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等离子刻蚀机

等离子刻蚀机

   作为芯片加工制造的三大关键机器设备之一的光刻机,在我国依然存有较大的差别,想要进到全球优秀行业还需花费大量的時间和技术积累。不过从刻蚀机制作看来,在我国的刻蚀机器设备依然很有发展前途:在台积电(TSMC)将要由生产制造的5nm芯片过程中,中微半导体的5nm刻蚀机进入了台积电(TSMC)的供应链。这也是我国初次在芯片制造机器设备领跑全球。

   芯片制造分成前处理设备(晶圆生产制造)、后处理工艺机器设备(封装和检测)。因为加工过程的工序多,工艺的复杂,所以加工过程需要各种各样的设备满足需求。

   现阶段,流行是干法刻蚀加工工艺,选用干法刻蚀加工工艺称之为等离子刻蚀机。由于集成电路芯片生产制造过程中需要各种类型的干法刻蚀加工工艺,硅片上也应用到各种材料。刻蚀机又分成三类:介质刻蚀机(CCP电容耦合)、硅刻蚀机(ICP电感藕合)、金属刻蚀机,这主要是因为电容性低温等离子注入机器设备在较硬介质材料上,等离子体刻蚀设备主要用于软、较薄材料(单晶硅、多晶硅等),通孔刻蚀、凹槽刻蚀等微观结构。

   因而依据材料的不一样,干法刻蚀关键分成三种:介质干法刻蚀、硅干刻蚀和金属材料干刻,它们之间的运用各有不同,不可以相互之间取代。其中金属刻蚀等离子体注入机器设备应用于金属材料连线、通孔、接触金属材料等阶段。金属互连线一般由铝合金型材做成,铝一般采用氯基和部分聚合物进行刻蚀。钨在多层金属构件中常会作为多孔结构填充料,一般采用氟或氯气体。

  就难度系数来讲,硅刻蚀工艺是艰难的,次之是介质刻蚀工艺,简单的是金属刻蚀。伴随着刻蚀机的发展到干式刻蚀后,等离子体刻蚀是一项很重要的技术。


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