crf低温等离子发生器清洗有机mos晶体管材料的必要性

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• 作者：等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
• 来源：低温等离子设备生产厂家
• 发布时间：2022-01-03
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【概要描述】crf低温等离子发生器清洗有机mos晶体管材料的必要性：        有机mos晶体管(OFETS)是1种有源设备，它能通过改变栅极电压来改变半导体层的导电特性，然后操纵通过源漏极的电流。有机mos晶体管做为电路中的主要元器件，以其功耗低、高阻抗、低成本、可大面积生产等优点，受到了广泛的重视，并得到了迅速的发展。其组成元器件主要由电极、有机半导体、隔热层和基板组成，这些元器件对OFET的性能有很大影响。通过crf低温等离子发生器对电极、有机半导体、绝缘层和基片进行处理，提高了材料的功能。 1、基片衬底——crf低温等离子发生器等离子处理，除去基片表面杂质，改善表面活性        基片一般在晶体管的底层，首部起着支撑作用。可用作OFET的基片材料：玻璃、硅片、石英、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯萘(PEN)、聚酰亚胺(PI)、聚乙烯(PET)等。无机基板有高熔点、表面光滑的优点，如玻璃、硅片、石英。虽然表面看起来很粗糙，但是这些数据显示了像聚乙烯萘(PEN)和聚乙烯(PET)这样的弹性可弯曲材料。plasma等离子处理机等离子处理的衬底需要在准备阶段对衬底进行处理，以去除衬底表面杂质，提高表面活性。 2、电极处理-crf低温等离子发生器等离子处理        在有机mos晶体管(OFET)中，电极是另一重要元器件。通常认为，当有机半导体层/电极界面的电势垒高度△E<0.4eV时，电极与有机半导体层之间可以形成欧姆接触，对于P型OFET来说，其高已占轨道能级为-4.9eV至-5.5eV，且需选用功函数较高的，常用的有Au(-4.8eV-5.1eV)和ITO(-5.1eV)。普通ITO由于其功函数较低，要求采用进步功函数，因此能利用好准13.56MHz频率VP-R3低温等离子发生器对其进行改进。