晶圆表面微小污染物可以是纳米颗粒大小用plasma清洗有特效

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• 作者：等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
• 来源：plasma设备
• 发布时间：2022-10-24
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【概要描述】晶圆表面微小污染物可以是纳米颗粒大小用plasma清洗有特效：         国外的封锁也伴随着国内高尖端技术的不断研发，LED行业对环保和特性的标准逐渐提高。LED在行业内，晶圆是整个行业LED去除晶圆光刻胶的重要组成部分是LED整个部件最重要的技术部分。LED技术的关键。说到晶圆，我们会谈论光刻胶和蚀刻。晶圆光刻胶是一种有机化合物胶，在光线下，特别是紫外线光下，在显影液中的溶解度会凝结。曝光后烘烤成固体。         光刻的整个过程是这样的，使用时，wafer(晶圆)安装在每分钟可以转几千转的转盘上。几滴光刻胶溶液滴入旋转中wafer在中心，离心力将溶液扔到表面的所有部位。光刻胶溶液粘附在表面wafer在上面形成一层均匀的薄膜。旋转过程中多余的溶液wafer它被移除了。薄膜在几秒钟内缩小到最终厚度，溶剂迅速蒸发，wafer上面留下了一层薄薄的光刻胶。最后，通过烘烤去除剩余的溶剂，使光刻胶变硬，以便后续处理。wafer对特定波成的光非常敏感，尤其是紫外线（UV）线。相对而言，他们仍然对其他波长不敏感，包括红色、橙色和黄光。因此，大多数光刻车间都有特殊的黄光系统。        去胶清洗过程中，去除光刻胶，这胶又称光学耐腐蚀剂，是由光敏树脂、增感剂和溶剂组成的混合液体。光刻胶应具有相对较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖性。光照后，光固化反应可在曝光区快速发生，使光刻胶的物理性能，特别是溶解性和亲和力发生显著变化。紫外线辐射迅速凝结成固体。        光刻胶通过曝光、显影和蚀刻在每个结构表面形成所需的图案。在后一层处理中，需要完全去除前一次使用后的光刻胶。 通过预定义的图形去除不必要的局域，保留要留下的区域，并将图形转移到所选图形的过程需要plasma清洗处理。 plasma清洗处理具有以下优点：剖面满意，钻孔小，表面和电路损坏小，清洁、经济、安全。选择比大，蚀刻均匀性好，重复性高。处理过程中不会引入污染，清洁度高。