诚峰智造crf等离子体发生器氧等离子体对AlGaN/GaNHEMT表面处理的影响

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• 作者：等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
• 来源：低温等离子设备生产厂家
• 发布时间：2021-12-30
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【概要描述】诚峰智造crf等离子体发生器氧等离子体对AlGaN/GaNHEMT表面处理的影响：         宽禁带光电子器件氮化禾(GaN)，因其优良的物理和化学性能和电性能而成为被广泛研究的光电子器件。该公司已成为继一批光电子器件硅(Si)、第二代光电子器件(GaAs)、磷化铝(GaAs)、磷化铜(InP)之后迅速发展起来的第三代光电子器件。         GaN光电子器件与现有光电子器件相比，表现出一系列优良的物理和化学特性，有着宽禁带宽度、高的饱和状态电子漂移速率、高导热系数和良好的热稳定性等特性，使其成为当前高新技术领域的研究热点。        虽然AlGaN/GaNHEMT的元器件性能一直在全面提高，但要真实达到产品化，使用于电子器件中，仍有很多须要化解的问题，怎样更快更简单的调节元器件闽值工作电压、提高元器件的导通电流就是其中之一。        等离子体发生器等离子体处理是1种简单方便的下降元器件阙值工作电压、提高元器件导通电流的栅表面处理方法。通过氧等离子体对HEMT元器件AIGaN表面进行氧化处理，提高了元器件肖特基势垒，下降了元器件阅值工作电压。另外氧等离子体处理的表面不会引入新的绝缘膜而影响元器件特性。 AlGaN/GaNHEMT元器件在A1GaN与GaN端口上，在GaN与GaN界面上均可形成2DEG的表面通道，而这两个DEG受栅极工作电压控制。        当2DEG处于零偏移时，GaN的导带边沿会逐渐增加，这说明在负工作电压效用下，2DEG的密度会逐渐增加，而当负压达到一定值后，GaN的导带边沿会逐渐增加，GaN的导带边沿高过费米能级，也就是说，2DEG已经用完了，而HEMT的沟道电流几乎为零，所以把这个工作电压叫做阅值工作电压。        在AlGaN表面无等离子体处理的样本A和氧等离子体处理的样本B，对比可以看出，没有经过氧等离子体处理的样本A的Vgs=2V，当Vds=10V时，饱和状态流为0.0687A/毫米=68.7mA/毫米，而样本B在Vgs=2V、Vds=10V时增加的饱和电流为0.0747A/毫米=74.7mA/毫米。结果表明，氧等离子体处理后的装置表面没有损坏，而是增加了装置的饱和电流。         等离子体处理后的样本比处理前高。这表明氧等离子体处理后，装置的大跨度导向和性能得到了改善。在HEMT元器件经氧等离子处理后，阈值电压出现负位移，通过下降电导率，可以提高元器件的饱和状态区电流、跨导，从而达到理论结果。         经等离子体发生器氧等离子体处理后的样本的a下降了，Va减小。这样可以增加元器件的饱和状态传导电流，改善元器件的电性能。适当条件处理HEMTAlGan表面的氧等离子体，可有效下降阆值工作电压，提高饱和状态区电流，提高大跨导，有效应用于高性能GanHEMT设备的制备和使用。