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大气等离子清洗机活化等离子蚀刻工艺去静电步骤

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发布时间：

2021-12-29

大气等离子清洗机活化等离子蚀刻工艺去静电步骤：
随着半导体制造技术的发展和工艺节点的减少，后铜互联技术得到了广泛的应用。一般来说，铜互联技术的构造基础是大马士革构造，大马士革构造的蚀刻在后期工艺中占有重要地位。后蚀刻方法有多种，如先蚀刻通孔，再蚀刻通孔，同时蚀刻通孔。但无论如何，蚀刻后晶片往往有静电残留，静电去除的质量直接影响通道和通孔的质量。
在后期大气等离子清洗机等离子电介质蚀刻后的清洗过程中，行业中常用的一种方法是使用水溶性多组分有机混合物。后期等离子蚀刻的污染和清洗技术可以通过清洗过程中的水溶性多组分有机主体混合物(溶液A)去除通孔和沟渠中残留的硅、碳、铜等副产品。大气等离子清洗机蚀刻后，铜线表面存在部分电荷残留，在后续溶液清洗过程中会造成严重的铜损失。
清洗溶液的变化可以适当地调整晶圆静电残留物。与大气等离子清洗机不同，另一种清洗溶液（溶液B）（主体为有机电解质，不易与铜金属发生离子反应）与上述溶液的清洗效果进行比较。用溶液B清洗后，铜金属层没有大面积元素稀疏，铜损失造成的产品良率也没有降低。这表明铜损失的主要原因是晶片表面有残留电荷，溶液B不易与铜金属发生离子反应。但是溶液B对硅铜、碳、铜渣的净化能力很差，而且破坏过程中对金属层两侧的电介电常数(K)值增大。考虑到残留物的清洗和清洗效果，不能从根本上解决残留电荷问题。