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CRF等离子刻蚀机活化处理等离子体均匀性，调优DOE和电源关闭模式:

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发布时间：

2021-12-29

CRF等离子刻蚀机活化处理等离子体均匀性，调优DOE和电源关闭模式:
CRF等离子刻蚀机活化处理等离子体輔助去静电优化方法觉察程序，调优程序为操纵反应室压力、RF功率、温度、等离子体流量等变量。等离子体表面活化处理等离子体均匀性和射频电源关闭模式的调优，輔助程式调优可以减少晶体上的残余电荷。在去静电过程中，等离子体輔助晶体去静电的过程环节减低了晶体的电荷，在采用行业常用清洗溶液的前提下，最终在一定程度上提高了刻蚀后的产品良率。
去静电试验过程涉及射频电源、耦合电容器、吸附装置、抽气阀和等离子体输入装置。当射频电源与反应离子蚀刻中的晶体连接时，电子撞击晶体的概率大于正离子。由于其反应特性高，电子更容易被晶体表面吸收，导致电荷积累。高浓度等离子体蚀刻机表面活化处理等离子体与晶体表面形成局部静电场，抑制等离子体輔助去静电过程，发生电位突变。晶体整体电位变化较大，偏离目标值，阻碍晶体脱离吸附装置。当采用射频电源按时间比例减少到零时，晶体整体电位变化较小，去静电过程越稳定。
调优等离子刻蚀机輔助静电去除过程；通过检测晶体残余电荷和透射光学显微镜对金属层的剖析，调优过程的可行性和有效性。该方法在提高工艺可靠性和产品良率方面有很好的应用，但是优化方法增加了工艺环节和成本。调优等离子体均匀性和等离子体刻蚀机的活化处理，同时调优DOE，降低成本。