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等离子蚀刻厂家：锗在集成电路中的潜在应用及其蚀刻方法（中）
- 分类：技术支持
- 作者：等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
- 来源：
- 发布时间：2021-01-09
- 访问量：
【概要描述】 锗作为新一代半导体材料，应用于集成电路制造产业的可能性非常大。并且在半导体产业规划上也把锗作为将来集成电路PMOS管的材料。使用锗来加工集成电路，其无缺陷的大面积锗或锗的合金薄膜是当下横亘在产业之路上的一大障碍。 对于锗的蚀刻，常见的蚀刻方法有两种。一为以氯气为主的蚀刻，这类蚀刻较容易实现 并且不会引入电性方面的变化。其缺点是对整体形态的控制较难。一般来说，锗的蚀刻都具 有较高深宽比，或多层结构，在蚀刻中要想保持好的图形转移需要采用很多手段。 氯气（400W、200sccm， ER～200Å/s)为主的蚀刻不会损伤诸的边界界面(侧面边界晶格保持完整），这在高性能器件中至关重要，会省去后续修复损伤晶格的工艺，降低成本，也给蚀刻本身降低了难度，但从中我们也可以看到，对侧壁图形的控制不够好得到的图形角度在75°左右，这很难满足实际需要。对于侧壁轮廓形态的控制一般做法是加入聚合物的蚀刻气体，多步蚀刻控制整体形态。 氩气和氯气为主通过加人聚合物蚀刻气体或改变偏压的做法来实现对图形形态的控制，分别获得不同侧壁形貌的图形。这其中CH3F和氯气对形态的控制非常有效。而偏压和流量的调节则对底部形态控制起至关重要的作用。通过这些方法，锗的形态控制和关键尺寸调节可以被完成。
等离子蚀刻厂家：锗在集成电路中的潜在应用及其蚀刻方法（中）
【概要描述】 锗作为新一代半导体材料，应用于集成电路制造产业的可能性非常大。并且在半导体产业规划上也把锗作为将来集成电路PMOS管的材料。使用锗来加工集成电路，其无缺陷的大面积锗或锗的合金薄膜是当下横亘在产业之路上的一大障碍。
对于锗的蚀刻，常见的蚀刻方法有两种。一为以氯气为主的蚀刻，这类蚀刻较容易实现 并且不会引入电性方面的变化。其缺点是对整体形态的控制较难。一般来说，锗的蚀刻都具 有较高深宽比，或多层结构，在蚀刻中要想保持好的图形转移需要采用很多手段。
氯气（400W、200sccm， ER～200Å/s)为主的蚀刻不会损伤诸的边界界面(侧面边界晶格保持完整），这在高性能器件中至关重要，会省去后续修复损伤晶格的工艺，降低成本，也给蚀刻本身降低了难度，但从中我们也可以看到，对侧壁图形的控制不够好得到的图形角度在75°左右，这很难满足实际需要。对于侧壁轮廓形态的控制一般做法是加入聚合物的蚀刻气体，多步蚀刻控制整体形态。
氩气和氯气为主通过加人聚合物蚀刻气体或改变偏压的做法来实现对图形形态的控制，分别获得不同侧壁形貌的图形。这其中CH3F和氯气对形态的控制非常有效。而偏压和流量的调节则对底部形态控制起至关重要的作用。通过这些方法，锗的形态控制和关键尺寸调节可以被完成。
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- 作者：等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
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- 发布时间：2021-01-09 09:13
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等离子蚀刻厂家介绍锗在集成电路中的潜在应用及其蚀刻方法（中）：
锗作为新一代半导体材料，应用于集成电路制造产业的可能性非常大。并且在半导体产业规划上也把锗作为将来集成电路PMOS管的材料。使用锗来加工集成电路，其无缺陷的大面积锗或锗的合金薄膜是当下横亘在产业之路上的一大障碍。
对于锗的蚀刻，常见的蚀刻方法有两种。一为以氯气为主的蚀刻，这类蚀刻较容易实现 并且不会引入电性方面的变化。其缺点是对整体形态的控制较难。一般来说，锗的蚀刻都具 有较高深宽比，或多层结构，在蚀刻中要想保持好的图形转移需要采用很多手段。
氯气（400W、200sccm， ER～200Å/s)为主的蚀刻不会损伤诸的边界界面(侧面边界晶格保持完整），这在高性能器件中至关重要，会省去后续修复损伤晶格的工艺，降低成本，也给蚀刻本身降低了难度，但从中我们也可以看到，对侧壁图形的控制不够好得到的图形角度在75°左右，这很难满足实际需要。对于侧壁轮廓形态的控制一般做法是加入聚合物的蚀刻气体，多步蚀刻控制整体形态。
氩气和氯气为主通过加人聚合物蚀刻气体或改变偏压的做法来实现对图形形态的控制，分别获得不同侧壁形貌的图形。这其中CH3F和氯气对形态的控制非常有效。而偏压和流量的调节则对底部形态控制起至关重要的作用。通过这些方法，锗的形态控制和关键尺寸调节可以被完成。
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