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半导体等离子清洗机制造应用

  • 分类:公司动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2020-09-25
  • 访问量:

【概要描述】等离子体辅助清洗技术是先进制造业中的一种精密清洗技术,可广泛应用于很多行业,下面为大家介绍一下,等离子体清洗技术在半导体制造业中的应用。         化学气相沉积(CVD)和刻蚀在半导体加工中得到了广泛的应用,CVD可用于多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、二氧化硅薄膜和钨等金属薄膜的沉积。另外,微三级管和电路中起连接作用的细导线也采用了CVD技术在绝缘层上。         CVD反应过后,部分残留物会在CVD反应腔内壁沉积,这里的危险在于,这些残留物将从内壁脱离出来,污染了随后的循环过程。所以,在新的沉积工艺开始之前,需要用等离子清洗机清洗CVD腔,以保持合格产品输出。常用的清洗气体是PFCs和SF6等含F气体,可作为等离子体发生气体用来清洗CVD腔室壁上的Sio2或Si3N4。再循环过程中,FFC在等离子体作用下分解出的F原子能刻蚀掉电极、腔室壁上的残留物,以及腔内五金器件上的残留物。         在等离子清洗机清洗的过程中,有相当一部分腔室内的FFC并没有离解为活性F原子。除非采用减少排放技术,不然这部分未反应的含F气体将流入大气层。由于这些气体在大气中存在时间较长,将大大加剧全球变暖,其热量比二氧化碳高出4个量级,因此,环境组织从1994年起就开始开发技术来减少这些气体的排放。氮气对温室效应的影响不大,可代替上述含F气体。         半导体工业中的另一个生产步骤是使用等离子清洗机来清洗硅胶片上元件表面的感光有机材料制造的光刻胶。在沉淀过程开始之前,残余的光刻胶必须清除干净,使用热硫酸和过氧化氢溶液或其它有毒有机溶剂对胶体进行脱胶,这样会导致环保问题,但采用等离子清洗机清洗时,可采用三氧化硫等气体脱胶,从而减少了对化学溶剂和有机溶剂的依赖。对一般生产厂家而言,采用等离子去胶技术,可使化学溶液用量减少上千倍不止,不仅环保,而且为企业节省了大量资金。

半导体等离子清洗机制造应用

【概要描述】等离子体辅助清洗技术是先进制造业中的一种精密清洗技术,可广泛应用于很多行业,下面为大家介绍一下,等离子体清洗技术在半导体制造业中的应用。

        化学气相沉积(CVD)和刻蚀在半导体加工中得到了广泛的应用,CVD可用于多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、二氧化硅薄膜和钨等金属薄膜的沉积。另外,微三级管和电路中起连接作用的细导线也采用了CVD技术在绝缘层上。

        CVD反应过后,部分残留物会在CVD反应腔内壁沉积,这里的危险在于,这些残留物将从内壁脱离出来,污染了随后的循环过程。所以,在新的沉积工艺开始之前,需要用等离子清洗机清洗CVD腔,以保持合格产品输出。常用的清洗气体是PFCs和SF6等含F气体,可作为等离子体发生气体用来清洗CVD腔室壁上的Sio2或Si3N4。再循环过程中,FFC在等离子体作用下分解出的F原子能刻蚀掉电极、腔室壁上的残留物,以及腔内五金器件上的残留物。

        在等离子清洗机清洗的过程中,有相当一部分腔室内的FFC并没有离解为活性F原子。除非采用减少排放技术,不然这部分未反应的含F气体将流入大气层。由于这些气体在大气中存在时间较长,将大大加剧全球变暖,其热量比二氧化碳高出4个量级,因此,环境组织从1994年起就开始开发技术来减少这些气体的排放。氮气对温室效应的影响不大,可代替上述含F气体。

        半导体工业中的另一个生产步骤是使用等离子清洗机来清洗硅胶片上元件表面的感光有机材料制造的光刻胶。在沉淀过程开始之前,残余的光刻胶必须清除干净,使用热硫酸和过氧化氢溶液或其它有毒有机溶剂对胶体进行脱胶,这样会导致环保问题,但采用等离子清洗机清洗时,可采用三氧化硫等气体脱胶,从而减少了对化学溶剂和有机溶剂的依赖。对一般生产厂家而言,采用等离子去胶技术,可使化学溶液用量减少上千倍不止,不仅环保,而且为企业节省了大量资金。


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  • 发布时间:2020-09-25 09:04
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半导体等离子清洗机制造应用:

        等离子体辅助清洗技术是先进制造业中的一种精密清洗技术,可广泛应用于很多行业,下面为大家介绍一下,等离子体清洗技术在半导体制造业中的应用

        化学气相沉积(CVD)和刻蚀在半导体加工中得到了广泛的应用,CVD可用于多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、二氧化硅薄膜和钨等金属薄膜的沉积。另外,微三级管和电路中起连接作用的细导线也采用了CVD技术在绝缘层上。

        CVD反应过后,部分残留物会在CVD反应腔内壁沉积,这里的危险在于,这些残留物将从内壁脱离出来,污染了随后的循环过程。所以,在新的沉积工艺开始之前,需要用等离子清洗机清洗CVD腔,以保持合格产品输出。常用的清洗气体是PFCs和SF6等含F气体,可作为等离子体发生气体用来清洗CVD腔室壁上的Sio2或Si3N4。再循环过程中,FFC在等离子体作用下分解出的F原子能刻蚀掉电极、腔室壁上的残留物,以及腔内五金器件上的残留物。

        在等离子清洗机清洗的过程中,有相当一部分腔室内的FFC并没有离解为活性F原子。除非采用减少排放技术,不然这部分未反应的含F气体将流入大气层。由于这些气体在大气中存在时间较长,将大大加剧全球变暖,其热量比二氧化碳高出4个量级,因此,环境组织从1994年起就开始开发技术来减少这些气体的排放。氮气对温室效应的影响不大,可代替上述含F气体。

        半导体工业中的另一个生产步骤是使用等离子清洗机来清洗硅胶片上元件表面的感光有机材料制造的光刻胶。在沉淀过程开始之前,残余的光刻胶必须清除干净,使用热硫酸和过氧化氢溶液或其它有毒有机溶剂对胶体进行脱胶,这样会导致环保问题,但采用等离子清洗机清洗时,可采用三氧化硫等气体脱胶,从而减少了对化学溶剂和有机溶剂的依赖。对一般生产厂家而言,采用等离子去胶技术,可使化学溶液用量减少上千倍不止,不仅环保,而且为企业节省了大量资金。

半导体等离子清洗机

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