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等离子清洗机表面处理机超低温等离子体蚀刻技术简介

  • 分类:技术支持
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  • 来源:
  • 发布时间:2020-11-27
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【概要描述】等离子清洗机表面处理机低温等离子体蚀刻被定义为发生在-100℃左右及其以下温度的,以液氮或者液氦为冷却源,以六氟化硫气体及氧气(SF6/O2)等气体等离子体为蚀刻源的等离子体蚀刻过程。          这种等离子清洗机表面处理机低温蚀刻方法起源于大长宽比硅结构蚀刻的要求,主要用于形成极大长宽比硅材料结构。这种结构被广泛应用在微机电系统( Micro-Electro -Mechanical System,MEMS)前段工艺以及后段封装的硅通孔技术(Through Silicon Vias,TSV)中。          近年来,研究发现等离子清洗机表面处理机低温等离子体蚀刻不但可以形成所需的特殊材料结构,同时也可以在蚀刻的过程当中减少等离子体所产生的损伤(Plasma Induced Damage,PID),进而可以相应地减少半导体后段蚀刻过程中产生的低介电常数材料损伤(Low-k Damage)。

等离子清洗机表面处理机超低温等离子体蚀刻技术简介

【概要描述】等离子清洗机表面处理机低温等离子体蚀刻被定义为发生在-100℃左右及其以下温度的,以液氮或者液氦为冷却源,以六氟化硫气体及氧气(SF6/O2)等气体等离子体为蚀刻源的等离子体蚀刻过程。

 

       这种等离子清洗机表面处理机低温蚀刻方法起源于大长宽比硅结构蚀刻的要求,主要用于形成极大长宽比硅材料结构。这种结构被广泛应用在微机电系统( Micro-Electro -Mechanical System,MEMS)前段工艺以及后段封装的硅通孔技术(Through Silicon Vias,TSV)中。

 

       近年来,研究发现等离子清洗机表面处理机低温等离子体蚀刻不但可以形成所需的特殊材料结构,同时也可以在蚀刻的过程当中减少等离子体所产生的损伤(Plasma Induced Damage,PID),进而可以相应地减少半导体后段蚀刻过程中产生的低介电常数材料损伤(Low-k Damage)。


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  • 发布时间:2020-11-27 08:37
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等离子清洗机表面处理机超低温等离子体蚀刻技术简介:

 

       等离子清洗机表面处理机低温等离子体蚀刻被定义为发生在-100℃左右及其以下温度的,以液氮或者液氦为冷却源,以六氟化硫气体及氧气(SF6/O2)等气体等离子体为蚀刻源的等离子体蚀刻过程。

 

       这种等离子清洗机表面处理机低温蚀刻方法起源于大长宽比硅结构蚀刻的要求,主要用于形成极大长宽比硅材料结构。这种结构被广泛应用在微机电系统( Micro-Electro -Mechanical System,MEMS)前段工艺以及后段封装的硅通孔技术(Through Silicon Vias,TSV)中。

 

       近年来,研究发现等离子清洗机表面处理机低温等离子体蚀刻不但可以形成所需的特殊材料结构,同时也可以在蚀刻的过程当中减少等离子体所产生的损伤(Plasma Induced Damage,PID),进而可以相应地减少半导体后段蚀刻过程中产生的低介电常数材料损伤(Low-k Damage)。

等离子清洗机表面处理机

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