等离子体干法蚀刻机厂家：镓砷的蚀刻

分类：业界动态
作者：等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
来源：
发布时间：2021-01-08
访问量：

【概要描述】除了铟镓砷，镓砷也是大家广泛期待的半导体材料，而两者也往往一起使用来构建高性能器件。因此我们有必要探讨和展望这类半导体的蚀刻技术。利用Cl2和BCl3混合气体对镓砷半导体材料的深孔蚀刻，蚀刻速率为6~8um/min，光阻作为掩膜材料，选择比为8∶1。尽管笔者称孔的形貌平滑作为互连没有任何问题，但显然70℃～80℃的角度很难胜任14nm以下工艺技术，需要更多的新型技术和细致的研究才能更好地完成图形定义。除了本身可以作为半导体材料，镓砷与磷化铟、铟镓砷配合使用外，镓砷半导体还可以与铝镓砷、铝镓砷磷配合使用。这类蚀刻也一般具有大的深宽比特点。这类蚀刻一般采用较高温度的激光蚀刻，故而图形定义精准，但粗糙度较大，尤其对蚀刻气体组分和温度比较敏感，考虑到实际情况，加入蚀刻的后处理工艺来改善表面粗糙度。蚀刻的线边缘粗糙度需要改进，但近90°的直角度有很大优势，尤其在深宽比达到20以上的情况下仍能够精准传递图形。以上是诚峰智造等离子体干法蚀刻机厂家对镓砷的蚀刻的介绍，希望对您有帮助。

等离子体干法蚀刻机厂家：镓砷的蚀刻

【概要描述】
除了铟镓砷，镓砷也是大家广泛期待的半导体材料，而两者也往往一起使用来构建高性能器件。因此我们有必要探讨和展望这类半导体的蚀刻技术。利用Cl2和BCl3混合气体对镓砷半导体材料的深孔蚀刻，蚀刻速率为6~8um/min，光阻作为掩膜材料，选择比为8∶1。尽管笔者称孔的形貌平滑作为互连没有任何问题，但显然70℃～80℃的角度很难胜任14nm以下工艺技术，需要更多的新型技术和细致的研究才能更好地完成图形定义。

除了本身可以作为半导体材料，镓砷与磷化铟、铟镓砷配合使用外，镓砷半导体还可以与铝镓砷、铝镓砷磷配合使用。这类蚀刻也一般具有大的深宽比特点。这类蚀刻一般采用较高温度的激光蚀刻，故而图形定义精准，但粗糙度较大，尤其对蚀刻气体组分和温度比较敏感，考虑到实际情况，加入蚀刻的后处理工艺来改善表面粗糙度。
蚀刻的线边缘粗糙度需要改进，但近90°的直角度有很大优势，尤其在深宽比达到20以上的情况下仍能够精准传递图形。
以上是诚峰智造等离子体干法蚀刻机厂家对镓砷的蚀刻的介绍，希望对您有帮助。

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发布时间：2021-01-08 08:44
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等离子体干法蚀刻机厂家镓砷的蚀刻：
除了铟镓砷，镓砷也是大家广泛期待的半导体材料，而两者也往往一起使用来构建高性能器件。因此我们有必要探讨和展望这类半导体的蚀刻技术。利用Cl2和BCl3混合气体对镓砷半导体材料的深孔蚀刻，蚀刻速率为6~8um/min，光阻作为掩膜材料，选择比为8∶1。尽管笔者称孔的形貌平滑作为互连没有任何问题，但显然70℃～80℃的角度很难胜任14nm以下工艺技术，需要更多的新型技术和细致的研究才能更好地完成图形定义。

除了本身可以作为半导体材料，镓砷与磷化铟、铟镓砷配合使用外，镓砷半导体还可以与铝镓砷、铝镓砷磷配合使用。这类蚀刻也一般具有大的深宽比特点。这类蚀刻一般采用较高温度的激光蚀刻，故而图形定义精准，但粗糙度较大，尤其对蚀刻气体组分和温度比较敏感，考虑到实际情况，加入蚀刻的后处理工艺来改善表面粗糙度。
蚀刻的线边缘粗糙度需要改进，但近90°的直角度有很大优势，尤其在深宽比达到20以上的情况下仍能够精准传递图形。
以上是诚峰智造等离子体干法蚀刻机厂家对镓砷的蚀刻的介绍，希望对您有帮助。