深圳市诚峰智造有限公司,欢迎您!

电话:13632675935/0755-3367 3020

img
搜索
确认
取消
新闻中心

新闻中心

专业致力于提供电子行业的制造设备及工艺流程解决方案的plasma等离子体高新技术企业
新闻中心

等离子处理机西格玛型锗硅沟槽成型控制

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2020-11-09
  • 访问量:

【概要描述】在Р型源漏区形成西格玛型的硅沟槽,需要先通过化学气相沉积,在多晶硅栅上生长氧化硅膜层和氮化硅膜层。其中氮化硅膜层用于形成侧墙,控制锗硅沟槽到栅极的距离。而底部的氧化硅层,则是作为氮化硅层的等离子处理机蚀刻停止层和应力缓冲层。然后通过光刻工艺,将 NMOS区用光阻覆盖,PMOS区暴露。接着需要在 PMOS区形成侧墙。侧墙的等离子处理机主蚀刻一般采用CF4气体,蚀刻掉大部分的氮化硅,以不接触到下层衬底硅为宜。过蚀刻采用CH3 F/O2气体,以得到高的氮化硅对氧化硅的蚀刻选择比,以一定量的过蚀刻来清除掉剩余氮化硅。        硅沟槽成型采用等离子处理机干法蚀刻和湿法蚀刻相结合的工艺。干法蚀刻在电感耦合硅蚀刻机中进行体硅蚀刻,采用HBr/O2气体工艺,对于侧墙和栅极硬掩膜层具有较高的选择比,可以有效地防止多晶硅栅极的暴露,避免在后续的外延工艺时,在栅极生长出多余的锗硅缺陷。这种多余的锗硅缺陷会造成栅极和通孔的短路失效。湿法蚀刻采用四甲基氢氧化铵,为无色或微黄液体,具有类似胺类气味,极易溶于水中,其溶液是一种强碱性溶液,在半导体中除了常被曝光工艺用来作为显影液外,也常被用来作为硅的蚀刻溶液。 Etchant Etch rate ratio Etch rate(absolute Advantages(+) Disadvantages(-)   (100) /(111) (110) /(111) (100) Si3N4 SiO2   KOH (44%,85℃) 300 6o0 1.4μm/min <0.1nm/min <1.4nm/min (-)metal ion containing (+)strongly anisotropic TMAH (25%,80 ℃) 37 68 o.3-1μm/min <0.lnm/tmin <0.2nm/min (-)weak anisotropic (+)metal ion Iree EDP (115℃) 20 10 1.25μm/min o.1nm/min 0.2nm/min (-)weak anisotropic, toxic (+)metal ion free,metallic hard masks possible  

等离子处理机西格玛型锗硅沟槽成型控制

【概要描述】在Р型源漏区形成西格玛型的硅沟槽,需要先通过化学气相沉积,在多晶硅栅上生长氧化硅膜层和氮化硅膜层。其中氮化硅膜层用于形成侧墙,控制锗硅沟槽到栅极的距离。而底部的氧化硅层,则是作为氮化硅层的等离子处理机蚀刻停止层和应力缓冲层。然后通过光刻工艺,将 NMOS区用光阻覆盖,PMOS区暴露。接着需要在 PMOS区形成侧墙。侧墙的等离子处理机主蚀刻一般采用CF4气体,蚀刻掉大部分的氮化硅,以不接触到下层衬底硅为宜。过蚀刻采用CH3 F/O2气体,以得到高的氮化硅对氧化硅的蚀刻选择比,以一定量的过蚀刻来清除掉剩余氮化硅。

       硅沟槽成型采用等离子处理机干法蚀刻和湿法蚀刻相结合的工艺。干法蚀刻在电感耦合硅蚀刻机中进行体硅蚀刻,采用HBr/O2气体工艺,对于侧墙和栅极硬掩膜层具有较高的选择比,可以有效地防止多晶硅栅极的暴露,避免在后续的外延工艺时,在栅极生长出多余的锗硅缺陷。这种多余的锗硅缺陷会造成栅极和通孔的短路失效。湿法蚀刻采用四甲基氢氧化铵,为无色或微黄液体,具有类似胺类气味,极易溶于水中,其溶液是一种强碱性溶液,在半导体中除了常被曝光工艺用来作为显影液外,也常被用来作为硅的蚀刻溶液。





Etchant


Etch rate ratio


Etch rate(absolute


Advantages(+)

Disadvantages(-)




 


(100)

/(111)


(110)

/(111)


(100)


Si3N4


SiO2


 




KOH

(44%,85℃)


300


6o0


1.4μm/min


<0.1nm/min


<1.4nm/min


(-)metal ion containing

(+)strongly anisotropic




TMAH

(25%,80 ℃)


37


68


o.3-1μm/min


<0.lnm/tmin


<0.2nm/min


(-)weak anisotropic

(+)metal ion Iree




EDP

(115℃)


20


10


1.25μm/min


o.1nm/min


0.2nm/min


(-)weak anisotropic, toxic

(+)metal ion free,metallic

hard masks possible





 


  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2020-11-09 09:34
  • 访问量:
详情

等离子处理机西格玛型锗硅沟槽成型控制:

 

       在Р型源漏区形成西格玛型的硅沟槽,需要先通过化学气相沉积,在多晶硅栅上生长氧化硅膜层和氮化硅膜层。其中氮化硅膜层用于形成侧墙,控制锗硅沟槽到栅极的距离。而底部的氧化硅层,则是作为氮化硅层的等离子处理机蚀刻停止层和应力缓冲层。然后通过光刻工艺,将 NMOS区用光阻覆盖,PMOS区暴露。接着需要在 PMOS区形成侧墙。侧墙的等离子处理机主蚀刻一般采用CF4气体,蚀刻掉大部分的氮化硅,以不接触到下层衬底硅为宜。过蚀刻采用CH3 F/O2气体,以得到高的氮化硅对氧化硅的蚀刻选择比,以一定量的过蚀刻来清除掉剩余氮化硅。

 

       硅沟槽成型采用等离子处理机干法蚀刻和湿法蚀刻相结合的工艺。干法蚀刻在电感耦合硅蚀刻机中进行体硅蚀刻,采用HBr/O2气体工艺,对于侧墙和栅极硬掩膜层具有较高的选择比,可以有效地防止多晶硅栅极的暴露,避免在后续的外延工艺时,在栅极生长出多余的锗硅缺陷。这种多余的锗硅缺陷会造成栅极和通孔的短路失效。湿法蚀刻采用四甲基氢氧化铵,为无色或微黄液体,具有类似胺类气味,极易溶于水中,其溶液是一种强碱性溶液,在半导体中除了常被曝光工艺用来作为显影液外,也常被用来作为硅的蚀刻溶液。

 

Etchant

Etch rate ratio

Etch rate(absolute

Advantages(+)

Disadvantages(-)

 

(100)

/(111)

(110)

/(111)

(100)

Si3N4

SiO2

 

KOH

(44%,85℃)

300

6o0

1.4μm/min

<0.1nm/min

<1.4nm/min

(-)metal ion containing

(+)strongly anisotropic

TMAH

(25%,80 ℃)

37

68

o.3-1μm/min

<0.lnm/tmin

<0.2nm/min

(-)weak anisotropic

(+)metal ion Iree

EDP

(115℃)

20

10

1.25μm/min

o.1nm/min

0.2nm/min

(-)weak anisotropic, toxic

(+)metal ion free,metallic

hard masks possible

 

等离子处理机西格玛型锗硅沟槽成型控制

扫二维码用手机看

相关资讯

深圳市诚峰智造有限公司

坚持以品质为立足之本,诚信为经营之道,以创新为发展之源,以服务为价值之巅

©深圳市诚峰智造有限公司版权所有 粤ICP备19006998号
dh

电话:0755-3367 3020 /0755-3367 3019

dh

邮箱:sales-sfi@sfi-crf.com

dh

地址:深圳市宝安区黄埔孖宝工业区