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工艺整合对通孔等离子电浆清洗机蚀刻工艺的要求

  • 分类:公司动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2020-11-16
  • 访问量:

【概要描述】通孔的蚀刻: 鉴于前面对于铜互连工艺流程先通孔工艺和先沟槽工艺的介绍,先通孔工艺具有完整的等离子电浆清洗机等离子体蚀刻步骤形成通孔,而先沟槽工艺的通孔蚀刻步骤和沟槽蚀刻步骤是在同一道等离子体蚀刻工艺中同时形成的。所以,下面对铜通孔蚀刻工艺的介绍主要是针对先通孔工艺流程;而先沟槽工艺流程中的通孔蚀刻工艺,我们将集中讨论工艺整合对通孔等离子电浆清洗机蚀刻工艺的要求,等离子体蚀刻技术相应的解决方法,及其对接触电阻电性能和可靠性的影响。   工艺整合对通孔蚀刻工艺的要求:   尽管硬掩膜方法可以显著降低灰化过程对低介电常数材料的损伤,但是光刻胶掩膜方法具有工艺流程简单,通孔关键尺寸容易控制的特点而仍然流行。   工艺整合对于铜通孔蚀刻工艺的要求如下:   (1)符合要求的等离子电浆清洗机蚀刻后关键尺寸,以及优良的尺寸均匀性,以保证接触电阻的均匀性、稳定性。   (2)通孔要具有良好的圆整度,不可以有条纹状的开口形状,否则会严重影响电路的可靠性。   (3)介电材料蚀刻对于蚀刻停止层具有足够的选择比,这样既可以保证通孔的等离子电浆清洗机过蚀刻工艺窗口,又能防止对前层金属铜的击穿。

工艺整合对通孔等离子电浆清洗机蚀刻工艺的要求

【概要描述】通孔的蚀刻:
鉴于前面对于铜互连工艺流程先通孔工艺和先沟槽工艺的介绍,先通孔工艺具有完整的等离子电浆清洗机等离子体蚀刻步骤形成通孔,而先沟槽工艺的通孔蚀刻步骤和沟槽蚀刻步骤是在同一道等离子体蚀刻工艺中同时形成的。所以,下面对铜通孔蚀刻工艺的介绍主要是针对先通孔工艺流程;而先沟槽工艺流程中的通孔蚀刻工艺,我们将集中讨论工艺整合对通孔等离子电浆清洗机蚀刻工艺的要求,等离子体蚀刻技术相应的解决方法,及其对接触电阻电性能和可靠性的影响。

 

工艺整合对通孔蚀刻工艺的要求:

 

尽管硬掩膜方法可以显著降低灰化过程对低介电常数材料的损伤,但是光刻胶掩膜方法具有工艺流程简单,通孔关键尺寸容易控制的特点而仍然流行。

 

工艺整合对于铜通孔蚀刻工艺的要求如下:

 

(1)符合要求的等离子电浆清洗机蚀刻后关键尺寸,以及优良的尺寸均匀性,以保证接触电阻的均匀性、稳定性。

 

(2)通孔要具有良好的圆整度,不可以有条纹状的开口形状,否则会严重影响电路的可靠性。

 

(3)介电材料蚀刻对于蚀刻停止层具有足够的选择比,这样既可以保证通孔的等离子电浆清洗机过蚀刻工艺窗口,又能防止对前层金属铜的击穿。


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  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
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  • 发布时间:2020-11-16 08:44
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工艺整合对通孔等离子电浆清洗机蚀刻工艺的要求:

 

通孔的蚀刻:

 

鉴于前面对于铜互连工艺流程先通孔工艺和先沟槽工艺的介绍,先通孔工艺具有完整的等离子电浆清洗机等离子体蚀刻步骤形成通孔,而先沟槽工艺的通孔蚀刻步骤和沟槽蚀刻步骤是在同一道等离子体蚀刻工艺中同时形成的。所以,下面对铜通孔蚀刻工艺的介绍主要是针对先通孔工艺流程;而先沟槽工艺流程中的通孔蚀刻工艺,我们将集中讨论工艺整合对通孔等离子电浆清洗机蚀刻工艺的要求,等离子体蚀刻技术相应的解决方法,及其对接触电阻电性能和可靠性的影响。

 

工艺整合对通孔蚀刻工艺的要求:

 

尽管硬掩膜方法可以显著降低灰化过程对低介电常数材料的损伤,但是光刻胶掩膜方法具有工艺流程简单,通孔关键尺寸容易控制的特点而仍然流行。

 

工艺整合对于铜通孔蚀刻工艺的要求如下:

 

(1)符合要求的等离子电浆清洗机蚀刻后关键尺寸,以及优良的尺寸均匀性,以保证接触电阻的均匀性、稳定性。

 

(2)通孔要具有良好的圆整度,不可以有条纹状的开口形状,否则会严重影响电路的可靠性。

 

(3)介电材料蚀刻对于蚀刻停止层具有足够的选择比,这样既可以保证通孔的等离子电浆清洗机过蚀刻工艺窗口,又能防止对前层金属铜的击穿。

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