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在微电子技术的应用中去除光刻胶_等离子体刻蚀机效果怎么样?

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:低温等离子设备生产厂家
  • 发布时间:2021-09-07
  • 访问量:

【概要描述】        等离子体刻蚀机借助于电子、自由基、离子在电压下形成辉光放电,实现常规清洗方式不能实现的作用。等离子体是物质的一种状态,又称物质的第四种状态,不属于常见的固液气三种状态。对气体施加足够的能量使其离化成等离子状态。等离子体的活性成份包括离子、电子、原子、活性基团、激发态核素(亚稳态)、光子等。等离子体刻蚀机是借助于这类活性成份的性质来处理样品表层,进而实现清洁和涂覆的目的。通过化学或物理作用处理产品表层,能够除去分子结构水准的污物,进而提高产品表层的活性。除去的污物可能包括有机物、环氧树脂、光刻胶、氧化物、微粒污物等,因此等离子体刻蚀机是一种高精度离子注入。        在微电子技术中,光刻胶是微电子技术中的关键材料之一。当我们对其表层进行化学或机械处理时,其主要作用是保护其下方的光刻胶。无需再使用光刻胶作为保护层,离子注入或干法刻蚀后就可以去掉。光刻胶去胶作用太弱,影响生产效率。去胶作用太强,容易造成基础损坏,影响整个产品的成品率。        借助于等离子体刻蚀机技术除去光刻胶,需要通过氧原子核和光刻胶在等离子体环境中的反应来除去光刻胶。由于光刻胶的基本成分是碳氢有机物,氧气在射频或微波的作用下电离成氧原子,与光刻胶发生化学反应,形成CO、CO和水,然后通过泵真空抽走,完成光刻胶的除去。        传统的主流去胶方法是湿法去胶,成本低,效率高。然而,随着技术的不断迭代和更新,越来越多的超大型集成电路制造商开始使用等离子清洗去胶。与传统的湿法去胶工艺不同,等离子体刻蚀机不需要浸泡化学溶剂或干燥。去胶过程更容易控制,避免过多计算基础,提高产品成品率。

在微电子技术的应用中去除光刻胶_等离子体刻蚀机效果怎么样?

【概要描述】        等离子体刻蚀机借助于电子、自由基、离子在电压下形成辉光放电,实现常规清洗方式不能实现的作用。等离子体是物质的一种状态,又称物质的第四种状态,不属于常见的固液气三种状态。对气体施加足够的能量使其离化成等离子状态。等离子体的活性成份包括离子、电子、原子、活性基团、激发态核素(亚稳态)、光子等。等离子体刻蚀机是借助于这类活性成份的性质来处理样品表层,进而实现清洁和涂覆的目的。通过化学或物理作用处理产品表层,能够除去分子结构水准的污物,进而提高产品表层的活性。除去的污物可能包括有机物、环氧树脂、光刻胶、氧化物、微粒污物等,因此等离子体刻蚀机是一种高精度离子注入。
       在微电子技术中,光刻胶是微电子技术中的关键材料之一。当我们对其表层进行化学或机械处理时,其主要作用是保护其下方的光刻胶。无需再使用光刻胶作为保护层,离子注入或干法刻蚀后就可以去掉。光刻胶去胶作用太弱,影响生产效率。去胶作用太强,容易造成基础损坏,影响整个产品的成品率。
       借助于等离子体刻蚀机技术除去光刻胶,需要通过氧原子核和光刻胶在等离子体环境中的反应来除去光刻胶。由于光刻胶的基本成分是碳氢有机物,氧气在射频或微波的作用下电离成氧原子,与光刻胶发生化学反应,形成CO、CO和水,然后通过泵真空抽走,完成光刻胶的除去。
       传统的主流去胶方法是湿法去胶,成本低,效率高。然而,随着技术的不断迭代和更新,越来越多的超大型集成电路制造商开始使用等离子清洗去胶。与传统的湿法去胶工艺不同,等离子体刻蚀机不需要浸泡化学溶剂或干燥。去胶过程更容易控制,避免过多计算基础,提高产品成品率。

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
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  • 发布时间:2021-09-07 14:44
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        等离子体刻蚀机借助于电子、自由基、离子在电压下形成辉光放电,实现常规清洗方式不能实现的作用。等离子体是物质的一种状态,又称物质的第四种状态,不属于常见的固液气三种状态。对气体施加足够的能量使其离化成等离子状态。等离子体的活性成份包括离子、电子、原子、活性基团、激发态核素(亚稳态)、光子等。等离子体刻蚀机是借助于这类活性成份的性质来处理样品表层,进而实现清洁和涂覆的目的。通过化学或物理作用处理产品表层,能够除去分子结构水准的污物,进而提高产品表层的活性。除去的污物可能包括有机物、环氧树脂、光刻胶、氧化物、微粒污物等,因此等离子体刻蚀机是一种高精度离子注入。
等离子体刻蚀机       在微电子技术中,光刻胶是微电子技术中的关键材料之一。当我们对其表层进行化学或机械处理时,其主要作用是保护其下方的光刻胶。无需再使用光刻胶作为保护层,离子注入或干法刻蚀后就可以去掉。光刻胶去胶作用太弱,影响生产效率。去胶作用太强,容易造成基础损坏,影响整个产品的成品率。
       借助于等离子体刻蚀机技术除去光刻胶,需要通过氧原子核和光刻胶在等离子体环境中的反应来除去光刻胶。由于光刻胶的基本成分是碳氢有机物,氧气在射频或微波的作用下电离成氧原子,与光刻胶发生化学反应,形成CO、CO和水,然后通过泵真空抽走,完成光刻胶的除去。
       传统的主流去胶方法是湿法去胶,成本低,效率高。然而,随着技术的不断迭代和更新,越来越多的超大型集成电路制造商开始使用等离子清洗去胶。与传统的湿法去胶工艺不同,等离子体刻蚀机不需要浸泡化学溶剂或干燥。去胶过程更容易控制,避免过多计算基础,提高产品成品率。

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