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经电浆清洗机处理后,IP胶对DIW的表面张力有所下降

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发布时间:

2021-12-15

经电浆清洗机处理后,IP胶对DIW的表面张力有所下降:
       IP胶是1种普遍使用于0.25μm光掩模设计标准及下述工序中的光刻胶,其中IP3600是1种常用于0.25DRHline光掩模的光刻胶。IP胶甚至用于130纳米相移掩模技术的二次掩模加工。

电浆清洗机       IP胶是1种依托于酚醛树脂的光刻胶。它与poly胶的主要区别在于胶体表面耐分解现象明显,即润湿性差。对IP胶而言,润湿性差,会使显影液在显影过程中很难均衡地作用于胶体表面,产生缺陷或造成显影不全。如何改进显影前IP胶的润湿性,是IP胶显影技术的难点之一。
在半导体制造和包装领域,电浆清洗机是一种常用的预清洗方法,它能物理地清除硅片或晶片表面的污染(例如自然氧化层、灰粒、有机污染物等)。)等离子体表面对IP胶表面进行预处理,以改进胶面的粗糙度,进而改进去离子水湿润胶表面的均衡性,防止IP胶润湿性问题所引起的显影缺陷。
在处理电浆清洗机表面时,等离子体的轰击会损失IP胶的薄厚。进行电浆轰击时,应考虑电浆轰击造成IP膜薄厚的损失。
等离子体清洗机表面处理后,IP胶薄厚由处理前的564.4纳米降到561.2纳米,薄厚损失约3.2纳米,与IP胶显影前薄厚的可控偏差(565+10)纳米相比,减少了3.2纳米。结果表明,尽管表面轰击作用会导致IP胶薄厚的损失,但处理等离子体动能低,且延迟时间短,
经过电浆洗机处理后,IP胶对DIW的表面张力有所降低,即不再处理静态表面张力的77°降到45°,不处理前表面张力的88°下降到51°,还将从未处理过的后表面张力降低到10°下述。结果表明,电浆在IP胶表面被轰击后,表面微粗糙度增加,从而加强IP胶对水的吸咐、渗透系数,并改进IP胶表面的润湿性。
在显影前的水冲洗步骤中,通过电浆清洗机的掩模板可以清楚地看到其表面水滴变小,密集均衡地分布在胶表面,这也表明其润湿性和显影均衡性得到了显著提高。

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