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等离子清洗BGA封装工艺流程中的应用

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发布时间：

2021-01-09

在BGA封装中，基板或中间层是很重要的一部分，除了用于互连布线外，还可用于阻抗控制和电感/电阻/电容集成。因而要求基材具有高的玻璃转化温度rS(约175~230℃)、高的尺寸稳定性和低的吸潮性能，并具有良好的电性能和高可靠性。另外，金属膜、绝缘层和基材介质之间也有很高的粘附性。

等离子清洗BGA封装工艺
1、引线键合PBGA封装的工艺过程：
①PBGA基板的制备
将BT树脂/玻璃芯板两面压成极薄(12~18微米厚)的铜箔，钻孔、通孔金属化。采用传统PCB工艺，在基板的两面制作出导带、电极和安装有焊料球的焊区阵列。再加入焊料掩膜，制成显露电极和焊缝的图形。为了提高生产效率，通常一个基片中包含多个PBG基片。
②包装工艺过程
圆片减薄→圆片切削→芯片粘结→等离子清洗→引线键合→等离子清洗→模塑封装→装配焊料球→回流焊→表面打标→分离→检查→测试包装
芯片粘接采用充银环氧粘结剂将IC芯片粘接到基板上，再用金线连接实现芯片与基板的连接，接着用模塑包封或液态胶灌封保护芯片、焊接线和焊盘。采用特别设计的熔点为183℃、直径30mil(0.75mm)的焊料球62/36/2Sn/Pb/Ag或63/37/Sn/Pb，用普通回流焊炉进行回流焊，高温加工温度不能超过230℃。然后用CFC无机清洗剂对基片进行离心清洗，以去除残余的焊料和纤维颗粒，随后进行打标、分离、检查、测试和包装。以上就是引线键合PBGA的封装工艺。
2、FC-CBGA封装工艺过程：
①陶瓷基板
由于FC-CBGA基材为多层陶瓷基材，其制作比较困难。由于基板的布线密度高，间距窄，通孔也多，以及对基板共面的要求高等原因。其主要工艺为：先将多层陶瓷片基材高温共烧成多层陶瓷金属化基材，再在基材上制作多层金属线，然后电镀等。在CBGA组装过程中，基板与芯片、PCB板的CTE不匹配是导致产品失效的主要原因。为了改善这种状况，除了采用CCGA结构外，还可以采用其他的陶瓷基板——HITCE陶瓷基板。
②包装工艺过程
圆片凸点的制备：呻圆片切割→呻芯片倒装及回流焊→底部填充呻导热脂、密封焊料的分配+封盖斗装配焊料球→回流焊斗打标+分离呻→检查→测试包装
3、引线连接TBGA的封装工艺过程：
①TBGA载带
TBGA通常用聚酰亚胺材料制成载带。制造时，先将铜片两面覆铜，再镀镍、镀金，再冲孔、通孔金属化，制成图形。由于在这种引线连接TBGA中，封装热沉又是封装的加固体，同时也是管壳的芯腔基底，所以在进行封装之前，先要用压敏胶将载带粘接在热沉上。
②包装工艺过程
圆片减薄→圆片切割→芯片粘结→清洗→引线键合→等离子清洗→液态密封剂灌封→装配焊料球→回流焊→表面打标→分离→检查→测试→包装