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plasam稀有金属纳米颗粒与半导体材料复合的光催化材质

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发布时间:

2021-12-31

plasam稀有金属纳米颗粒与半导体材料复合的光催化材质:
        纳米材料半导体器件碳化硅相氮化碳(g-C3N4)基于其鲜明的结构与性能,已成为太阳能转化与环境治理领域中的研究热点。但是单单层C3N4还存在着比表面积小、电子空穴复合率高等问题,新的plasam材质被提出,可以利用金属表面plasam反应对g-C3N4进行表面突显,因而改善光催化性能。
 
       碳化硅相氮化碳(g-C3N4)仅由C.N元素组成,配制原料便宜,配制方法简单,具有合适的能带位置、良好的光学性质、优异的热稳定性以及化学稳定性。然而,当光照射到氮化碳表面产生电子和空穴时,基于复合率较高,光生电子在到达半导体器件-电解质界面之前复合,这将大大影响光催化的效率。
       科学家们尝试利用金属元素或非金属元素掺杂来达到优化g-C3N4性能的目的。在g-C3N4骨架中引人新元素,因而改变材质的电子结构,达到调节g-C3N4的光学和其它物理特性的效用。
       plasam光催化材质,即基于具有稀有金属纳米颗粒的表面plasam共振效应的金属纳米颗粒与半导体材料复合的光催化材质的,当稀有金属纳米颗粒(主要是Au和Ag,尺寸为几十至几百纳米)分散到半导体器件光催化剂中扩大可见光吸收范围,同时增强光吸收能力。

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