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你可能不知道等离子体形成需要3种激发频率

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2021-06-23
  • 访问量:

【概要描述】   常见的等离子体激发频率有3种:激发频率40kHz的等离子体为超声等离子体、13.56MHz等离子体为RF等离子体、2.45GHz等离子体作为微波等离子体。各种等离子体行成的自偏压不同,超声等离子体自偏压约为1000V,而射频等离子体的自偏压为250V左右,微波等离子体的自偏压很低,仅有几十伏,3种等离子体形成机理不同。    超声波等离子体的反应是物理反应,射频等离子体的反应是物理反应和化学反应,微波等离子体的反应是化学反应。由于超声波清洗对被清洗表面的影响最大,所以在实际的半导体生产应用中多采用射频和微波两种清洗方法。采用超声波清洗时,对表面除胶、毛刺等处理效果最好,其典型的物理化学清洗方法是在反应腔内加入氩气作为辅助处理,由于氩气本身为惰性气体,所以不与表面发生反应,而是通过离子轰击来清洗表面。    典型的等离子化学清洗技术是氧等离子清洗。在此过程中中行成的氧自由基是极其活跃的,很容易与烃类发生反应,行成挥发性物质,如二氧化碳、一氧化碳和水等,从而去除表面的污染物。以物理反应为中心的等离子体清洗,也称为溅射腐蚀(SPE)离子铣削(IM),其优点是自身不发生化学反应,清洁表面不会留下氧化物,可以保持被清洗物的化学纯度,另一个等离子清洗在表面反应机制中物理反应和化学反应发挥重要作用,即反应离子腐蚀或反应离子束腐蚀,两种清洗相互促进,离子轰击对被清洗表面造成损伤,减弱其化学键或原子状态,吸收反应剂。

你可能不知道等离子体形成需要3种激发频率

【概要描述】   常见的等离子体激发频率有3种:激发频率40kHz的等离子体为超声等离子体、13.56MHz等离子体为RF等离子体、2.45GHz等离子体作为微波等离子体。各种等离子体行成的自偏压不同,超声等离子体自偏压约为1000V,而射频等离子体的自偏压为250V左右,微波等离子体的自偏压很低,仅有几十伏,3种等离子体形成机理不同。

   超声波等离子体的反应是物理反应,射频等离子体的反应是物理反应和化学反应,微波等离子体的反应是化学反应。由于超声波清洗对被清洗表面的影响最大,所以在实际的半导体生产应用中多采用射频和微波两种清洗方法。采用超声波清洗时,对表面除胶、毛刺等处理效果最好,其典型的物理化学清洗方法是在反应腔内加入氩气作为辅助处理,由于氩气本身为惰性气体,所以不与表面发生反应,而是通过离子轰击来清洗表面。

   典型的等离子化学清洗技术是氧等离子清洗。在此过程中中行成的氧自由基是极其活跃的,很容易与烃类发生反应,行成挥发性物质,如二氧化碳、一氧化碳和水等,从而去除表面的污染物。以物理反应为中心的等离子体清洗,也称为溅射腐蚀(SPE)离子铣削(IM),其优点是自身不发生化学反应,清洁表面不会留下氧化物,可以保持被清洗物的化学纯度,另一个等离子清洗在表面反应机制中物理反应和化学反应发挥重要作用,即反应离子腐蚀或反应离子束腐蚀,两种清洗相互促进,离子轰击对被清洗表面造成损伤,减弱其化学键或原子状态,吸收反应剂。

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
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  • 发布时间:2021-06-23 22:26
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   常见的等离子体激发频率有3种:激发频率40kHz的等离子体为超声等离子体、13.56MHz等离子体为RF等离子体、2.45GHz等离子体作为微波等离子体。各种等离子体行成的自偏压不同,超声等离子体自偏压约为1000V,而射频等离子体的自偏压为250V左右,微波等离子体的自偏压很低,仅有几十伏,3种等离子体形成机理不同。

      超声波等离子体的反应是物理反应,射频等离子体的反应是物理反应和化学反应,微波等离子体的反应是化学反应。由于超声波清洗对被清洗表面的影响最大,所以在实际的半导体生产应用中多采用射频和微波两种清洗方法。采用超声波清洗时,对表面除胶、毛刺等处理效果最好,其典型的物理化学清洗方法是在反应腔内加入氩气作为辅助处理,由于氩气本身为惰性气体,所以不与表面发生反应,而是通过离子轰击来清洗表面。

   典型的等离子化学清洗技术是氧等离子清洗。在此过程中中行成的氧自由基是极其活跃的,很容易与烃类发生反应,行成挥发性物质,如二氧化碳、一氧化碳和水等,从而去除表面的污染物。以物理反应为中心的等离子体清洗,也称为溅射腐蚀(SPE)离子铣削(IM),其优点是自身不发生化学反应,清洁表面不会留下氧化物,可以保持被清洗物的化学纯度,另一个等离子清洗在表面反应机制中物理反应和化学反应发挥重要作用,即反应离子腐蚀或反应离子束腐蚀,两种清洗相互促进,离子轰击对被清洗表面造成损伤,减弱其化学键或原子状态,吸收反应剂。

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