深圳市诚峰智造有限公司,欢迎您!

电话:13632675935/0755-3367 3020

img
搜索
确认
取消
新闻中心

新闻中心

专业致力于提供电子行业的制造设备及工艺流程解决方案的plasma等离子体高新技术企业
新闻中心

等离子干法蚀刻技术特点以及典型材料应用

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2020-12-21
  • 访问量:

【概要描述】       等离子蚀刻机又称等离子刻蚀机、等离子平面蚀刻机,等离子表面处理仪,等离子清洗系统等。等离子体刻蚀,是干法刻蚀中常见的一种形式,其原理是暴露于电子区的气体形成等离子体,产生的离子体和释放出由高能量电子组成的气体,形成等离子或离子,当离子体原子经过电场加速时,会释放出足够的力来紧贴材料或蚀刻表面,使其与表面驱动力相结合。等离子清洗在某种程度上实际上只是等离子刻蚀过程中的一种轻微现象。干刻蚀处理设备包括反应室,电源,真空等部分。工作部件被送到反应室,这些气体被引入等离子体并进行了交换。等离子体蚀刻过程实质上就是一种活性等离子过程。近来的是在反应室内设置了一种搁置形式,这种搁置形式具有弹性,用户可将其移动,以配置适当的等离子体蚀刻方法:反应性等离子体(RIE),顺流等离子体(downstream),直接等离子体(direction plasma)。        电感耦合等离子体蚀刻法(ICPE)是化学过程和物理过程共同作用的结果。其基本原理是:在低气压下,由ICP射频电源向环形耦合线圈输出,通过耦合辉光放电,混合刻蚀气体通过耦合辉光放电,产生高密度等离子体,在下电极RF作用下,在基片表面轰击,基片图形区域内的半导体材料的化学键被打断,与刻蚀气体产生挥发性物质,使气体脱离基片,抽离真空管道。        如需进行蚀刻,和蚀刻后的除污、清除浮渣、表面处理、等离子聚合、等离子灰化或任何其他蚀刻应用,我司可根据客户要求,生产出客户安全可靠的等离子处理系统。本公司兼具传统等离子蚀刻系统和反应式离子蚀刻系统,可生产系列产品,也可为客户定制特殊系统。我公司可提供快速/优质蚀刻,减轻等离子伤害,提供所需的均匀度。 等离子体处理可应用于各种基材,甚至复杂的几何构形都可进行等离子体激活、等离子体清洗,等离子体镀膜无问题。等离子处理的热负荷和机械负荷较低,因此,低压等离子体也可以处理敏感材料。        等离子刻蚀机的典型应用有:半导体/集成电路;氮化镓;氮化铝镓/氮化镓;砷化镓/砷化铝镓;砷化镓;磷化铟、铟铝砷/铟镓砷化物(InP InGaAs/InAlAs);硅;硅锗;氮化硅陶瓷(Si3N4);硅的溴化氢;硒化锌(ZnSe);金属;铝;铬;铂;钼;铌;钽;钛;钨;电介质;铟锡氧化物;锆钛酸铅(PZT);碳化硅;塑料/聚合物;聚四氟乙烯(PTFE);聚甲醛(POM);聚苯并咪唑(PBI);聚醚醚酮(PEEK);聚酰亚胺(聚酰亚胺);聚酰胺(尼龙);全氟烷氧基烷(PFA);聚全氟乙丙烯(FEP);聚烯烃;聚酯等。

等离子干法蚀刻技术特点以及典型材料应用

【概要描述】       等离子蚀刻机又称等离子刻蚀机、等离子平面蚀刻机,等离子表面处理仪,等离子清洗系统等。等离子体刻蚀,是干法刻蚀中常见的一种形式,其原理是暴露于电子区的气体形成等离子体,产生的离子体和释放出由高能量电子组成的气体,形成等离子或离子,当离子体原子经过电场加速时,会释放出足够的力来紧贴材料或蚀刻表面,使其与表面驱动力相结合。等离子清洗在某种程度上实际上只是等离子刻蚀过程中的一种轻微现象。干刻蚀处理设备包括反应室,电源,真空等部分。工作部件被送到反应室,这些气体被引入等离子体并进行了交换。等离子体蚀刻过程实质上就是一种活性等离子过程。近来的是在反应室内设置了一种搁置形式,这种搁置形式具有弹性,用户可将其移动,以配置适当的等离子体蚀刻方法:反应性等离子体(RIE),顺流等离子体(downstream),直接等离子体(direction plasma)。


       电感耦合等离子体蚀刻法(ICPE)是化学过程和物理过程共同作用的结果。其基本原理是:在低气压下,由ICP射频电源向环形耦合线圈输出,通过耦合辉光放电,混合刻蚀气体通过耦合辉光放电,产生高密度等离子体,在下电极RF作用下,在基片表面轰击,基片图形区域内的半导体材料的化学键被打断,与刻蚀气体产生挥发性物质,使气体脱离基片,抽离真空管道。
       如需进行蚀刻,和蚀刻后的除污、清除浮渣、表面处理、等离子聚合、等离子灰化或任何其他蚀刻应用,我司可根据客户要求,生产出客户安全可靠的等离子处理系统。本公司兼具传统等离子蚀刻系统和反应式离子蚀刻系统,可生产系列产品,也可为客户定制特殊系统。我公司可提供快速/优质蚀刻,减轻等离子伤害,提供所需的均匀度。
等离子体处理可应用于各种基材,甚至复杂的几何构形都可进行等离子体激活、等离子体清洗,等离子体镀膜无问题。等离子处理的热负荷和机械负荷较低,因此,低压等离子体也可以处理敏感材料。
       等离子刻蚀机的典型应用有:半导体/集成电路;氮化镓;氮化铝镓/氮化镓;砷化镓/砷化铝镓;砷化镓;磷化铟、铟铝砷/铟镓砷化物(InP InGaAs/InAlAs);硅;硅锗;氮化硅陶瓷(Si3N4);硅的溴化氢;硒化锌(ZnSe);金属;铝;铬;铂;钼;铌;钽;钛;钨;电介质;铟锡氧化物;锆钛酸铅(PZT);碳化硅;塑料/聚合物;聚四氟乙烯(PTFE);聚甲醛(POM);聚苯并咪唑(PBI);聚醚醚酮(PEEK);聚酰亚胺(聚酰亚胺);聚酰胺(尼龙);全氟烷氧基烷(PFA);聚全氟乙丙烯(FEP);聚烯烃;聚酯等。

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2020-12-21 10:18
  • 访问量:
详情

等离子干法蚀刻技术特点以及典型材料应用:

       等离子蚀刻机又称等离子刻蚀机、等离子平面蚀刻机,等离子表面处理仪,等离子清洗系统等。等离子体刻蚀,是干法刻蚀中常见的一种形式,其原理是暴露于电子区的气体形成等离子体,产生的离子体和释放出由高能量电子组成的气体,形成等离子或离子,当离子体原子经过电场加速时,会释放出足够的力来紧贴材料或蚀刻表面,使其与表面驱动力相结合。等离子清洗在某种程度上实际上只是等离子刻蚀过程中的一种轻微现象。干刻蚀处理设备包括反应室,电源,真空等部分。工作部件被送到反应室,这些气体被引入等离子体并进行了交换。等离子体蚀刻过程实质上就是一种活性等离子过程。近来的是在反应室内设置了一种搁置形式,这种搁置形式具有弹性,用户可将其移动,以配置适当的等离子体蚀刻方法:反应性等离子体(RIE),顺流等离子体(downstream),直接等离子体(direction plasma)。

等离子干法蚀刻技术
       电感耦合等离子体蚀刻法(ICPE)是化学过程和物理过程共同作用的结果。其基本原理是:在低气压下,由ICP射频电源向环形耦合线圈输出,通过耦合辉光放电,混合刻蚀气体通过耦合辉光放电,产生高密度等离子体,在下电极RF作用下,在基片表面轰击,基片图形区域内的半导体材料的化学键被打断,与刻蚀气体产生挥发性物质,使气体脱离基片,抽离真空管道。
       如需进行蚀刻,和蚀刻后的除污、清除浮渣、表面处理、等离子聚合、等离子灰化或任何其他蚀刻应用,我司可根据客户要求,生产出客户安全可靠的等离子处理系统。本公司兼具传统等离子蚀刻系统和反应式离子蚀刻系统,可生产系列产品,也可为客户定制特殊系统。我公司可提供快速/优质蚀刻,减轻等离子伤害,提供所需的均匀度。
等离子体处理可应用于各种基材,甚至复杂的几何构形都可进行等离子体激活、等离子体清洗,等离子体镀膜无问题。等离子处理的热负荷和机械负荷较低,因此,低压等离子体也可以处理敏感材料。
       等离子刻蚀机的典型应用有:半导体/集成电路;氮化镓;氮化铝镓/氮化镓;砷化镓/砷化铝镓;砷化镓;磷化铟、铟铝砷/铟镓砷化物(InP InGaAs/InAlAs);硅;硅锗;氮化硅陶瓷(Si3N4);硅的溴化氢;硒化锌(ZnSe);金属;铝;铬;铂;钼;铌;钽;钛;钨;电介质;铟锡氧化物;锆钛酸铅(PZT);碳化硅;塑料/聚合物;聚四氟乙烯(PTFE);聚甲醛(POM);聚苯并咪唑(PBI);聚醚醚酮(PEEK);聚酰亚胺(聚酰亚胺);聚酰胺(尼龙);全氟烷氧基烷(PFA);聚全氟乙丙烯(FEP);聚烯烃;聚酯等。

扫二维码用手机看

相关资讯

深圳市诚峰智造有限公司

坚持以品质为立足之本,诚信为经营之道,以创新为发展之源,以服务为价值之巅

©深圳市诚峰智造有限公司版权所有 粤ICP备19006998号
dh

电话:0755-3367 3020 /0755-3367 3019

dh

邮箱:sales-sfi@sfi-crf.com

dh

地址:深圳市宝安区黄埔孖宝工业区