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晶圆等离子清洗机源头厂家

  • 分类:公司动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2020-12-12
  • 访问量:

【概要描述】晶圆清洗分为湿法清洗和干法清洗,等离子清洗属于后者,主要用于去除晶圆表面不可见的表面污染物。在清洗过程中,首先将晶片放入等离子清洗机的真空反应室中,然后抽真空,达到一定真空度后,引入反应气体,这些反应气体电离形成等离子体,与晶片表面发生化学和物理反应,产生的挥发性物质被抽走,使晶片表面变得干净亲水。 一、清洗晶片的等离子清洗机: 1-1: 晶片的等离子清洗是在1000级以上的洁净室中进行的,这需要极高的粒子。任何超标的颗粒都会造成晶圆不可修复的缺陷。所以设计等离子清洗机的腔体首先必须是铝,而不是不锈钢;放置晶圆的支架滑动部分应尽量采用不易产生灰尘和被等离子腐蚀的材料;电极和支架易于拆卸和维护。 1-2: 等离子清洗机反应室内的电极间距、层数和气路分布对晶圆加工的均匀性有很大影响,这些指标需要通过不断的实验进行优化。 1-3: 等离子清洗晶圆的过程中,会有一定的热量积累。需要将电极板的温度保持在一定范围内,因此等离子清洗机的电极通常采用水冷。 1-4 多层电极的等离子清洗机容量相对较高,每个支架上可以根据需要放置多个晶片,更适合去除半导体分立器件和电力电子元件专用的4英寸和6英寸晶片的光刻底膜。 二、等离子清洗机用于晶圆级封装预处理: 2-1: WaferLevelPackage(WLP)是一种先进的芯片封装方法,即在整个晶圆制作完成后,直接在晶圆上封装测试,然后将整个晶圆切割成单个管芯;电气连接部分采用铜凸点代替引线键合的方法,因此没有引线键合或灌胶过程。 2-2: 晶圆级封装预处理的目的是去除表面的无机物,减少氧化层,增加铜表面粗糙度,提高产品的可靠性。 2-3: 晶圆级封装预处理等离子清洗机由于生产能力的需要,真空反应室、电极结构、气流分布、水冷装置、均匀度等方面的设计会有显著差异。 2-4: 芯片制作完成后,残留的光刻胶不能用湿法清洗,只能用等离子体去除。但是光刻胶的厚度无法确定,需要调整相应的工艺参数。

晶圆等离子清洗机源头厂家

【概要描述】晶圆清洗分为湿法清洗和干法清洗,等离子清洗属于后者,主要用于去除晶圆表面不可见的表面污染物。在清洗过程中,首先将晶片放入等离子清洗机的真空反应室中,然后抽真空,达到一定真空度后,引入反应气体,这些反应气体电离形成等离子体,与晶片表面发生化学和物理反应,产生的挥发性物质被抽走,使晶片表面变得干净亲水。

一、清洗晶片的等离子清洗机:

1-1:
晶片的等离子清洗是在1000级以上的洁净室中进行的,这需要极高的粒子。任何超标的颗粒都会造成晶圆不可修复的缺陷。所以设计等离子清洗机的腔体首先必须是铝,而不是不锈钢;放置晶圆的支架滑动部分应尽量采用不易产生灰尘和被等离子腐蚀的材料;电极和支架易于拆卸和维护。

1-2:
等离子清洗机反应室内的电极间距、层数和气路分布对晶圆加工的均匀性有很大影响,这些指标需要通过不断的实验进行优化。

1-3:
等离子清洗晶圆的过程中,会有一定的热量积累。需要将电极板的温度保持在一定范围内,因此等离子清洗机的电极通常采用水冷。

1-4
多层电极的等离子清洗机容量相对较高,每个支架上可以根据需要放置多个晶片,更适合去除半导体分立器件和电力电子元件专用的4英寸和6英寸晶片的光刻底膜。

二、等离子清洗机用于晶圆级封装预处理:

2-1:
WaferLevelPackage(WLP)是一种先进的芯片封装方法,即在整个晶圆制作完成后,直接在晶圆上封装测试,然后将整个晶圆切割成单个管芯;电气连接部分采用铜凸点代替引线键合的方法,因此没有引线键合或灌胶过程。

2-2:
晶圆级封装预处理的目的是去除表面的无机物,减少氧化层,增加铜表面粗糙度,提高产品的可靠性。

2-3:
晶圆级封装预处理等离子清洗机由于生产能力的需要,真空反应室、电极结构、气流分布、水冷装置、均匀度等方面的设计会有显著差异。

2-4:
芯片制作完成后,残留的光刻胶不能用湿法清洗,只能用等离子体去除。但是光刻胶的厚度无法确定,需要调整相应的工艺参数。


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  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2020-12-12 09:40
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晶圆等离子清洗机源头厂家:

晶圆清洗分为湿法清洗和干法清洗,等离子清洗属于后者,主要用于去除晶圆表面不可见的表面污染物。在清洗过程中,首先将晶片放入等离子清洗机的真空反应室中,然后抽真空,达到一定真空度后,引入反应气体,这些反应气体电离形成等离子体,与晶片表面发生化学和物理反应,产生的挥发性物质被抽走,使晶片表面变得干净亲水。

一、清洗晶片的等离子清洗机:

1-1:
晶片的等离子清洗是在1000级以上的洁净室中进行的,这需要极高的粒子。任何超标的颗粒都会造成晶圆不可修复的缺陷。所以设计等离子清洗机的腔体首先必须是铝,而不是不锈钢;放置晶圆的支架滑动部分应尽量采用不易产生灰尘和被等离子腐蚀的材料;电极和支架易于拆卸和维护。

1-2:
等离子清洗机反应室内的电极间距、层数和气路分布对晶圆加工的均匀性有很大影响,这些指标需要通过不断的实验进行优化。

1-3:
等离子清洗晶圆的过程中,会有一定的热量积累。需要将电极板的温度保持在一定范围内,因此等离子清洗机的电极通常采用水冷。

1-4
多层电极的等离子清洗机容量相对较高,每个支架上可以根据需要放置多个晶片,更适合去除半导体分立器件和电力电子元件专用的4英寸和6英寸晶片的光刻底膜。

二、等离子清洗机用于晶圆级封装预处理:

2-1:
WaferLevelPackage(WLP)是一种先进的芯片封装方法,即在整个晶圆制作完成后,直接在晶圆上封装测试,然后将整个晶圆切割成单个管芯;电气连接部分采用铜凸点代替引线键合的方法,因此没有引线键合或灌胶过程。

2-2:
晶圆级封装预处理的目的是去除表面的无机物,减少氧化层,增加铜表面粗糙度,提高产品的可靠性。

2-3:
晶圆级封装预处理等离子清洗机由于生产能力的需要,真空反应室、电极结构、气流分布、水冷装置、均匀度等方面的设计会有显著差异。

2-4:
芯片制作完成后,残留的光刻胶不能用湿法清洗,只能用等离子体去除。但是光刻胶的厚度无法确定,需要调整相应的工艺参数。

晶圆等离子清洗机

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