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CRF等离子清洗机对IC芯片的清洗
CRF等离子清洗机对IC芯片的清洗:        CRF等离子清洗机在质材表层的应用可以改进质材的表层吸附力等因素。可是现阶段主要针对板材、线材等质材的加工处理,而粉末质材因其分散性、比表面大、易堆积等特点,CRF等离子清洗机放电工艺的精密性和适用范围受到限制,通常只有借助有机化学技术手段实现表层改性,可是有机化学方式加工处理考虑到存在着绿色环保、难于采集等弊端,如何提高粉体质材表层亲水加工处理的效果和加工处理效率,已成为等离子技术应用的一个研究方向。有关的研究仅局限于等离子质材平铺后的放电加工处理,缺乏能分散粉末质材并对其进行改性加工处理的设备,因此,粉体质材加工处理市场上迫切需要一种满足其粉体质材改性加工处理的设备及加工处理方式,以满足工业化生产的需要。        在IC芯片制造领域,等离子加工处理工艺已经成为不可替代的成熟工艺,无论注入芯片源离子还是镀膜,等离子清洗功能都能轻松地去除表层的氧化膜、有机物、去掩膜等超净化加工处理及表层活化活化,提高表层浸润性。        采用等离子清洗机加工处理可有效地提高芯片表层活度,大大提高了芯片表层粘接的环氧树脂胶在表层的流通性,加强了芯片与打包封装基底相互间的黏合渗透性,减小了芯片与基片的分层,改进了热传导能力,提高了IC封装的稳定性、稳定性,延长产品寿命。  
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在清洗微观上的crf诚峰智造等离子处理机原理及其适用研究
在清洗微观上的crf诚峰智造等离子处理机原理及其适用研究:        crf诚峰智造等离子处理机已逐渐成为微电子生产过程中不可缺少的一项技术。与plasma表面处理设备相较,行业中较为常见的名称为“等离子清洗机”,也开始被人们所熟悉。等离子清洗不同于传统清洗(如机械清洗、水洗和溶剂清洗),其特点在于,传统的清洗方法在清洗完成后,在表面仍会残留数纳米到数十纳米的残留物。在精密加工技术要求日益严格的今天,这些残留往往会对生产过程和产品的可靠性造成不利影响。物质表面污染物的主要来源有两种,通过物理和化学方法吸附在物质表面的外来分子和表面自然氧化层: 1)外来分子物理吸附通常可以用加热的方式将其解吸,而外来的化学吸附分子则需要比较高能量的化学反应过程来将其分离,从而与材料表面分离; 2)crf诚峰智造等离子处理机表面自然氧化层通常产生于金属表面,这会影响金属的可焊性及其与其他材料的结合性能。 等离子体表面处理技术能有效地处理上述两类表面污染物,但处理过程中首先要选择合适的处理气体。用氧和氩气进行crf诚峰智造等离子处理机最常用的工艺气体: 1)氧气可在等离子环境下电离,产生大量含氧极性基团,可有效地去除材料表面的有机污染物,使极性基团吸附到材料表面,有效地提高材料的结合性能–微电子封装工艺中,塑封前的等离子处理是这类处理的典型适用。经等离子处理后的表面能较高,可有效地与塑封料结合,减少塑封过程中出现的分散性、针孔等现象。 2).氩气可在等离子环境中产生氩离子,并利用材料表面产生的自偏压作用对材料进行溅射,消除其表面上吸附的外来分子,并能有效地去除表面金属氧化物-在微电子过程中,打线前的等离子处理是这种工艺的典型代表。crf诚峰智造等离子处理机处理后的焊盘表面因能除去金属氧化物和杂质,可提高后续打线工艺的良率和焊线的推拉力。
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在plasma设备的表面处理过程中,不但可以激发表面,而且可以保持PTFE的材质特征
在plasma设备的表面处理过程中,不但可以激发表面,而且可以保持PTFE的材质特征: 1.汽车发动机半轴油封用作发动机渗油防范的关键部件,已被不同汽车发动机厂家所重视。PTFE耐热、耐蚀、不粘、自润滑、绝缘性好、摩擦系数低等特征。是目前生产油封的主要原料之一。但是,未经处理的PTFE表层活性较低,难以与金属结合。PTFE制作环节中,选用钠萘溶液对PTFE进行表面处理,持续改善其附着力,但会使PTFE表面产生针孔和色差,使PTFE原有性能发生变化。PTFE设备表面处理不但可以活化表面,加强结合,而且可以保持PTFE的材质特性。 2.汽车点火线圈的壳体和框架一般选用PBT和PPO两种结构。采用低温plasma设备表面处理技术,不但可以彻底清除表面污染物,还能够进一步提高框架的表层活性,加强框架与环氧树脂胶的结合強度,避免气泡的产生。可提高漆包线与框架接触的焊接強度,确保点火线圈的可靠性和使用寿命。曲轴表面的低温表面处理不但可以彻底除去曲轴表面的有机化合物,还能够激发曲轴表面,提高涂层的可靠性。 3.将墨水或粘合剂打印在汽车挡风玻璃上。为得到所需的粘结力,表面通常用化学底漆。这类底漆含有挥发性溶剂,这部分会在车辆后期使用时释放出来。常压式低温plasma设备设备能超精细地清洗和激发玻璃表面,提高粘结可靠性,更加环保。 4.动力电池组常压低温plasma设备在电池组装期间对金属和聚合物表面进行纳米清洁和活化,而不改变材质特征,持续改善焊接.粘贴或涂层的粘接性能,并确保可靠性。
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分析crf等离子清洗机技术在塑料和橡胶工业中的应用
分析crf等离子清洗机技术在塑料和橡胶工业中的应用:        crf等离子清洗机,是1项新一代的智能化技术,可以借助等离子体来做到常规清洗法难以做到的成效。等离子体是一种物质状态,也称为物质的第四态。向气体施加足够的能量,使其离化,即为等离子态。其“化学活化”成份包括:离子、电子、化学活化基、受激态核素(亚稳)、光子等。crf等离子清洗机是借助这种化学活化成份对样品表面来进行处理,以做到洁净等目的。        聚丙烯、PTFE等橡胶塑料材料无极性,这种材质在印刷、粘合、涂布等方面的性能极差,甚至不能来进行。使用crf等离子清洗机技术对这种材质来进行表面处理,在快速、较高能等离子体的轰击下,这种材质表面的构造面可以更大化,并在材质表面形成化学活化层,从而使橡胶、塑料可以来进行印刷、粘合、涂覆等操作。 crf等离子清洗机包括等离子电源、真空系统、供气系统、自动控制五个部分。它的工作原理是:在真空状态下,用控制和定性的方法使等离子能电离气体,使用真空泵将工作室内的真空抽真空至30-40pa,然后在高频发生器的作用下,将气体电离,等离子体(物质第四态)形成的显著特征是高均匀辉光放电,材质处理温度接近室温,根据不同气体发出由蓝至深紫色的彩色可见光。这种化学活化很高的微粒与经过处理的表面发生作用,可以获得表面亲水、拒水、低摩擦、高清洁、活化、蚀刻等多种表面修饰。        使用crf等离子清洗机来进行表面处理,可清除外壳上残留的油污,使用等离子体清洗机技术,可更多方面地激活塑料外壳表面,加强其印刷、涂膜等粘接成效,使外壳上的涂层和基体很牢固的连接,涂覆成效很均匀,外观更亮亮,耐磨性也大大提高,长期使用后,不会产生磨漆现象。        crf等离子清洗机超大处理空间,提升处理产能精确控制设备运行。可以根据客户的需要,定制设备空腔和层数,以满足客户的需要。电浆清洗机维护和维护费用低,便捷客户的成本管控。电浆清洗机精度高、反应快、操控性好、兼容性好、功能完善、专业技术支持。
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薄膜类材料表面crf等离子活化
薄膜类材料表面crf等离子活化:         crf等离子活化广泛应用于半导体、电子、医疗、机械、印刷、汽车制造等领域,加工对象有光学薄膜、复膜、超导膜、聚酯膜、尼龙膜、塑料膜、金属膜等。清洁有机物质,活化表面粗糙,改善表面张力,增强附着力。         目前市场上常用的高分子薄膜材料主要是PP,PE,PS,PET等,一般情况下,如果需要复印、涂胶等工序,其表面张力约为40多因左右,可略微满足多数印刷要求。在这种情况下,还需借助一些处理方法来提高薄膜材料的表面张力,从而实现薄膜材料的复合和涂胶。此时常用的处理方法往往难以达到提高表面张力的目的,此时使用crf等离子活化进行表面处理不失为一种好方法。         首先来看看PP材质,你也许有一些认识,PP材料的表面张力在每厘米达到40-45个因数后,若要继续提高其表面张力,即使大幅度提升等离子处理设备的功率也会更加困难,必须指出,在同一功率下,薄膜材料组分不同,如等离子处理器,实现的处理效果差异较大;除crf等离子活化的处理功率、等离子强度、膜本身的组成及添加物外,还加入了一些添加剂。        crf等离子活化的活化、刻蚀可以对HDPE膜表面起良好的修饰作用。可使HDPE膜亲水性提高,并可在HDPE膜表面开cc、CH,这些自由基与氮气、氧气、水蒸气作用,可使膜材料表面形成大量含氧、含氨等极性基团,基团的数目对材料亲水性的优劣有直接影响,因此在引入了大量极性基之后,由于HDPE膜的亲水性显著提高,HDPE膜的亲水性能也正因极性基团的引入而降低其表面碳含量。增加了o,N元素的质量分数。
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低温等离子处理机CMOS工艺中应用于集成电路制造中WAT方法研究
低温等离子处理机CMOS工艺中应用于集成电路制造中WAT方法研究:         WAT(Wafer Accept Test)即硅圆片接收测试,就是在半导体硅片完成所有的制程工艺后,对硅圆片上的各种测试结构进行电性测试,它是反映产品质量的一种手段,是产品入库前进行的一道质量检验。         伴随着半导体技术的发展,等离子体工艺已广泛应用于集成电路制造中,离子注入、干法刻蚀、干法去胶、UV辐射、薄膜淀积等都可能会引入等离子体损伤,而常规的WAT结构无法监测,可能导致器件的早期失效。低温等离子处理机工艺广泛应用于集成电路制造中,比如低温等离子处理机刻蚀、等离子体增强式化学气相淀积、离子注入等。它具有方向性好、反应快、温度低.均匀性好等优点。         但是它也同时带来了电荷损伤,随着栅氧化层厚度的不断降低,这种损伤会越来越影响到MOS器件的可靠性,因为它可以影响氧化层中的固定电荷密度、界面态密度、平带电压、漏电流等参数。带天线器件结构的大面积离子收集区(多晶或金属)一般位于厚的场氧之上,因此只需要考虑薄栅氧上的隧道电流效应。大面积的收集区称为天线,带天线器件的隧道电流放大倍数等于厚场氧上的收集区面积与栅氧区面积之比,称为天线比。         如果栅氧区较小,而栅极面积较大,大面积栅极收集到的离子将流向小面积的栅氧区,为了保持电荷平衡,由衬底注人栅极的隧道电流也需要随之增加,增加的倍数是栅极与栅氧面积之比,放大了损伤效应,这种现象称为“天线效应”。对于栅注入的情况,隧道电流和离子电流之和等于等离子体中总的电子电流。因为电流很大,即使没有天线的放大效应,只要栅氧化层中的场强能产生隧道电流,就会引起等离子体损伤。         在正常的电路设计中栅端一般都需要开孔经多晶或金属互连线引出做功能输入端,就相当于在薄弱的栅氧化层上引入了天线结构,所以在正常流片及WAT监测时所进行的单管器件电性测试和数据分析无法反映电路中实际的低温等离子处理机损伤情况。氧化层继续变薄到3nm以下,基本不用再考虑充电损伤问题,因为对于3nm厚度的氧化层而言,电荷积累是直接隧穿越过氧化层势垒,不会在氧化层中形成电荷缺陷。  
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