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去除光刻胶的等离子去胶机对晶圆方面的应用:

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:低温等离子设备生产厂家
  • 发布时间:2022-08-12
  • 访问量:

【概要描述】      等离子去胶机的应用包括前处理、灰化/光刻胶/聚合物剥离、晶圆凸点、静电消除、介质电蚀刻、有机污染消除、晶圆减压等。应用等离子体清洗机,不但可以完全清除光刻胶等有机化合物,还能够激活加粗晶圆表层,提升晶圆表层的亲水性,使晶圆表层具备更高的附着性。   和传统设备相比之下,晶圆光蚀刻胶等离子体清洗机具备很多的优点,设备成本不高,再加上清理流程中气体固相干反应,不耗费水资源,也无需应用更昂贵的有机溶液,使总体成本费用少于常规的湿式清理工艺。此外,它解决了清除晶圆表层光刻胶反应不准确、清洁不彻底、易引入杂质等缺点。也无需有机溶液,不污染环境,属于低成本的绿色清洁方法。        通过预定义的图形清除不需要的区域,保留要保留的区域,并将图形转移到所选的图形上的过程需要等离子体处理。等离子体处理具有以下的优点:获得满意的剖面,钻孔小,选择表面和电路损伤小,清洁、经济、安全。选择大,蚀刻均匀性好,重复性高。在处理过程中不会引入污染,清洁度高。干式清理等离子去胶机具有较强的可控性和良好的一致性,不仅完全清除光刻胶有机质,而且激活和粗化晶圆表层,提升晶圆表层的亲水性。        晶圆清理-等离子去胶机用于在晶圆凸点过程前去除污染,也可以去除有机污染,去除氟等卤素污染,清除金属和金属氧化。 晶圆蚀刻-等离子去胶机前处理晶圆残留光刻胶和BCB,重新分配图形介电层、线/光刻胶蚀,提升晶圆材料表面的附着性,清除多余的塑料密封材料/环氧树脂等有机污染物,提升金焊料凸点的附着性,降低晶圆压力破碎,提升旋转涂层的附着性。

去除光刻胶的等离子去胶机对晶圆方面的应用:

【概要描述】      等离子去胶机的应用包括前处理、灰化/光刻胶/聚合物剥离、晶圆凸点、静电消除、介质电蚀刻、有机污染消除、晶圆减压等。应用等离子体清洗机,不但可以完全清除光刻胶等有机化合物,还能够激活加粗晶圆表层,提升晶圆表层的亲水性,使晶圆表层具备更高的附着性。



  和传统设备相比之下,晶圆光蚀刻胶等离子体清洗机具备很多的优点,设备成本不高,再加上清理流程中气体固相干反应,不耗费水资源,也无需应用更昂贵的有机溶液,使总体成本费用少于常规的湿式清理工艺。此外,它解决了清除晶圆表层光刻胶反应不准确、清洁不彻底、易引入杂质等缺点。也无需有机溶液,不污染环境,属于低成本的绿色清洁方法。
       通过预定义的图形清除不需要的区域,保留要保留的区域,并将图形转移到所选的图形上的过程需要等离子体处理。等离子体处理具有以下的优点:获得满意的剖面,钻孔小,选择表面和电路损伤小,清洁、经济、安全。选择大,蚀刻均匀性好,重复性高。在处理过程中不会引入污染,清洁度高。干式清理等离子去胶机具有较强的可控性和良好的一致性,不仅完全清除光刻胶有机质,而且激活和粗化晶圆表层,提升晶圆表层的亲水性。
       晶圆清理-等离子去胶机用于在晶圆凸点过程前去除污染,也可以去除有机污染,去除氟等卤素污染,清除金属和金属氧化。
晶圆蚀刻-等离子去胶机前处理晶圆残留光刻胶和BCB,重新分配图形介电层、线/光刻胶蚀,提升晶圆材料表面的附着性,清除多余的塑料密封材料/环氧树脂等有机污染物,提升金焊料凸点的附着性,降低晶圆压力破碎,提升旋转涂层的附着性。

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:低温等离子设备生产厂家
  • 发布时间:2022-08-12 17:52
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      等离子去胶机的应用包括前处理、灰化/光刻胶/聚合物剥离、晶圆凸点、静电消除、介质电蚀刻、有机污染消除、晶圆减压等。应用等离子体清洗机,不但可以完全清除光刻胶等有机化合物,还能够激活加粗晶圆表层,提升晶圆表层的亲水性,使晶圆表层具备更高的附着性。

等离子去胶机

  和传统设备相比之下,晶圆光蚀刻胶等离子体清洗机具备很多的优点,设备成本不高,再加上清理流程中气体固相干反应,不耗费水资源,也无需应用更昂贵的有机溶液,使总体成本费用少于常规的湿式清理工艺。此外,它解决了清除晶圆表层光刻胶反应不准确、清洁不彻底、易引入杂质等缺点。也无需有机溶液,不污染环境,属于低成本的绿色清洁方法。
       通过预定义的图形清除不需要的区域,保留要保留的区域,并将图形转移到所选的图形上的过程需要等离子体处理。等离子体处理具有以下的优点:获得满意的剖面,钻孔小,选择表面和电路损伤小,清洁、经济、安全。选择大,蚀刻均匀性好,重复性高。在处理过程中不会引入污染,清洁度高。干式清理等离子去胶机具有较强的可控性和良好的一致性,不仅完全清除光刻胶有机质,而且激活和粗化晶圆表层,提升晶圆表层的亲水性。
       晶圆清理-等离子去胶机用于在晶圆凸点过程前去除污染,也可以去除有机污染,去除氟等卤素污染,清除金属和金属氧化。
晶圆蚀刻-等离子去胶机前处理晶圆残留光刻胶和BCB,重新分配图形介电层、线/光刻胶蚀,提升晶圆材料表面的附着性,清除多余的塑料密封材料/环氧树脂等有机污染物,提升金焊料凸点的附着性,降低晶圆压力破碎,提升旋转涂层的附着性。

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