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芯片钝化膜及电性能和等离子清洗有什么关系

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2021-06-21
  • 访问量:

【概要描述】       研究了等离子清洗工艺对特定芯片钝化膜形貌和电性能的影响规律,结果表明:等离子清洗会造成CC4069RH芯片表面聚酰亚胺钝化膜圈状起皱现象,起皱部位的膜层略微凸起,但整个钝化膜完整连续,未出现裂纹。78L12芯片的输出电压随着等离子清洗功率和时间的增加呈现升高的趋势,在后续加热存储和功率老炼工艺后输出电压恢复正常。                                                          混合集成电路具有体积小、质量轻、组装密度高、气密性好等特点,广泛应用于航空航天领域。在混合集成电路中,一般使用键合丝实现电路内部电气信号互联。据统计,约70%以上混合集成电路产品的失效是由键合失效引起。由于键合前的界面在焊接或粘接时受到气氛和温度等的影响,键合区不可避免地受到各类化合物残留物的沾污,导致键合后虚焊和脱焊。等离子清洗工艺技术是利用电离的等离子体对键合区表面进行清理,实现分子水平污渍的去除(一般厚度在3~30 nm),提高表面的活性,进而提高键合强度及长期可靠性。         然而,在等离子清洗过程中,激发产生的离子由于电极电势或等离子体自偏压的作用加速向电路组件和芯片表面运动,可能会因离子轰击造成器件 的物理损伤。芯片暴露在等离子体中会造成栅充电及电应力损伤,而且紫外线、高能粒子会造成栅氧化层的边缘损伤[,这些都会影响芯片的电性能和长期服役可靠性。但是,国内外的文献均未报道键合前等离子清洗工艺对芯片钝化膜和电性能的影响。 等离子清洗过程中功率、时间和清洗次数作为工艺变量,发现了特定芯片聚酰亚胺钝化膜起皱及电性能变化的现象,明确了控制措施,有效地指导了混合集成电路的等离子清洗工作。 等离子清洗对钝化膜形貌的影响规律  

芯片钝化膜及电性能和等离子清洗有什么关系

【概要描述】       研究了等离子清洗工艺对特定芯片钝化膜形貌和电性能的影响规律,结果表明:等离子清洗会造成CC4069RH芯片表面聚酰亚胺钝化膜圈状起皱现象,起皱部位的膜层略微凸起,但整个钝化膜完整连续,未出现裂纹。78L12芯片的输出电压随着等离子清洗功率和时间的增加呈现升高的趋势,在后续加热存储和功率老炼工艺后输出电压恢复正常。
                                                

        混合集成电路具有体积小、质量轻、组装密度高、气密性好等特点,广泛应用于航空航天领域。在混合集成电路中,一般使用键合丝实现电路内部电气信号互联。据统计,约70%以上混合集成电路产品的失效是由键合失效引起。由于键合前的界面在焊接或粘接时受到气氛和温度等的影响,键合区不可避免地受到各类化合物残留物的沾污,导致键合后虚焊和脱焊。等离子清洗工艺技术是利用电离的等离子体对键合区表面进行清理,实现分子水平污渍的去除(一般厚度在3~30 nm),提高表面的活性,进而提高键合强度及长期可靠性。
        然而,在等离子清洗过程中,激发产生的离子由于电极电势或等离子体自偏压的作用加速向电路组件和芯片表面运动,可能会因离子轰击造成器件
的物理损伤。芯片暴露在等离子体中会造成栅充电及电应力损伤,而且紫外线、高能粒子会造成栅氧化层的边缘损伤[,这些都会影响芯片的电性能和长期服役可靠性。但是,国内外的文献均未报道键合前等离子清洗工艺对芯片钝化膜和电性能的影响。
等离子清洗过程中功率、时间和清洗次数作为工艺变量,发现了特定芯片聚酰亚胺钝化膜起皱及电性能变化的现象,明确了控制措施,有效地指导了混合集成电路的等离子清洗工作。

等离子清洗对钝化膜形貌的影响规律
 

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
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  • 发布时间:2021-06-21 18:40
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       研究了等离子清洗工艺对特定芯片钝化膜形貌和电性能的影响规律,结果表明:等离子清洗会造成CC4069RH芯片表面聚酰亚胺钝化膜圈状起皱现象,起皱部位的膜层略微凸起,但整个钝化膜完整连续,未出现裂纹。78L12芯片的输出电压随着等离子清洗功率和时间的增加呈现升高的趋势,在后续加热存储和功率老炼工艺后输出电压恢复正常。
                                                
        混合集成电路具有体积小、质量轻、组装密度高、气密性好等特点,广泛应用于航空航天领域。在混合集成电路中,一般使用键合丝实现电路内部电气信号互联。据统计,约70%以上混合集成电路产品的失效是由键合失效引起。由于键合前的界面在焊接或粘接时受到气氛和温度等的影响,键合区不可避免地受到各类化合物残留物的沾污,导致键合后虚焊和脱焊。等离子清洗工艺技术是利用电离的等离子体对键合区表面进行清理,实现分子水平污渍的去除(一般厚度在3~30 nm),提高表面的活性,进而提高键合强度及长期可靠性。
        然而,在等离子清洗过程中,激发产生的离子由于电极电势或等离子体自偏压的作用加速向电路组件和芯片表面运动,可能会因离子轰击造成器件
的物理损伤。芯片暴露在等离子体中会造成栅充电及电应力损伤,而且紫外线、高能粒子会造成栅氧化层的边缘损伤[,这些都会影响芯片的电性能和长期服役可靠性。但是,国内外的文献均未报道键合前等离子清洗工艺对芯片钝化膜和电性能的影响。
等离子清洗过程中功率、时间和清洗次数作为工艺变量,发现了特定芯片聚酰亚胺钝化膜起皱及电性能变化的现象,明确了控制措施,有效地指导了混合集成电路的等离子清洗工作。

等离子清洗对钝化膜形貌的影响规律
 

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