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概述大气常压等离子清洗-3种不同的清洗方法

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2021-06-28
  • 访问量:

【概要描述】       大气常压等离子清洗机的原理通过化学或者物理作用对工件表面进行处理,实现分子水平的污染物去除,从而提高工件表面的活性。一般情况下污染物主要包括有(机)物,环氧树脂、光刻胶、氧化物和微颗粒污染物等。对应不同的污染物应采用不同的工艺参数和工艺气体。根据等离子清洗的作用机理,大气常压等离子清洗主要分为化学清洗、物理清洗及化学物理清洗三种类型。 1、化学清洗 在化学清洗里常用的气体有H2、O2、CF4等,这些气体在等离子体内通过电离形成高活性的自由基与污染物进 行化学反应,其反应机理主要是利用等离子体里的自由基来与材料表面做化学反应,使非挥发性的有(机)物变为易挥发的形态,化学清洗具有清洗速度高,选择性好的特点,但是其在清洗过程中可能在被清洗表面重新产生氧化物,而氧化物的生成在半导体封装的引线键合工艺中是不允许出现的,因此在引线键合工艺中若需要采用化学清洗,则需要严格控制化学清洗的工艺参数。   2、物理清洗 在物理清洗里常用的气体为氩气。其作用机理是利用等离子体里的离子作纯物理的撞击,把材料表面的原子或附着材料表面的原子打掉。由于离子在压力较低时的平均自由基较长,有着能量的累积,因而在物理撞击时,离子的能量越高,越是有的作撞击,所以若要以物理反应为主时,就必须控制较低的压力下来进行反应,这样清洗(效)果较好。 物理清洗作用机理:物理清洗是半导体封装工艺中(最)常用的等离子清洗方法。经过氩等离子清洗后,能够改变材料表面的微观形态,提高表面活性和附着性能,同时不会产生氧化物,对提高键合工艺的可靠性有很大的帮助。 3、物理化学清洗 物理化学清洗同时采用用于化学清洗和物理清洗的混合气体进行等离子清洗过程。在清洗过程中,化学反应和物理反应同时存在,其清洗速率通常比单独使用物理清洗或化学清洗快,因此物理化学清洗通常用于污染物较为复杂且污染较为严重的材料表面。 在半导体封装工艺中,也可采用氩气与氢气混合的物理化学清洗方法,并且考虑到氢气的易爆性,需严格控制混合气体中氢气的含量。        本文从大气常压等离子清洗的三种清洗三种类型,分析了大气常压等离子清洗在半导体行业中的应用,并通过管座等离子清洗前后的接触角实验和剪切球实验表明,等离子清洗能够有效去除材料表面的各种污染物,提高材料表面的润湿性和键合强度,从而提高半导体产品的可靠性。

概述大气常压等离子清洗-3种不同的清洗方法

【概要描述】       大气常压等离子清洗机的原理通过化学或者物理作用对工件表面进行处理,实现分子水平的污染物去除,从而提高工件表面的活性。一般情况下污染物主要包括有(机)物,环氧树脂、光刻胶、氧化物和微颗粒污染物等。对应不同的污染物应采用不同的工艺参数和工艺气体。根据等离子清洗的作用机理,大气常压等离子清洗主要分为化学清洗、物理清洗及化学物理清洗三种类型。

1、化学清洗

在化学清洗里常用的气体有H2、O2、CF4等,这些气体在等离子体内通过电离形成高活性的自由基与污染物进 行化学反应,其反应机理主要是利用等离子体里的自由基来与材料表面做化学反应,使非挥发性的有(机)物变为易挥发的形态,化学清洗具有清洗速度高,选择性好的特点,但是其在清洗过程中可能在被清洗表面重新产生氧化物,而氧化物的生成在半导体封装的引线键合工艺中是不允许出现的,因此在引线键合工艺中若需要采用化学清洗,则需要严格控制化学清洗的工艺参数。

 

2、物理清洗

在物理清洗里常用的气体为氩气。其作用机理是利用等离子体里的离子作纯物理的撞击,把材料表面的原子或附着材料表面的原子打掉。由于离子在压力较低时的平均自由基较长,有着能量的累积,因而在物理撞击时,离子的能量越高,越是有的作撞击,所以若要以物理反应为主时,就必须控制较低的压力下来进行反应,这样清洗(效)果较好。 物理清洗作用机理:物理清洗是半导体封装工艺中(最)常用的等离子清洗方法。经过氩等离子清洗后,能够改变材料表面的微观形态,提高表面活性和附着性能,同时不会产生氧化物,对提高键合工艺的可靠性有很大的帮助。

3、物理化学清洗

物理化学清洗同时采用用于化学清洗和物理清洗的混合气体进行等离子清洗过程。在清洗过程中,化学反应和物理反应同时存在,其清洗速率通常比单独使用物理清洗或化学清洗快,因此物理化学清洗通常用于污染物较为复杂且污染较为严重的材料表面。 在半导体封装工艺中,也可采用氩气与氢气混合的物理化学清洗方法,并且考虑到氢气的易爆性,需严格控制混合气体中氢气的含量。

       本文从大气常压等离子清洗的三种清洗三种类型,分析了大气常压等离子清洗在半导体行业中的应用,并通过管座等离子清洗前后的接触角实验和剪切球实验表明,等离子清洗能够有效去除材料表面的各种污染物,提高材料表面的润湿性和键合强度,从而提高半导体产品的可靠性。

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
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  • 发布时间:2021-06-28 23:40
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       大气常压等离子清洗通常在化学或者物理作用对工件表面进行处理,去除污染物,从而提高工件表面的活性。一般情况下污染物主要包括有(机)物,环氧树脂、光刻胶、氧化物和微颗粒污染物等。对应不同的污染物应采用不同的工艺参数和工艺气体。根据等离子清洗的作用机理,大气常压等离子清洗主要分为化学清洗、物理清洗及化学物理清洗三种类型。

1、化学清洗

在化学清洗里常用的气体有H2、O2、CF4等,这些气体在等离子体内通过电离形成高活性的自由基与污染物进 行化学反应,其反应机理主要是利用等离子体里的自由基来与材料表面做化学反应,使非挥发性的有(机)物变为易挥发的形态,化学清洗具有清洗速度高,选择性好的特点,但是其在清洗过程中可能在被清洗表面重新产生氧化物,而氧化物的生成在半导体封装的引线键合工艺中是不允许出现的,因此在引线键合工艺中若需要采用化学清洗,则需要严格控制化学清洗的工艺参数。

大气常压等离子清洗

2、物理清洗

在物理清洗里常用的气体为氩气。其作用机理是利用等离子体里的离子作纯物理的撞击,把材料表面的原子或附着材料表面的原子打掉。由于离子在压力较低时的平均自由基较长,有着能量的累积,因而在物理撞击时,离子的能量越高,越是有的作撞击,所以若要以物理反应为主时,就必须控制较低的压力下来进行反应,这样清洗(效)果较好。 物理清洗作用机理:物理清洗是半导体封装工艺中(最)常用的等离子清洗方法。经过氩等离子清洗后,能够改变材料表面的微观形态,提高表面活性和附着性能,同时不会产生氧化物,对提高键合工艺的可靠性有很大的帮助。

3、物理化学清洗

物理化学清洗同时采用用于化学清洗和物理清洗的混合气体进行等离子清洗过程。在清洗过程中,化学反应和物理反应同时存在,其清洗速率通常比单独使用物理清洗或化学清洗快,因此物理化学清洗通常用于污染物较为复杂且污染较为严重的材料表面。 在半导体封装工艺中,也可采用氩气与氢气混合的物理化学清洗方法,并且考虑到氢气的易爆性,需严格控制混合气体中氢气的含量。

       本文从大气常压等离子清洗的三种清洗三种类型,分析了大气常压等离子清洗在半导体行业中的应用,并通过管座等离子清洗前后的接触角实验和剪切球实验表明,等离子清洗能够有效去除材料表面的各种污染物,提高材料表面的润湿性和键合强度,从而提高半导体产品的可靠性。

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