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电浆和集成电路你知道些什么吗等离子

  • 分类:业界动态
  • 作者:等离子清洗机-CRF plasma等离子设备-等离子表面处理机厂家-诚峰智造
  • 来源:
  • 发布时间:2021-05-15
  • 访问量:

【概要描述】有效地处理芯片和封装基片,可有效地提高基片表面活性,大大提高结合强度,减少芯片和基片的分层,改善导热性能,提高集成电路的可靠性、稳定性,延长产品的使用寿命。电子浆料技术的有效应用促进了集成电路加工(工)艺的改进,有效提高了产品质量。电浆表面处理技术的应用,让我们有了更多更好的处理方法!相信科技,相信未来! 电浆过程参数 流程气:在物理过程中,产生于氩等离子中的离子辐射表面,产生足够的能量,去除表面污物。正离子产生的氩原子会吸引电极板,负向在等离子室内充电。这种电性吸引使离子被电极吸引。因为离子撞击焊盘的表面,所以撞击力足够大,可以除去表面的任(何)污垢。污水随后由真空泵排出。辐射性的好处是它不会产生化学反应,它能(清)除部分表面没有氧化物的部分。离子化是去除污垢的重要环节,污垢包括金属盐和其他化学过程中不易去除的无机污染物。成品是完(全)由基片材料制成的。其不利之处包括有(机)基底材料的过度腐蚀和污染物或基底颗粒在其他区域的重新聚集。无论如何,这些缺点通 常通过精细调整工艺参数比较容易控制。 在化学过程中,用产生气相辐射的等离子与样品表面的化合物反应,然后将这些产物从等离子泵出,形成气相。举例来说,有(机)污染物可以通过氧气等离子被有效去除,在这里,氧气与污染物反应,产生二氧化碳,一氧化碳和水。等离子体中的化学清洗具有更高的清洗速度和更高的腐蚀性,一般而言,化学反应能更好地清(除)有(机)污染物,但其很大的缺点是,氧化物可以形成于衬底上,而且在很多应用中都有采用。 压强:工艺容器压力是气体流量,产品流量和泵转速的函数。过程气体的选择决定了等离子清洗的机理(物理、化学或物理/化学),终决定了气流速度和过程压力状态。与化学过程相比,物理过程通常需要更低的压力。在被碰撞去激减活之前,被激发的粒子需要对基底表面进行物理等离子清洗。当过程压力较高时,激发的颗粒在到达焊接盘前会与其他颗粒多次碰撞,从而降(低)了清洗力。被激发粒子在碰撞前所走的距离被称为粒子的平均自由距离,与压力成反比。一般自由行程l的定义是:l=(kT/σ2P)。所以P和T是气体的压力和温度,k是常数,σ是气体分子的直径。图示出氩的平均自由行程是压力的函 数。实际的生产过程需要低电压以利于平均自由行程达到很大,从而使得碰撞冲击达到很大。但是,如果减压过大,就不会有足够的活性反应成分在合理的时间内清洗衬底。该化学过程依赖于产生气相辐射的等离子与基片表面进行化学反应,从而产生高压。采用高工艺压力进行化学反应的等离子工艺,是由于需要高度集中于基片表面的活性反应成分。压力越大,化学工艺清洗速度越快。 动力:等粒子动力增加了离子在等离子体中的密度和离子能量,从而提高了清洁速度。离子性密度是单位体积内活性反应的成分数。提高离子密度可以提高清洗速度,因为活性反应组分浓度较高。离子能决定了活性反应的成分进行物理操作的能力。为了改进引线连接,我们进行了等离子工艺功率的评估。提高引线连接功率对提高接线质量效(果)显著。举例来说,通过增加两个因子的功率,引线连接和拉伸强度就会加倍。但是,如果功率过大,就会对衬底造成损害,也会影响生产过程。时间:通常来说,目的是使工艺时间很短,以获得封装生产线的很高产量。加工时间应与功率,压力和气体类型相平衡。 以PBGA类衬底作为引线连接强度函数,对工艺压力和功率进行优化,并对工艺时间进行评价,证明工艺时间的重要性。举例来说,较未处理的基板而言,较未处理的基板提高了2%的引线接合强度,而较未处理的基板增加了28%的工艺时间,且引线接合强度提高了20%。工艺运行时间延长并不总能提供连接改进的结果。清洗时间需要取决于其他工艺参数,以达到可接受的接头抗拉强度。

电浆和集成电路你知道些什么吗等离子

【概要描述】有效地处理芯片和封装基片,可有效地提高基片表面活性,大大提高结合强度,减少芯片和基片的分层,改善导热性能,提高集成电路的可靠性、稳定性,延长产品的使用寿命。电子浆料技术的有效应用促进了集成电路加工(工)艺的改进,有效提高了产品质量。电浆表面处理技术的应用,让我们有了更多更好的处理方法!相信科技,相信未来!
电浆过程参数
流程气:在物理过程中,产生于氩等离子中的离子辐射表面,产生足够的能量,去除表面污物。正离子产生的氩原子会吸引电极板,负向在等离子室内充电。这种电性吸引使离子被电极吸引。因为离子撞击焊盘的表面,所以撞击力足够大,可以除去表面的任(何)污垢。污水随后由真空泵排出。辐射性的好处是它不会产生化学反应,它能(清)除部分表面没有氧化物的部分。离子化是去除污垢的重要环节,污垢包括金属盐和其他化学过程中不易去除的无机污染物。成品是完(全)由基片材料制成的。其不利之处包括有(机)基底材料的过度腐蚀和污染物或基底颗粒在其他区域的重新聚集。无论如何,这些缺点通
常通过精细调整工艺参数比较容易控制。


在化学过程中,用产生气相辐射的等离子与样品表面的化合物反应,然后将这些产物从等离子泵出,形成气相。举例来说,有(机)污染物可以通过氧气等离子被有效去除,在这里,氧气与污染物反应,产生二氧化碳,一氧化碳和水。等离子体中的化学清洗具有更高的清洗速度和更高的腐蚀性,一般而言,化学反应能更好地清(除)有(机)污染物,但其很大的缺点是,氧化物可以形成于衬底上,而且在很多应用中都有采用。
压强:工艺容器压力是气体流量,产品流量和泵转速的函数。过程气体的选择决定了等离子清洗的机理(物理、化学或物理/化学),终决定了气流速度和过程压力状态。与化学过程相比,物理过程通常需要更低的压力。在被碰撞去激减活之前,被激发的粒子需要对基底表面进行物理等离子清洗。当过程压力较高时,激发的颗粒在到达焊接盘前会与其他颗粒多次碰撞,从而降(低)了清洗力。被激发粒子在碰撞前所走的距离被称为粒子的平均自由距离,与压力成反比。一般自由行程l的定义是:l=(kT/σ2P)。所以P和T是气体的压力和温度,k是常数,σ是气体分子的直径。图示出氩的平均自由行程是压力的函
数。实际的生产过程需要低电压以利于平均自由行程达到很大,从而使得碰撞冲击达到很大。但是,如果减压过大,就不会有足够的活性反应成分在合理的时间内清洗衬底。该化学过程依赖于产生气相辐射的等离子与基片表面进行化学反应,从而产生高压。采用高工艺压力进行化学反应的等离子工艺,是由于需要高度集中于基片表面的活性反应成分。压力越大,化学工艺清洗速度越快。
动力:等粒子动力增加了离子在等离子体中的密度和离子能量,从而提高了清洁速度。离子性密度是单位体积内活性反应的成分数。提高离子密度可以提高清洗速度,因为活性反应组分浓度较高。离子能决定了活性反应的成分进行物理操作的能力。为了改进引线连接,我们进行了等离子工艺功率的评估。提高引线连接功率对提高接线质量效(果)显著。举例来说,通过增加两个因子的功率,引线连接和拉伸强度就会加倍。但是,如果功率过大,就会对衬底造成损害,也会影响生产过程。时间:通常来说,目的是使工艺时间很短,以获得封装生产线的很高产量。加工时间应与功率,压力和气体类型相平衡。
以PBGA类衬底作为引线连接强度函数,对工艺压力和功率进行优化,并对工艺时间进行评价,证明工艺时间的重要性。举例来说,较未处理的基板而言,较未处理的基板提高了2%的引线接合强度,而较未处理的基板增加了28%的工艺时间,且引线接合强度提高了20%。工艺运行时间延长并不总能提供连接改进的结果。清洗时间需要取决于其他工艺参数,以达到可接受的接头抗拉强度。

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有效地处理芯片和封装基片,可有效地提高基片表面活性,大大提高结合强度,减少芯片和基片的分层,改善导热性能,提高集成电路的可靠性、稳定性,延长产品的使用寿命。电子浆料技术的有效应用促进了集成电路加工(工)艺的改进,有效提高了产品质量。电浆表面处理技术的应用,让我们有了更多更好的处理方法!相信科技,相信未来!
电浆过程参数
流程气:在物理过程中,产生于氩等离子中的离子辐射表面,产生足够的能量,去除表面污物。正离子产生的氩原子会吸引电极板,负向在等离子室内充电。这种电性吸引使离子被电极吸引。因为离子撞击焊盘的表面,所以撞击力足够大,可以除去表面的任(何)污垢。污水随后由真空泵排出。辐射性的好处是它不会产生化学反应,它能(清)除部分表面没有氧化物的部分。离子化是去除污垢的重要环节,污垢包括金属盐和其他化学过程中不易去除的无机污染物。成品是完(全)由基片材料制成的。其不利之处包括有(机)基底材料的过度腐蚀和污染物或基底颗粒在其他区域的重新聚集。无论如何,这些缺点通
常通过精细调整工艺参数比较容易控制。

等离子
在化学过程中,用产生气相辐射的等离子与样品表面的化合物反应,然后将这些产物从等离子泵出,形成气相。举例来说,有(机)污染物可以通过氧气等离子被有效去除,在这里,氧气与污染物反应,产生二氧化碳,一氧化碳和水。等离子体中的化学清洗具有更高的清洗速度和更高的腐蚀性,一般而言,化学反应能更好地清(除)有(机)污染物,但其很大的缺点是,氧化物可以形成于衬底上,而且在很多应用中都有采用。
压强:工艺容器压力是气体流量,产品流量和泵转速的函数。过程气体的选择决定了等离子清洗的机理(物理、化学或物理/化学),终决定了气流速度和过程压力状态。与化学过程相比,物理过程通常需要更低的压力。在被碰撞去激减活之前,被激发的粒子需要对基底表面进行物理等离子清洗。当过程压力较高时,激发的颗粒在到达焊接盘前会与其他颗粒多次碰撞,从而降(低)了清洗力。被激发粒子在碰撞前所走的距离被称为粒子的平均自由距离,与压力成反比。一般自由行程l的定义是:l=(kT/σ2P)。所以P和T是气体的压力和温度,k是常数,σ是气体分子的直径。图示出氩的平均自由行程是压力的函
数。实际的生产过程需要低电压以利于平均自由行程达到很大,从而使得碰撞冲击达到很大。但是,如果减压过大,就不会有足够的活性反应成分在合理的时间内清洗衬底。该化学过程依赖于产生气相辐射的等离子与基片表面进行化学反应,从而产生高压。采用高工艺压力进行化学反应的等离子工艺,是由于需要高度集中于基片表面的活性反应成分。压力越大,化学工艺清洗速度越快。
动力:等粒子动力增加了离子在等离子体中的密度和离子能量,从而提高了清洁速度。离子性密度是单位体积内活性反应的成分数。提高离子密度可以提高清洗速度,因为活性反应组分浓度较高。离子能决定了活性反应的成分进行物理操作的能力。为了改进引线连接,我们进行了等离子工艺功率的评估。提高引线连接功率对提高接线质量效(果)显著。举例来说,通过增加两个因子的功率,引线连接和拉伸强度就会加倍。但是,如果功率过大,就会对衬底造成损害,也会影响生产过程。时间:通常来说,目的是使工艺时间很短,以获得封装生产线的很高产量。加工时间应与功率,压力和气体类型相平衡。
以PBGA类衬底作为引线连接强度函数,对工艺压力和功率进行优化,并对工艺时间进行评价,证明工艺时间的重要性。举例来说,较未处理的基板而言,较未处理的基板提高了2%的引线接合强度,而较未处理的基板增加了28%的工艺时间,且引线接合强度提高了20%。工艺运行时间延长并不总能提供连接改进的结果。清洗时间需要取决于其他工艺参数,以达到可接受的接头抗拉强度。

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