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从三个方面描述了大气等离子体发生器的三种不同处理方法       

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:低温等离子设备生产厂家
  • 发布时间:2021-08-04
  • 访问量:

【概要描述】       大气等离子体发生器的原理是通过化学或物理作用处理部件外表面,清掉分子层次的杂物,为了增进部件外表面的活性。一般来说,杂物主要包括环氧树脂、光刻胶、氧化物和颗粒杂物。不同的杂物应采用不同的工艺参数和气体。常压等离子体发生器主要分为化工清洗、物理清洗和混合清洗。 1.大气等离子体发生器的化工清洗 化工清洗常用的气体有H2、O2、CF4等。这些气体通过电离在等离子体内形成高活性官能团,与杂物进行化学反应。它的作用基理主要是通过等离子体中的官能团与物料的外表面进行化学反应,使非挥发性有机物转变为挥发性形态。化工清洗具有清洗速度快、选择性好的特点,但在清洗过程中可能会在清洗外表面重新产生氧化物,半导体封装的引线键合过程中不允许产生氧化物。因此,如果引线键合过程中需要化工清洗,需要严格控制化工清洗的工艺参数。 2.大气等离子体发生器的物理清洗 氩气是物理清洗中常用的气体。其作用机理是通过等离子体中的离子作为纯物理冲击,清掉物料外表面的原子或附着在物料外表面的原子。因为离子在压力较低时的平均官能团较长,有能量积累,所以在物理冲击时,离子的能量越高,有些作用就越大,所以如果要以物理反应作为主料,就必需把控较低的压力进行作用,那样清洗(效果)更强。物理清洗基理:物理清洗是半导体封装过程中常用的等离子清洗方法。氩等离子体清洗后,可改变物料外表面的微观形态,增进表面活性和附着性,同时不产生氧化物,有助于增进键合工艺的可靠性。 3.大气等离子体发生器的物理化学混合清洗 物理化学混合清洗采用化工清洗和物理清洗混合气体等离子清洗过程。清洁过程中,化学反应与物理反应同时存在,其清洗速度一般比单独采用物理或化学方法更快。因此,物理化学清洗通常用于杂物复杂、污染严重的物料外表面。在半导体封装过程中,氩气和氢气的物理化学清洗也可以采用,考虑到氢气的易爆性,需要严格控制混合气体中的氢气含量。        本文分析了大气等离子体发生器在半导体行业的应用,并通过管座等离子体清洗前后的接触角实验和剪切球实验表明,大气等离子体发生器可以有效清掉物料外表面的各种杂物,增进物料外表面的润湿性和键合强度,为了增进半导体产品的可靠性。

从三个方面描述了大气等离子体发生器的三种不同处理方法       

【概要描述】       大气等离子体发生器的原理是通过化学或物理作用处理部件外表面,清掉分子层次的杂物,为了增进部件外表面的活性。一般来说,杂物主要包括环氧树脂、光刻胶、氧化物和颗粒杂物。不同的杂物应采用不同的工艺参数和气体。常压等离子体发生器主要分为化工清洗、物理清洗和混合清洗。
1.大气等离子体发生器的化工清洗
化工清洗常用的气体有H2、O2、CF4等。这些气体通过电离在等离子体内形成高活性官能团,与杂物进行化学反应。它的作用基理主要是通过等离子体中的官能团与物料的外表面进行化学反应,使非挥发性有机物转变为挥发性形态。化工清洗具有清洗速度快、选择性好的特点,但在清洗过程中可能会在清洗外表面重新产生氧化物,半导体封装的引线键合过程中不允许产生氧化物。因此,如果引线键合过程中需要化工清洗,需要严格控制化工清洗的工艺参数。
2.大气等离子体发生器的物理清洗
氩气是物理清洗中常用的气体。其作用机理是通过等离子体中的离子作为纯物理冲击,清掉物料外表面的原子或附着在物料外表面的原子。因为离子在压力较低时的平均官能团较长,有能量积累,所以在物理冲击时,离子的能量越高,有些作用就越大,所以如果要以物理反应作为主料,就必需把控较低的压力进行作用,那样清洗(效果)更强。物理清洗基理:物理清洗是半导体封装过程中常用的等离子清洗方法。氩等离子体清洗后,可改变物料外表面的微观形态,增进表面活性和附着性,同时不产生氧化物,有助于增进键合工艺的可靠性。
3.大气等离子体发生器的物理化学混合清洗
物理化学混合清洗采用化工清洗和物理清洗混合气体等离子清洗过程。清洁过程中,化学反应与物理反应同时存在,其清洗速度一般比单独采用物理或化学方法更快。因此,物理化学清洗通常用于杂物复杂、污染严重的物料外表面。在半导体封装过程中,氩气和氢气的物理化学清洗也可以采用,考虑到氢气的易爆性,需要严格控制混合气体中的氢气含量。
       本文分析了大气等离子体发生器在半导体行业的应用,并通过管座等离子体清洗前后的接触角实验和剪切球实验表明,大气等离子体发生器可以有效清掉物料外表面的各种杂物,增进物料外表面的润湿性和键合强度,为了增进半导体产品的可靠性。

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  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
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  • 发布时间:2021-08-04 16:10
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       大气等离子体发生器的原理是通过化学或物理作用处理部件外表面,清掉分子层次的杂物,为了增进部件外表面的活性。一般来说,杂物主要包括环氧树脂、光刻胶、氧化物和颗粒杂物。不同的杂物应采用不同的工艺参数和气体。常压等离子体发生器主要分为化工清洗、物理清洗和混合清洗。
大气等离子体发生器1.大气等离子体发生器的化工清洗
化工清洗常用的气体有H2、O2、CF4等。这些气体通过电离在等离子体内形成高活性官能团,与杂物进行化学反应。它的作用基理主要是通过等离子体中的官能团与物料的外表面进行化学反应,使非挥发性有机物转变为挥发性形态。化工清洗具有清洗速度快、选择性好的特点,但在清洗过程中可能会在清洗外表面重新产生氧化物,半导体封装的引线键合过程中不允许产生氧化物。因此,如果引线键合过程中需要化工清洗,需要严格控制化工清洗的工艺参数。
2.大气等离子体发生器的物理清洗
氩气是物理清洗中常用的气体。其作用机理是通过等离子体中的离子作为纯物理冲击,清掉物料外表面的原子或附着在物料外表面的原子。因为离子在压力较低时的平均官能团较长,有能量积累,所以在物理冲击时,离子的能量越高,有些作用就越大,所以如果要以物理反应作为主料,就必需把控较低的压力进行作用,那样清洗(效果)更强。物理清洗基理:物理清洗是半导体封装过程中常用的等离子清洗方法。氩等离子体清洗后,可改变物料外表面的微观形态,增进表面活性和附着性,同时不产生氧化物,有助于增进键合工艺的可靠性。
3.大气等离子体发生器的物理化学混合清洗
物理化学混合清洗采用化工清洗和物理清洗混合气体等离子清洗过程。清洁过程中,化学反应与物理反应同时存在,其清洗速度一般比单独采用物理或化学方法更快。因此,物理化学清洗通常用于杂物复杂、污染严重的物料外表面。在半导体封装过程中,氩气和氢气的物理化学清洗也可以采用,考虑到氢气的易爆性,需要严格控制混合气体中的氢气含量。
        本文分析了大气等离子体发生器在半导体行业的应用,并通过管座等离子体清洗前后的接触角实验和剪切球实验表明,大气等离子体发生器可以有效清掉物料外表面的各种杂物,增进物料外表面的润湿性和键合强度,为了增进半导体产品的可靠性。

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