深圳市诚峰智造有限公司,欢迎您!

电话:13632675935/0755-3367 3020

img
搜索
确认
取消
新闻中心

新闻中心

专业致力于提供电子行业的制造设备及工艺流程解决方案的plasma等离子体高新技术企业
新闻中心

等离子体渗氮设备工艺技术原理

  • 分类:公司动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2020-11-05
  • 访问量:

【概要描述】普通等离子体氮化工艺要求气体压力为3~10mbar,以保证等离子体与基底的完全接触。对与复杂形状的基底,如表面小沟槽或螺纹等,等离子体渗氮设备参数在复杂形状的附近分布会有一定的差异,引起周围电场的变化,从而改变该区域的离子浓度和离子轰击能量。若采用常规的等离子体渗氮,则在等离子体鞘层更容易发生离子碰撞,从而导致离子的能量降低,也更难激活更多氧化物金属表面,如不锈钢等。这复杂形状的基底条件也会导致区域温度过热,并且氮化特征与其它基底条件不同。但由于采用常规的等离子体渗氮工艺产生的这种异常辉光放电,放电参数是相互关联耦合的,因此不可能通过单独改变某一放电参数来控制氮化过程。          为解决这一问题,研究者们研制出低压等离子体,当气压低于10PA时,它不会产生异常的辉光放电。在射频作用下,热丝会产生一系列低气压的等离子体,这些等离子体充满了整个处理空间,其中含有大量的活性原子,这样就可以提高氮化效率。RF等离子体设备氮化过程中,等离子体的产生与基底偏压的控制是分开的,因此可以分别控制离子能量和基底表面通量。因工作气压较低,消耗的气量也相应减少。          使用低能量直流辉光放电产生NH原子团进行氮化,利用这些高活性的原子团进行氮化,整个流程需要一台外接电源加热工件,其过程类似于气体氮化。该工艺不仅能控制表面拓扑,还能选择是否形成复合物层,并能在不改变表面结构特征的前提下,控制复合物层厚度和扩散层深度。如果金属表面有窄小的缝隙和孔洞,采用该工艺也能轻松实现氮化。          常规的等离子体氮化工艺采用直流或脉冲异常辉光放电。该技术在低合金钢和工具钢中的氮化处理效果较好,但对于不锈钢,尤其是奥氏体结构不锈钢,效果较差。氮化工艺在高温下会析出CrN,因此金属表面非常坚硬且耐磨,但缺点是容易腐蚀。利用该工艺制备的改性层含有一种名为扩展奥氏体的富氮层,通过低温和低压放电技术成功地解决了这一问题。

等离子体渗氮设备工艺技术原理

【概要描述】普通等离子体氮化工艺要求气体压力为3~10mbar,以保证等离子体与基底的完全接触。对与复杂形状的基底,如表面小沟槽或螺纹等,等离子体渗氮设备参数在复杂形状的附近分布会有一定的差异,引起周围电场的变化,从而改变该区域的离子浓度和离子轰击能量。若采用常规的等离子体渗氮,则在等离子体鞘层更容易发生离子碰撞,从而导致离子的能量降低,也更难激活更多氧化物金属表面,如不锈钢等。这复杂形状的基底条件也会导致区域温度过热,并且氮化特征与其它基底条件不同。但由于采用常规的等离子体渗氮工艺产生的这种异常辉光放电,放电参数是相互关联耦合的,因此不可能通过单独改变某一放电参数来控制氮化过程。

 

       为解决这一问题,研究者们研制出低压等离子体,当气压低于10PA时,它不会产生异常的辉光放电。在射频作用下,热丝会产生一系列低气压的等离子体,这些等离子体充满了整个处理空间,其中含有大量的活性原子,这样就可以提高氮化效率。RF等离子体设备氮化过程中,等离子体的产生与基底偏压的控制是分开的,因此可以分别控制离子能量和基底表面通量。因工作气压较低,消耗的气量也相应减少。

 

       使用低能量直流辉光放电产生NH原子团进行氮化,利用这些高活性的原子团进行氮化,整个流程需要一台外接电源加热工件,其过程类似于气体氮化。该工艺不仅能控制表面拓扑,还能选择是否形成复合物层,并能在不改变表面结构特征的前提下,控制复合物层厚度和扩散层深度。如果金属表面有窄小的缝隙和孔洞,采用该工艺也能轻松实现氮化。

 

       常规的等离子体氮化工艺采用直流或脉冲异常辉光放电。该技术在低合金钢和工具钢中的氮化处理效果较好,但对于不锈钢,尤其是奥氏体结构不锈钢,效果较差。氮化工艺在高温下会析出CrN,因此金属表面非常坚硬且耐磨,但缺点是容易腐蚀。利用该工艺制备的改性层含有一种名为扩展奥氏体的富氮层,通过低温和低压放电技术成功地解决了这一问题。


  • 分类:公司动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2020-11-05 08:57
  • 访问量:
详情

等离子体渗氮设备工艺技术原理:

 

       普通等离子体氮化工艺要求气体压力为3~10mbar,以保证等离子体与基底的完全接触。对与复杂形状的基底,如表面小沟槽或螺纹等,等离子体渗氮设备参数在复杂形状的附近分布会有一定的差异,引起周围电场的变化,从而改变该区域的离子浓度和离子轰击能量。若采用常规的等离子体渗氮,则在等离子体鞘层更容易发生离子碰撞,从而导致离子的能量降低,也更难激活更多氧化物金属表面,如不锈钢等。这复杂形状的基底条件也会导致区域温度过热,并且氮化特征与其它基底条件不同。但由于采用常规的等离子体渗氮工艺产生的这种异常辉光放电,放电参数是相互关联耦合的,因此不可能通过单独改变某一放电参数来控制氮化过程。

 

       为解决这一问题,研究者们研制出低压等离子体,当气压低于10PA时,它不会产生异常的辉光放电。在射频作用下,热丝会产生一系列低气压的等离子体,这些等离子体充满了整个处理空间,其中含有大量的活性原子,这样就可以提高氮化效率。RF等离子体设备氮化过程中,等离子体的产生与基底偏压的控制是分开的,因此可以分别控制离子能量和基底表面通量。因工作气压较低,消耗的气量也相应减少。

 

       使用低能量直流辉光放电产生NH原子团进行氮化,利用这些高活性的原子团进行氮化,整个流程需要一台外接电源加热工件,其过程类似于气体氮化。该工艺不仅能控制表面拓扑,还能选择是否形成复合物层,并能在不改变表面结构特征的前提下,控制复合物层厚度和扩散层深度。如果金属表面有窄小的缝隙和孔洞,采用该工艺也能轻松实现氮化。

 

       常规的等离子体氮化工艺采用直流或脉冲异常辉光放电。该技术在低合金钢和工具钢中的氮化处理效果较好,但对于不锈钢,尤其是奥氏体结构不锈钢,效果较差。氮化工艺在高温下会析出CrN,因此金属表面非常坚硬且耐磨,但缺点是容易腐蚀。利用该工艺制备的改性层含有一种名为扩展奥氏体的富氮层,通过低温和低压放电技术成功地解决了这一问题。

等离子体渗氮设备工艺技术原理

扫二维码用手机看

相关资讯

深圳市诚峰智造有限公司

坚持以品质为立足之本,诚信为经营之道,以创新为发展之源,以服务为价值之巅

©深圳市诚峰智造有限公司版权所有 粤ICP备19006998号
dh

电话:0755-3367 3020 /0755-3367 3019

dh

邮箱:sales-sfi@sfi-crf.com

dh

地址:深圳市宝安区黄埔孖宝工业区