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等离子厂家:锗在集成电路中的潜在应用及其蚀刻方法(下)

  • 分类:技术支持
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2021-01-09
  • 访问量:

【概要描述】       从笔者的认知来看,这里面高活性蚀刻气体的使用似乎更为关键,无论是氯气的增加还是CHF3的使用都会使金属成分的蚀刻加快。而轰击偏压的影响却并非关键,从除了关键尺寸的差异外,高低偏压下的形貌差异并不明显。见进一步加大氯气流量,会使锗的合金侧向蚀刻加快形成底部内收的形貌,这也表明高活性化学蚀刻气体对锗的蚀刻更加有效同时不会损失过多的光阻,以达到保证侧壁轮廓曲线的效果。        另一类是以含氟气体为主的蚀刻,主要蚀刻剂是CF4,产物为GeF4较易挥发。我们可以得到非常平滑的图形形貌。加人氧气可以调节锗对其合金的选择比,高达到434。这很重要,因为锗的多层结构一般都是外延生成,而期间的诱导层和层间结构一般都为锗的合金材料,选择比高的工艺可以更好地对这类多层结构蚀刻进行控制。        我们知道CF4也是一类高活性的化学蚀刻气体。从效果看,在CF4中加人氧气的蚀刻选择比更高,这是因为氧会更容易与下层材料(Sn)反应,形成表面保护膜,阻止蚀刻进一步发生,提高选择比。而似乎利用CF4蚀刻的形貌也更好,但氯气蚀刻的优点是损伤低,对界面层和沟道层有好处。无论是以氯为主还是以氟为主的锗的蚀刻,都是目前常见的工艺,也获得了不错的效果,分别在器件制造中得以应用。另一类并不多见的锗的蚀刻是利用XeF2气体。

等离子厂家:锗在集成电路中的潜在应用及其蚀刻方法(下)

【概要描述】       从笔者的认知来看,这里面高活性蚀刻气体的使用似乎更为关键,无论是氯气的增加还是CHF3的使用都会使金属成分的蚀刻加快。而轰击偏压的影响却并非关键,从除了关键尺寸的差异外,高低偏压下的形貌差异并不明显。见进一步加大氯气流量,会使锗的合金侧向蚀刻加快形成底部内收的形貌,这也表明高活性化学蚀刻气体对锗的蚀刻更加有效同时不会损失过多的光阻,以达到保证侧壁轮廓曲线的效果。


       另一类是以含氟气体为主的蚀刻,主要蚀刻剂是CF4,产物为GeF4较易挥发。我们可以得到非常平滑的图形形貌。加人氧气可以调节锗对其合金的选择比,高达到434。这很重要,因为锗的多层结构一般都是外延生成,而期间的诱导层和层间结构一般都为锗的合金材料,选择比高的工艺可以更好地对这类多层结构蚀刻进行控制。
       我们知道CF4也是一类高活性的化学蚀刻气体。从效果看,在CF4中加人氧气的蚀刻选择比更高,这是因为氧会更容易与下层材料(Sn)反应,形成表面保护膜,阻止蚀刻进一步发生,提高选择比。而似乎利用CF4蚀刻的形貌也更好,但氯气蚀刻的优点是损伤低,对界面层和沟道层有好处。无论是以氯为主还是以氟为主的锗的蚀刻,都是目前常见的工艺,也获得了不错的效果,分别在器件制造中得以应用。另一类并不多见的锗的蚀刻是利用XeF2气体。

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  • 发布时间:2021-01-09 09:20
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等离子厂家介绍锗在集成电路中的潜在应用及其蚀刻方法(下):
       从笔者的认知来看,这里面高活性蚀刻气体的使用似乎更为关键,无论是氯气的增加还是CHF3的使用都会使金属成分的蚀刻加快。而轰击偏压的影响却并非关键,从除了关键尺寸的差异外,高低偏压下的形貌差异并不明显。见进一步加大氯气流量,会使锗的合金侧向蚀刻加快形成底部内收的形貌,这也表明高活性化学蚀刻气体对锗的蚀刻更加有效同时不会损失过多的光阻,以达到保证侧壁轮廓曲线的效果。

等离子厂家
       另一类是以含氟气体为主的蚀刻,主要蚀刻剂是CF4,产物为GeF4较易挥发。我们可以得到非常平滑的图形形貌。加人氧气可以调节锗对其合金的选择比,高达到434。这很重要,因为锗的多层结构一般都是外延生成,而期间的诱导层和层间结构一般都为锗的合金材料,选择比高的工艺可以更好地对这类多层结构蚀刻进行控制。
       我们知道CF4也是一类高活性的化学蚀刻气体。从效果看,在CF4中加人氧气的蚀刻选择比更高,这是因为氧会更容易与下层材料(Sn)反应,形成表面保护膜,阻止蚀刻进一步发生,提高选择比。而似乎利用CF4蚀刻的形貌也更好,但氯气蚀刻的优点是损伤低,对界面层和沟道层有好处。无论是以氯为主还是以氟为主的锗的蚀刻,都是目前常见的工艺,也获得了不错的效果,分别在器件制造中得以应用。另一类并不多见的锗的蚀刻是利用XeF2气体。

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