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诚峰plasma设备涵盖有颗粒、有(机)物、金属和氧化物

  • 分类:公司动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:低温等离子设备生产厂家
  • 发布时间:2021-10-12
  • 访问量:

【概要描述】诚峰plasma设备涵盖有颗粒、有(机)物、金属和氧化物 一、诚峰plasma设备颗粒        颗粒主要是一些聚合物、光刻胶和蚀刻杂质等。这类污染物通常主要依靠范德瓦尔斯吸引力吸附在圆片表面,影响器件光刻工序的几何图形的形成及电学参数。这类污染物的去除方法主要以物理或化学的方法对颗粒进行底切,逐渐减小其与圆片表面的接触面积,终将其去除。   二、诚峰plasma设备有(机)物        有(机)物杂质的来源比较广泛,如人的皮肤油脂、细(菌)、机械油、真空脂、光刻胶、清洗溶剂等。这类污染物通常在圆片表面形成有(机)物薄膜阻止清洗液到达圆片表面,导致圆片表面清洗不彻底,使得金属杂质等污染物在清洗之后仍完整的保留在圆片表面。这类污染物的去除常常在清洗工序的第壹步进行,主要使用硫酸和双氧水等方法进行。 三、诚峰plasma设备金属         半导体工艺中常见的金属杂质有铁、铜、铝、铬、钨、钛、钠、钾、锂等,这些杂质的来源主要有:各种器皿、管道、化学试剂,以及半导体圆片加工过程中,在形成金属互连的同时,也产生了各种金属污染。这类杂质的去除常采用化学方法进行,通过各种试剂和化学药品配制的清洗液与金属离子反应,形成金属离子的络合物,脱离圆片表面。 四、诚峰plasma设备氧化物        半导体圆片暴露在含氧气及水的环境下表面会形成自然氧化层。这层氧化薄膜不但会妨碍半导体制造的许多工步,还包含了某些金属杂质,在一定条件下,它们会转移到圆片中形成电学缺陷。这层氧化薄膜的去除常采用稀氢氟酸浸泡完成。

诚峰plasma设备涵盖有颗粒、有(机)物、金属和氧化物

【概要描述】诚峰plasma设备涵盖有颗粒、有(机)物、金属和氧化物
一、诚峰plasma设备颗粒
       颗粒主要是一些聚合物、光刻胶和蚀刻杂质等。这类污染物通常主要依靠范德瓦尔斯吸引力吸附在圆片表面,影响器件光刻工序的几何图形的形成及电学参数。这类污染物的去除方法主要以物理或化学的方法对颗粒进行底切,逐渐减小其与圆片表面的接触面积,终将其去除。
 

二、诚峰plasma设备有(机)物
       有(机)物杂质的来源比较广泛,如人的皮肤油脂、细(菌)、机械油、真空脂、光刻胶、清洗溶剂等。这类污染物通常在圆片表面形成有(机)物薄膜阻止清洗液到达圆片表面,导致圆片表面清洗不彻底,使得金属杂质等污染物在清洗之后仍完整的保留在圆片表面。这类污染物的去除常常在清洗工序的第壹步进行,主要使用硫酸和双氧水等方法进行。
三、诚峰plasma设备金属
        半导体工艺中常见的金属杂质有铁、铜、铝、铬、钨、钛、钠、钾、锂等,这些杂质的来源主要有:各种器皿、管道、化学试剂,以及半导体圆片加工过程中,在形成金属互连的同时,也产生了各种金属污染。这类杂质的去除常采用化学方法进行,通过各种试剂和化学药品配制的清洗液与金属离子反应,形成金属离子的络合物,脱离圆片表面。
四、诚峰plasma设备氧化物
       半导体圆片暴露在含氧气及水的环境下表面会形成自然氧化层。这层氧化薄膜不但会妨碍半导体制造的许多工步,还包含了某些金属杂质,在一定条件下,它们会转移到圆片中形成电学缺陷。这层氧化薄膜的去除常采用稀氢氟酸浸泡完成。

  • 分类:公司动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:低温等离子设备生产厂家
  • 发布时间:2021-10-12 11:05
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诚峰plasma设备涵盖有颗粒、有(机)物、金属和氧化物
一、诚峰plasma设备颗粒
       颗粒主要是一些聚合物、光刻胶和蚀刻杂质等。这类污染物通常主要依靠范德瓦尔斯吸引力吸附在圆片表面,影响器件光刻工序的几何图形的形成及电学参数。这类污染物的去除方法主要以物理或化学的方法对颗粒进行底切,逐渐减小其与圆片表面的接触面积,终将其去除。

 

二、诚峰plasma设备有(机)物
       有(机)物杂质的来源比较广泛,如人的皮肤油脂、细(菌)、机械油、真空脂、光刻胶、清洗溶剂等。这类污染物通常在圆片表面形成有(机)物薄膜阻止清洗液到达圆片表面,导致圆片表面清洗不彻底,使得金属杂质等污染物在清洗之后仍完整的保留在圆片表面。这类污染物的去除常常在清洗工序的第壹步进行,主要使用硫酸和双氧水等方法进行。
三、诚峰plasma设备金属
        半导体工艺中常见的金属杂质有铁、铜、铝、铬、钨、钛、钠、钾、锂等,这些杂质的来源主要有:各种器皿、管道、化学试剂,以及半导体圆片加工过程中,在形成金属互连的同时,也产生了各种金属污染。这类杂质的去除常采用化学方法进行,通过各种试剂和化学药品配制的清洗液与金属离子反应,形成金属离子的络合物,脱离圆片表面。
四、诚峰plasma设备氧化物
       半导体圆片暴露在含氧气及水的环境下表面会形成自然氧化层。这层氧化薄膜不但会妨碍半导体制造的许多工步,还包含了某些金属杂质,在一定条件下,它们会转移到圆片中形成电学缺陷。这层氧化薄膜的去除常采用稀氢氟酸浸泡完成。

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