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等离子体干法蚀刻机厂家:镓砷的蚀刻

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2021-01-08
  • 访问量:

【概要描述】        除了铟镓砷,镓砷也是大家广泛期待的半导体材料,而两者也往往一起使用来构建高性 能器件。因此我们有必要探讨和展望这类半导体的蚀刻技术。利用Cl2和BCl3混合气体对镓砷半导体材料的深孔蚀刻,蚀刻速率为6~8um/min,光阻作为掩膜材料,选择比为8∶1。尽管笔者称孔的形貌平滑作为互连没有任何问题,但显然70℃~80℃的角度很难胜任14nm以下工艺技术,需要更多的新型技术和细致的研究才能更好地完成图形定义。        除了本身可以作为半导体材料,镓砷与磷化铟、铟镓砷配合使用外,镓砷半导体还可以与铝镓砷、铝镓砷磷配合使用。这类蚀刻也一般具有大的深宽比特点。这类蚀刻一般采用较高温度的激光蚀刻,故而图形定义精准,但粗糙度较大,尤其对蚀刻气体组分和温度比较敏感,考虑到实际情况,加入蚀刻的后处理工艺来改善表面粗糙度。        蚀刻的线边缘粗糙度需要改进,但近90°的直角度有很大优势,尤其在深宽比达到20以上的情况下仍能够精准传递图形。        以上是诚峰智造等离子体干法蚀刻机厂家对镓砷的蚀刻的介绍,希望对您有帮助。

等离子体干法蚀刻机厂家:镓砷的蚀刻

【概要描述】
       除了铟镓砷,镓砷也是大家广泛期待的半导体材料,而两者也往往一起使用来构建高性 能器件。因此我们有必要探讨和展望这类半导体的蚀刻技术。利用Cl2和BCl3混合气体对镓砷半导体材料的深孔蚀刻,蚀刻速率为6~8um/min,光阻作为掩膜材料,选择比为8∶1。尽管笔者称孔的形貌平滑作为互连没有任何问题,但显然70℃~80℃的角度很难胜任14nm以下工艺技术,需要更多的新型技术和细致的研究才能更好地完成图形定义。


       除了本身可以作为半导体材料,镓砷与磷化铟、铟镓砷配合使用外,镓砷半导体还可以与铝镓砷、铝镓砷磷配合使用。这类蚀刻也一般具有大的深宽比特点。这类蚀刻一般采用较高温度的激光蚀刻,故而图形定义精准,但粗糙度较大,尤其对蚀刻气体组分和温度比较敏感,考虑到实际情况,加入蚀刻的后处理工艺来改善表面粗糙度。
       蚀刻的线边缘粗糙度需要改进,但近90°的直角度有很大优势,尤其在深宽比达到20以上的情况下仍能够精准传递图形。
       以上是诚峰智造等离子体干法蚀刻机厂家对镓砷的蚀刻的介绍,希望对您有帮助。

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  • 发布时间:2021-01-08 08:44
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等离子体干法蚀刻机厂家镓砷的蚀刻:
       除了铟镓砷,镓砷也是大家广泛期待的半导体材料,而两者也往往一起使用来构建高性 能器件。因此我们有必要探讨和展望这类半导体的蚀刻技术。利用Cl2和BCl3混合气体对镓砷半导体材料的深孔蚀刻,蚀刻速率为6~8um/min,光阻作为掩膜材料,选择比为8∶1。尽管笔者称孔的形貌平滑作为互连没有任何问题,但显然70℃~80℃的角度很难胜任14nm以下工艺技术,需要更多的新型技术和细致的研究才能更好地完成图形定义。

等离子体干法蚀刻机厂家
       除了本身可以作为半导体材料,镓砷与磷化铟、铟镓砷配合使用外,镓砷半导体还可以与铝镓砷、铝镓砷磷配合使用。这类蚀刻也一般具有大的深宽比特点。这类蚀刻一般采用较高温度的激光蚀刻,故而图形定义精准,但粗糙度较大,尤其对蚀刻气体组分和温度比较敏感,考虑到实际情况,加入蚀刻的后处理工艺来改善表面粗糙度。
       蚀刻的线边缘粗糙度需要改进,但近90°的直角度有很大优势,尤其在深宽比达到20以上的情况下仍能够精准传递图形。
       以上是诚峰智造等离子体干法蚀刻机厂家对镓砷的蚀刻的介绍,希望对您有帮助。

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