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低温等离子体可以将气体分子分解成化学活性成分

  • 分类:技术支持
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:低温等离子设备生产厂家
  • 发布时间:2021-08-10
  • 访问量:

【概要描述】       低温等离子体可以将气体分子离解或分解成化学活性成分。电路设计的是通过一个掩模向基板传输电路。紫外照射后,用显影方法除去光敏聚合物光刻胶。电路图案一旦在光刻胶上成型,就可以通过刻蚀工艺将图案复制到多晶硅等质地的基膜上,从而形成晶体管门电路,同时利用铝或铜实现元器件之间的互连,或者利用二氧化硅阻断互连路径。蚀刻的作用是把印纹以很精密的方式转移到基底,因此刻蚀过程必须有选择地去除不同的膜层,对基底的腐蚀有很高的选择性。否则,不同导电金属层之间会出现短路。此外,刻蚀工艺还应具有各向异性,以保证印刷图案的精确复制到基底。        低温等离子体可以将气体分子离解或分解成化学活性成分,后者与基底固体表面发生反应,产生挥发性物质,然后被真空泵抽走。通常有四种材料必须刻蚀:硅(杂硅或非杂硅)、电介质(如SiO2或SiN)、金属(通常是铝、铜)和光刻胶。每种材料的化学性质都不同。低温等离子体腐蚀是一种各向异性腐蚀工艺,可以保证腐蚀图案的准确性、特定材料的选择性和腐蚀效果的均匀性。等离子体刻蚀与活性基团同时发生物理刻蚀。从相对简单的平板二极管技术开始,等离子体刻蚀已经发展成为一种價值数百万美元的结合腔。它配有多频发生器、静电吸盘、外壁温控制器和专门为特定薄膜设计的各种过程控制传感器。        SiO2和SiN是SiO2和SiN。二者的化学键可以很高,一般需要CF4、C4F8等,产生高活性氟等离子体能被刻蚀。上述气体产生的等离子体化学性质极其复杂,往往会在基底表面产生聚合物沉积。一般低温等离子体可以将气体分子离解或分解成化学活性成分,去除上述沉积物。

低温等离子体可以将气体分子分解成化学活性成分

【概要描述】       低温等离子体可以将气体分子离解或分解成化学活性成分。电路设计的是通过一个掩模向基板传输电路。紫外照射后,用显影方法除去光敏聚合物光刻胶。电路图案一旦在光刻胶上成型,就可以通过刻蚀工艺将图案复制到多晶硅等质地的基膜上,从而形成晶体管门电路,同时利用铝或铜实现元器件之间的互连,或者利用二氧化硅阻断互连路径。蚀刻的作用是把印纹以很精密的方式转移到基底,因此刻蚀过程必须有选择地去除不同的膜层,对基底的腐蚀有很高的选择性。否则,不同导电金属层之间会出现短路。此外,刻蚀工艺还应具有各向异性,以保证印刷图案的精确复制到基底。
       低温等离子体可以将气体分子离解或分解成化学活性成分,后者与基底固体表面发生反应,产生挥发性物质,然后被真空泵抽走。通常有四种材料必须刻蚀:硅(杂硅或非杂硅)、电介质(如SiO2或SiN)、金属(通常是铝、铜)和光刻胶。每种材料的化学性质都不同。低温等离子体腐蚀是一种各向异性腐蚀工艺,可以保证腐蚀图案的准确性、特定材料的选择性和腐蚀效果的均匀性。等离子体刻蚀与活性基团同时发生物理刻蚀。从相对简单的平板二极管技术开始,等离子体刻蚀已经发展成为一种價值数百万美元的结合腔。它配有多频发生器、静电吸盘、外壁温控制器和专门为特定薄膜设计的各种过程控制传感器。
       SiO2和SiN是SiO2和SiN。二者的化学键可以很高,一般需要CF4、C4F8等,产生高活性氟等离子体能被刻蚀。上述气体产生的等离子体化学性质极其复杂,往往会在基底表面产生聚合物沉积。一般低温等离子体可以将气体分子离解或分解成化学活性成分,去除上述沉积物。

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  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
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  • 发布时间:2021-08-10 21:15
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       低温等离子体可以将气体分子离解或分解成化学活性成分。电路设计的是通过一个掩模向基板传输电路。紫外照射后,用显影方法除去光敏聚合物光刻胶。电路图案一旦在光刻胶上成型,就可以通过刻蚀工艺将图案复制到多晶硅等质地的基膜上,从而形成晶体管门电路,同时利用铝或铜实现元器件之间的互连,或者利用二氧化硅阻断互连路径。蚀刻的作用是把印纹以很精密的方式转移到基底,因此刻蚀过程必须有选择地去除不同的膜层,对基底的腐蚀有很高的选择性。否则,不同导电金属层之间会出现短路。此外,刻蚀工艺还应具有各向异性,以保证印刷图案的精确复制到基底。
 
低温等离子体      低温等离子体可以将气体分子离解或分解成化学活性成分,后者与基底固体表面发生反应,产生挥发性物质,然后被真空泵抽走。通常有四种材料必须刻蚀:硅(杂硅或非杂硅)、电介质(如SiO2或SiN)、金属(通常是铝、铜)和光刻胶。每种材料的化学性质都不同。低温等离子体腐蚀是一种各向异性腐蚀工艺,可以保证腐蚀图案的准确性、特定材料的选择性和腐蚀效果的均匀性。等离子体刻蚀与活性基团同时发生物理刻蚀。从相对简单的平板二极管技术开始,等离子体刻蚀已经发展成为一种價值数百万美元的结合腔。它配有多频发生器、静电吸盘、外壁温控制器和专门为特定薄膜设计的各种过程控制传感器。
       SiO2和SiN是SiO2和SiN。二者的化学键可以很高,一般需要CF4、C4F8等,产生高活性氟等离子体能被刻蚀。上述气体产生的等离子体化学性质极其复杂,往往会在基底表面产生聚合物沉积。一般低温等离子体可以将气体分子离解或分解成化学活性成分,去除上述沉积物。

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