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新型阻变存储器的介绍及等离子清洗机等离子体蚀刻的应用

  • 分类:公司动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2020-11-26
  • 访问量:

【概要描述】阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)是目前发展迅速的非挥发性存储器,其存储机制和材料比较多元。金属及金属氧化物的大量使用意味着在阻变存储器图形化过程中会同样面临磁隧道结金属材料等离子清洗机蚀刻问题。          不过,阻变存储器多样的存储机制决定了其上下电极可采用和逻辑工艺相兼容甚至同样的材料,从而大幅降低研发、量产的复杂度和成本。上下电极(BE、Metal C、 Metal D)和阻变层都是在逻辑后段工艺中会使用到的材料;阻变层的HfO2, 电极材料TiN、Ti 和W都是逻辑工艺常用材料,无交叉污染问题。          目前阻变存储器仍多使用等离子清洗机RIE/ICP蚀刻,面临着存储单元蚀刻剖面过于倾斜,金属电极蚀刻后严重的侧向腐蚀等问题。后续的工艺优化(功率脉冲等)或新反应气体的引入应该可以取得更多的进步。在磁隧道结蚀刻中独树一帜的等离子清洗机中性束蚀刻(NBE)在目前RRAM中的应用更偏向于形成阻变层的金属氧化物。

新型阻变存储器的介绍及等离子清洗机等离子体蚀刻的应用

【概要描述】阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)是目前发展迅速的非挥发性存储器,其存储机制和材料比较多元。金属及金属氧化物的大量使用意味着在阻变存储器图形化过程中会同样面临磁隧道结金属材料等离子清洗机蚀刻问题。


 
       不过,阻变存储器多样的存储机制决定了其上下电极可采用和逻辑工艺相兼容甚至同样的材料,从而大幅降低研发、量产的复杂度和成本。上下电极(BE、Metal C、 Metal D)和阻变层都是在逻辑后段工艺中会使用到的材料;阻变层的HfO2, 电极材料TiN、Ti 和W都是逻辑工艺常用材料,无交叉污染问题。

 

       目前阻变存储器仍多使用等离子清洗机RIE/ICP蚀刻,面临着存储单元蚀刻剖面过于倾斜,金属电极蚀刻后严重的侧向腐蚀等问题。后续的工艺优化(功率脉冲等)或新反应气体的引入应该可以取得更多的进步。在磁隧道结蚀刻中独树一帜的等离子清洗机中性束蚀刻(NBE)在目前RRAM中的应用更偏向于形成阻变层的金属氧化物。


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  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
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  • 发布时间:2020-11-26 09:06
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新型阻变存储器的介绍及等离子清洗机等离子体蚀刻的应用:

 

       阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)是目前发展迅速的非挥发性存储器,其存储机制和材料比较多元。金属及金属氧化物的大量使用意味着在阻变存储器图形化过程中会同样面临磁隧道结金属材料等离子清洗机蚀刻问题。


       不过,阻变存储器多样的存储机制决定了其上下电极可采用和逻辑工艺相兼容甚至同样的材料,从而大幅降低研发、量产的复杂度和成本。上下电极(BE、Metal C、 Metal D)和阻变层都是在逻辑后段工艺中会使用到的材料;阻变层的HfO2, 电极材料TiN、Ti 和W都是逻辑工艺常用材料,无交叉污染问题。

 

       目前阻变存储器仍多使用等离子清洗机RIE/ICP蚀刻,面临着存储单元蚀刻剖面过于倾斜,金属电极蚀刻后严重的侧向腐蚀等问题。后续的工艺优化(功率脉冲等)或新反应气体的引入应该可以取得更多的进步。在磁隧道结蚀刻中独树一帜的等离子清洗机中性束蚀刻(NBE)在目前RRAM中的应用更偏向于形成阻变层的金属氧化物。

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