达到蚀刻目的,但显然要清除残留物,物理蚀刻作用就不大了,而且会对下层的薄膜产生轰击、损伤。也就是说要用低的偏压的氧等离子去完成过蚀刻,这样既能有效去除残留物也可以很好地保护下层薄膜。这种方案应该比使用主蚀刻程式完成过蚀刻更加有效,且获得的图形效果更好。
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